電子元器件所包括的產(chǎn)品居多，為了能夠更清晰的分辨電子元器件，因此會(huì)有一定的識(shí)別方法。同時(shí)，在使用中難免會(huì)出現(xiàn)一些問(wèn)題，一旦設(shè)備出現(xiàn)問(wèn)題，就需要通過(guò)相關(guān)的技術(shù)來(lái)進(jìn)行檢測(cè)。接下來(lái)就來(lái)針對(duì)電子元器件識(shí)別與檢測(cè)技術(shù)進(jìn)行詳細(xì)的分析。
電子元器件識(shí)別
電阻——電阻在電路中用“R”加數(shù)字表示，如：R15表示編號(hào)為15的電阻。電阻在電路中的主要作用為分流、限流、分壓、偏置、濾波（與電容器組合使用）和阻抗匹配等。
1、參數(shù)識(shí)別：電阻的單位為歐姆（Ω），倍率單位有：千歐（KΩ），兆歐（MΩ）等。換算方法是：1兆歐=1000千歐=1000000歐
電阻的參數(shù)標(biāo)注方法有3種，即直標(biāo)法、色標(biāo)法和數(shù)標(biāo)法。
a、數(shù)標(biāo)法主要用于貼片等小體積的電路，如：
472表示47×102Ω（即4.7K）； 104則表示100K
b、色環(huán)標(biāo)注法使用zui多，現(xiàn)舉例如下：
四色環(huán)電阻                     五色環(huán)電阻（精密電阻）
電容——電容在電路中一般用“C”加數(shù)字表示（如C25表示編號(hào)為25的電容）。電容是由兩片金屬膜緊靠，中間用絕緣材料隔開(kāi)而組成的元件。電容的特性主要是隔直流通交流。
檢測(cè)技術(shù)解析
開(kāi)展電子元器件失效分析，需要采用一些*的分析測(cè)試技術(shù)和儀器。首先可以通過(guò)光學(xué)顯微鏡分析技術(shù)：立體顯微鏡放大倍數(shù)小，但景深大；金相顯微鏡放大倍數(shù)大，從幾十倍到一千多倍，但景深小。把這兩種顯微鏡結(jié)合使用，可觀測(cè)到器件的外觀，以及失效部位的表面形狀、分布、尺寸、組織、結(jié)構(gòu)和應(yīng)力等。
其次則可以采用紅外分析技術(shù)。紅外顯微鏡的結(jié)構(gòu)和金相顯微鏡相似。但它采用的是近紅外（波長(zhǎng)為01 75~ 3微米）光源，并用紅外變像管成像。由于鍺、硅等半導(dǎo)體材料及薄金屬層對(duì)紅外輻射是透明的。利用它，不剖切器件的芯片也能觀察芯片內(nèi)部的缺陷及焊接情況等。它還特別適于作塑料封裝半導(dǎo)體器件的失效分析。
電子元器件識(shí)別與檢測(cè)技術(shù)分析就介紹到這里。其相關(guān)的識(shí)別方法以及更具體的標(biāo)識(shí)不妨可以到易容網(wǎng)的專版文章進(jìn)行了解。
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