高溫壓力傳感器由硅膜片、襯底、下電極和絕緣層構(gòu)成。其中下電極位于厚支撐的襯底上。電極上蒸鍍一層絕緣層。硅膜片則是利用各向異性腐蝕技術(shù)，在一片硅片上從正反面腐蝕形成的。

 

　　上下電極的間隙由硅片的腐蝕深度決定。硅膜片和襯底利用鍵合技術(shù)鍵合在一起，形成具有一定穩(wěn)定性的硅膜片電容高溫壓力傳感器［2］。由于鉑電阻耐高溫，且對(duì)溫度敏感，選用鉑電阻，既可以當(dāng)普通電阻使用，又可以作為溫度傳感器用以探測(cè)被測(cè)環(huán)境的溫度。

 

　　金屬鉑電阻和硅膜片的參數(shù)為：0℃時(shí)鉑電阻值為1000Ω;電阻率為1.0526316×10-5Ω·cm;密度為21440kg/m3;比熱為132.51J/（kg·K）、熔斷溫度為1769℃，故鉑電阻可加工為寬度為0.02mm;厚度為0.2μm;總長(zhǎng)度為3800μm，制作成鋸齒狀，可在幅值為10V的階躍信號(hào)下正常工作。

 

　　電容式高溫壓力傳感器的上下電極的間隙為3μm、圓形平板電容上下電極的半徑為73μm、其電容值為50pF。

 

　　基于識(shí)別技術(shù)的模型及其仿真

 

　　對(duì)于一個(gè)系統(tǒng)，其方程式為

 

　　UO（s）=G（s）Ui（s），

 

　　其中UO（s）和Ui（s）分別為輸出和輸入信號(hào)，當(dāng)輸出、輸入信號(hào)及系統(tǒng)的階數(shù)已知，可以通過(guò)計(jì)算機(jī)按一定的準(zhǔn)則來(lái)識(shí)別G（s）的模型參數(shù)，為模型識(shí)別。本文主要闡述應(yīng)用模型識(shí)別的方法來(lái)確定處于高溫環(huán)境下的電容式高溫壓力傳感器的電容值。