摘要509-75-717射頻導納物位計AMETEK探頭絕緣層表面的接地點覆蓋了整個被測介質(zhì)及掛料區(qū)，有效測量電容擴展到掛料的頂端,產(chǎn)生掛料誤差，且導電性越強誤差越大,任何被測介質(zhì)都不是*導電的,掛料層相當于一個電阻，傳感元件被掛料覆蓋的部分相當于一條由無數(shù)個無窮小的電容和...

摘要509-75-925射頻導納物位計AMETEK探頭絕緣層表面的接地點覆蓋了整個被測介質(zhì)及掛料區(qū)，有效測量電容擴展到掛料的頂端,產(chǎn)生掛料誤差，且導電性越強誤差越大,任何被測介質(zhì)都不是*導電的,掛料層相當于一個電阻，傳感元件被掛料覆蓋的部分相當于一條由無數(shù)個無窮小的電容和...

摘要509-75-909射頻導納物位計AMETEK探頭絕緣層表面的接地點覆蓋了整個被測介質(zhì)及掛料區(qū)，有效測量電容擴展到掛料的頂端,產(chǎn)生掛料誤差，且導電性越強誤差越大,任何被測介質(zhì)都不是*導電的,掛料層相當于一個電阻，傳感元件被掛料覆蓋的部分相當于一條由無數(shù)個無窮小的電容和...

摘要509-75-907射頻導納物位計AMETEK探頭絕緣層表面的接地點覆蓋了整個被測介質(zhì)及掛料區(qū)，有效測量電容擴展到掛料的頂端,產(chǎn)生掛料誤差，且導電性越強誤差越大,任何被測介質(zhì)都不是*導電的,掛料層相當于一個電阻，傳感元件被掛料覆蓋的部分相當于一條由無數(shù)個無窮小的電容和...

摘要509-76-718射頻導納物位計AMETEK探頭絕緣層表面的接地點覆蓋了整個被測介質(zhì)及掛料區(qū)，有效測量電容擴展到掛料的頂端,產(chǎn)生掛料誤差，且導電性越強誤差越大,任何被測介質(zhì)都不是*導電的,掛料層相當于一個電阻，傳感元件被掛料覆蓋的部分相當于一條由無數(shù)個無窮小的電容和...

摘要509-75-938射頻導納物位計AMETEK探頭絕緣層表面的接地點覆蓋了整個被測介質(zhì)及掛料區(qū)，有效測量電容擴展到掛料的頂端,產(chǎn)生掛料誤差，且導電性越強誤差越大,任何被測介質(zhì)都不是*導電的,掛料層相當于一個電阻，傳感元件被掛料覆蓋的部分相當于一條由無數(shù)個無窮小的電容和...

摘要509-46-718射頻導納物位計AMETEK電容式發(fā)展起來的、防掛料、更可靠、更準確、適用性更廣的新型物位控制技術，是電容式物位技術的升級。導納的含義為電學中阻抗的倒數(shù)，它由電阻性成分、電容性成分、感性成分綜合而成，而射頻即高頻無線電波譜，射頻導納可以理解為用高頻無...

摘要509-46-918射頻導納物位計AMETEK電容式發(fā)展起來的、防掛料、更可靠、更準確、適用性更廣的新型物位控制技術，是電容式物位技術的升級。導納的含義為電學中阻抗的倒數(shù)，它由電阻性成分、電容性成分、感性成分綜合而成，而射頻即高頻無線電波譜，射頻導納可以理解為用高頻無...

摘要509-45-938射頻導納物位計AMETEK電容式發(fā)展起來的、防掛料、更可靠、更準確、適用性更廣的新型物位控制技術，是電容式物位技術的升級。導納的含義為電學中阻抗的倒數(shù)，它由電阻性成分、電容性成分、感性成分綜合而成，而射頻即高頻無線電波譜，射頻導納可以理解為用高頻無...

摘要509-45-931射頻導納物位計AMETEK電容式發(fā)展起來的、防掛料、更可靠、更準確、適用性更廣的新型物位控制技術，是電容式物位技術的升級。導納的含義為電學中阻抗的倒數(shù)，它由電阻性成分、電容性成分、感性成分綜合而成，而射頻即高頻無線電波譜，射頻導納可以理解為用高頻無...

摘要509-45-925射頻導納物位計AMETEK電容式發(fā)展起來的、防掛料、更可靠、更準確、適用性更廣的新型物位控制技術，是電容式物位技術的升級。導納的含義為電學中阻抗的倒數(shù)，它由電阻性成分、電容性成分、感性成分綜合而成，而射頻即高頻無線電波譜，射頻導納可以理解為用高頻無...

摘要509-45-717射頻導納物位計AMETEK電容式發(fā)展起來的、防掛料、更可靠、更準確、適用性更廣的新型物位控制技術，是電容式物位技術的升級。導納的含義為電學中阻抗的倒數(shù)，它由電阻性成分、電容性成分、感性成分綜合而成，而射頻即高頻無線電波譜，射頻導納可以理解為用高頻無...

摘要509-46-913射頻導納物位計AMETEK電容式發(fā)展起來的、防掛料、更可靠、更準確、適用性更廣的新型物位控制技術，是電容式物位技術的升級。導納的含義為電學中阻抗的倒數(shù)，它由電阻性成分、電容性成分、感性成分綜合而成，而射頻即高頻無線電波譜，射頻導納可以理解為用高頻無...

摘要509-46-909射頻導納物位計AMETEK電容式發(fā)展起來的、防掛料、更可靠、更準確、適用性更廣的新型物位控制技術，是電容式物位技術的升級。導納的含義為電學中阻抗的倒數(shù)，它由電阻性成分、電容性成分、感性成分綜合而成，而射頻即高頻無線電波譜，射頻導納可以理解為用高頻無...

摘要509-46-907射頻導納物位計AMETEK電容式發(fā)展起來的、防掛料、更可靠、更準確、適用性更廣的新型物位控制技術，是電容式物位技術的升級。導納的含義為電學中阻抗的倒數(shù)，它由電阻性成分、電容性成分、感性成分綜合而成，而射頻即高頻無線電波譜，射頻導納可以理解為用高頻無...

摘要509-46-906射頻導納物位計AMETEK電容式發(fā)展起來的、防掛料、更可靠、更準確、適用性更廣的新型物位控制技術，是電容式物位技術的升級。導納的含義為電學中阻抗的倒數(shù)，它由電阻性成分、電容性成分、感性成分綜合而成，而射頻即高頻無線電波譜，射頻導納可以理解為用高頻無...

摘要509-46-902射頻導納物位計AMETEK電容式發(fā)展起來的、防掛料、更可靠、更準確、適用性更廣的新型物位控制技術，是電容式物位技術的升級。導納的含義為電學中阻抗的倒數(shù)，它由電阻性成分、電容性成分、感性成分綜合而成，而射頻即高頻無線電波譜，射頻導納可以理解為用高頻無...

摘要509-45-909射頻導納物位計AMETEK電容式發(fā)展起來的、防掛料、更可靠、更準確、適用性更廣的新型物位控制技術，是電容式物位技術的升級。導納的含義為電學中阻抗的倒數(shù)，它由電阻性成分、電容性成分、感性成分綜合而成，而射頻即高頻無線電波譜，射頻導納可以理解為用高頻無...

摘要509-45-907射頻導納物位計AMETEK電容式發(fā)展起來的、防掛料、更可靠、更準確、適用性更廣的新型物位控制技術，是電容式物位技術的升級。導納的含義為電學中阻抗的倒數(shù)，它由電阻性成分、電容性成分、感性成分綜合而成，而射頻即高頻無線電波譜，射頻導納可以理解為用高頻無...

摘要509-45-906射頻導納物位計AMETEK電容式發(fā)展起來的、防掛料、更可靠、更準確、適用性更廣的新型物位控制技術，是電容式物位技術的升級。導納的含義為電學中阻抗的倒數(shù)，它由電阻性成分、電容性成分、感性成分綜合而成，而射頻即高頻無線電波譜，射頻導納可以理解為用高頻無...

摘要509-45-902射頻導納物位計AMETEK電容式發(fā)展起來的、防掛料、更可靠、更準確、適用性更廣的新型物位控制技術，是電容式物位技術的升級。導納的含義為電學中阻抗的倒數(shù)，它由電阻性成分、電容性成分、感性成分綜合而成，而射頻即高頻無線電波譜，射頻導納可以理解為用高頻無...

摘要509-15-955射頻導納物位計AMETEK本身對探頭相當于一個電容，它不消耗變送器的能量,純電容不耗能,掛料對探頭等效電路中含有電阻，掛料的阻抗會消耗能量強導電性被測介質(zhì)的容器，被測介質(zhì)是導電,接地點可以被認為在探頭絕緣層的表面，對變送器來說僅表現(xiàn)為一個純電容,隨...

摘要509-15-938射頻導納物位計AMETEK本身對探頭相當于一個電容，它不消耗變送器的能量,純電容不耗能,掛料對探頭等效電路中含有電阻，掛料的阻抗會消耗能量強導電性被測介質(zhì)的容器，被測介質(zhì)是導電,接地點可以被認為在探頭絕緣層的表面，對變送器來說僅表現(xiàn)為一個純電容,隨...

摘要509-15-931射頻導納物位計AMETEK本身對探頭相當于一個電容，它不消耗變送器的能量,純電容不耗能,掛料對探頭等效電路中含有電阻，掛料的阻抗會消耗能量強導電性被測介質(zhì)的容器，被測介質(zhì)是導電,接地點可以被認為在探頭絕緣層的表面，對變送器來說僅表現(xiàn)為一個純電容,隨...

摘要509-15-925射頻導納物位計AMETEK本身對探頭相當于一個電容，它不消耗變送器的能量,純電容不耗能,掛料對探頭等效電路中含有電阻，掛料的阻抗會消耗能量強導電性被測介質(zhì)的容器，被測介質(zhì)是導電,接地點可以被認為在探頭絕緣層的表面，對變送器來說僅表現(xiàn)為一個純電容,隨...

摘要509-16-913射頻導納物位計AMETEK本身對探頭相當于一個電容，它不消耗變送器的能量,純電容不耗能,掛料對探頭等效電路中含有電阻，掛料的阻抗會消耗能量強導電性被測介質(zhì)的容器，被測介質(zhì)是導電,接地點可以被認為在探頭絕緣層的表面，對變送器來說僅表現(xiàn)為一個純電容,隨...

摘要509-16-909射頻導納物位計AMETEK本身對探頭相當于一個電容，它不消耗變送器的能量,純電容不耗能,掛料對探頭等效電路中含有電阻，掛料的阻抗會消耗能量強導電性被測介質(zhì)的容器，被測介質(zhì)是導電,接地點可以被認為在探頭絕緣層的表面，對變送器來說僅表現(xiàn)為一個純電容,隨...

摘要509-16-907射頻導納物位計AMETEK本身對探頭相當于一個電容，它不消耗變送器的能量,純電容不耗能,掛料對探頭等效電路中含有電阻，掛料的阻抗會消耗能量強導電性被測介質(zhì)的容器，被測介質(zhì)是導電,接地點可以被認為在探頭絕緣層的表面，對變送器來說僅表現(xiàn)為一個純電容,隨...

摘要509-16-906射頻導納物位計AMETEK液位本身對探頭相當于一個電容，它不消耗變送器的能量,純電容不耗能,掛料對探頭等效電路中含有電阻，掛料的阻抗會消耗能量強導電性被測介質(zhì)的容器，被測介質(zhì)是導電,接地點可以被認為在探頭絕緣層的表面，對變送器來說僅表現(xiàn)為一個純電容...

摘要509-16-902射頻導納物位計AMETEK液位本身對探頭相當于一個電容，它不消耗變送器的能量,純電容不耗能,掛料對探頭等效電路中含有電阻，掛料的阻抗會消耗能量強導電性被測介質(zhì)的容器，被測介質(zhì)是導電,接地點可以被認為在探頭絕緣層的表面，對變送器來說僅表現(xiàn)為一個純電容...

摘要509-15-909射頻導納物位計AMETEK液位本身對探頭相當于一個電容，它不消耗變送器的能量,純電容不耗能,掛料對探頭等效電路中含有電阻，掛料的阻抗會消耗能量強導電性被測介質(zhì)的容器，被測介質(zhì)是導電,接地點可以被認為在探頭絕緣層的表面，對變送器來說僅表現(xiàn)為一個純電容...

摘要509-15-907射頻導納物位計AMETEK液位本身對探頭相當于一個電容，它不消耗變送器的能量,純電容不耗能,掛料對探頭等效電路中含有電阻，掛料的阻抗會消耗能量強導電性被測介質(zhì)的容器，被測介質(zhì)是導電,接地點可以被認為在探頭絕緣層的表面，對變送器來說僅表現(xiàn)為一個純電容...

摘要509-15-906射頻導納物位計AMETEK液位本身對探頭相當于一個電容，它不消耗變送器的能量,純電容不耗能,掛料對探頭等效電路中含有電阻，掛料的阻抗會消耗能量強導電性被測介質(zhì)的容器，被測介質(zhì)是導電,接地點可以被認為在探頭絕緣層的表面，對變送器來說僅表現(xiàn)為一個純電容...

摘要509-15-902射頻導納物位計AMETEK液位本身對探頭相當于一個電容，它不消耗變送器的能量,純電容不耗能,掛料對探頭等效電路中含有電阻，掛料的阻抗會消耗能量強導電性被測介質(zhì)的容器，被測介質(zhì)是導電,接地點可以被認為在探頭絕緣層的表面，對變送器來說僅表現(xiàn)為一個純電容...

摘要508-47-720射頻導納物位計AMETEK的結構分為主電極和補償電極兩部分,在主電極與補償電極間分別施加一組RF射頻信號，具有很好的抗粘料、掛料特性，是取代電容料位開關的新型物/液位測量產(chǎn)品,保護電極的存在，檢測電路將檢測電極和保護電極的信號進行比較，從而實現(xiàn)克服...

摘要508-47-920射頻導納物位計AMETEK的結構分為主電極和補償電極兩部分,在主電極與補償電極間分別施加一組RF射頻信號，具有很好的抗粘料、掛料特性，是取代電容料位開關的新型物/液位測量產(chǎn)品,保護電極的存在，檢測電路將檢測電極和保護電極的信號進行比較，從而實現(xiàn)克服...

摘要508-46-718射頻導納物位計AMETEK的結構分為主電極和補償電極兩部分,在主電極與補償電極間分別施加一組RF射頻信號，具有很好的抗粘料、掛料特性，是取代電容料位開關的新型物/液位測量產(chǎn)品,保護電極的存在，檢測電路將檢測電極和保護電極的信號進行比較，從而實現(xiàn)克服...

摘要508-46-918射頻導納物位計AMETEK的結構分為主電極和補償電極兩部分,在主電極與補償電極間分別施加一組RF射頻信號，具有很好的抗粘料、掛料特性，是取代電容料位開關的新型物/液位測量產(chǎn)品,保護電極的存在，檢測電路將檢測電極和保護電極的信號進行比較，從而實現(xiàn)克服...

摘要508-45-938射頻導納物位計AMETEK的結構分為主電極和補償電極兩部分,在主電極與補償電極間分別施加一組RF射頻信號，具有很好的抗粘料、掛料特性，是取代電容料位開關的新型物/液位測量產(chǎn)品,保護電極的存在，檢測電路將檢測電極和保護電極的信號進行比較，從而實現(xiàn)克服...

摘要508-45-931射頻導納物位計AMETEK的結構分為主電極和補償電極兩部分,在主電極與補償電極間分別施加一組RF射頻信號，具有很好的抗粘料、掛料特性，是取代電容料位開關的新型物/液位測量產(chǎn)品,保護電極的存在，檢測電路將檢測電極和保護電極的信號進行比較，從而實現(xiàn)克服...

摘要508-45-925射頻導納物位計AMETEK的結構分為主電極和補償電極兩部分,在主電極與補償電極間分別施加一組RF射頻信號，具有很好的抗粘料、掛料特性，是取代電容料位開關的新型物/液位測量產(chǎn)品,保護電極的存在，檢測電路將檢測電極和保護電極的信號進行比較，從而實現(xiàn)克服...

摘要508-45-717射頻導納物位計AMETEK的結構分為主電極和補償電極兩部分,在主電極與補償電極間分別施加一組RF射頻信號，具有很好的抗粘料、掛料特性，是取代電容料位開關的新型物/液位測量產(chǎn)品,保護電極的存在，檢測電路將檢測電極和保護電極的信號進行比較，從而實現(xiàn)克服...

摘要508-46-913射頻導納物位計AMETEK的結構分為主電極和補償電極兩部分,在主電極與補償電極間分別施加一組RF射頻信號，具有很好的抗粘料、掛料特性，是取代電容料位開關的新型物/液位測量產(chǎn)品,保護電極的存在，檢測電路將檢測電極和保護電極的信號進行比較，從而實現(xiàn)克服...

摘要508-46-909射頻導納物位計AMETEK的結構分為主電極和補償電極兩部分,在主電極與補償電極間分別施加一組RF射頻信號，具有很好的抗粘料、掛料特性，是取代電容料位開關的新型物/液位測量產(chǎn)品,保護電極的存在，檢測電路將檢測電極和保護電極的信號進行比較，從而實現(xiàn)克服...

摘要508-46-907射頻導納物位計AMETEK的結構分為主電極和補償電極兩部分,在主電極與補償電極間分別施加一組RF射頻信號，具有很好的抗粘料、掛料特性，是取代電容料位開關的新型物/液位測量產(chǎn)品,保護電極的存在，檢測電路將檢測電極和保護電極的信號進行比較，從而實現(xiàn)克服...