半導(dǎo)體材料電阻性能測(cè)試儀
型號(hào)AODD-8
DL10-8型數(shù)字式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用四探針測(cè)量原理的多用途綜合測(cè)量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測(cè)試方法國家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的,于測(cè)試半導(dǎo)體材料電阻率及方塊電阻(薄層電阻)的儀器。
儀器由主機(jī)、測(cè)試臺(tái)、四探針探頭、計(jì)算機(jī)等部分組成,測(cè)量數(shù)據(jù)既可由主機(jī)直接顯示,亦可由計(jì)算機(jī)控制測(cè)試采集測(cè)試數(shù)據(jù)到計(jì)算機(jī)中加以分析,然后以表格,圖形方式統(tǒng)計(jì)分析顯示測(cè)試結(jié)果。
儀器采用了電子技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)、裝配。具有功能選擇直觀、測(cè)量取數(shù)快、精度高、測(cè)量范圍寬、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、易操作等特點(diǎn)。
本儀器適用于半導(dǎo)體材料廠、半導(dǎo)體器件廠、科研單位、高等院校對(duì)半導(dǎo)體材料的電阻性能測(cè)試。
DL10-8型數(shù)字式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用四探針測(cè)量原理的多用途綜合測(cè)量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測(cè)試方法國家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的,于測(cè)試半導(dǎo)體材料電阻率及方塊電阻(薄層電阻)的儀器。
儀器由主機(jī)、測(cè)試臺(tái)、四探針探頭、計(jì)算機(jī)等部分組成,測(cè)量數(shù)據(jù)既可由主機(jī)直接顯示,亦可由計(jì)算機(jī)控制測(cè)試采集測(cè)試數(shù)據(jù)到計(jì)算機(jī)中加以分析,然后以表格,圖形方式統(tǒng)計(jì)分析顯示測(cè)試結(jié)果。
儀器采用了電子技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)、裝配。具有功能選擇直觀、測(cè)量取數(shù)快、精度高、測(cè)量范圍寬、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、易操作等特點(diǎn)。
本儀器適用于半導(dǎo)體材料廠、半導(dǎo)體器件廠、科研單位、高等院校對(duì)半導(dǎo)體材料的電阻性能測(cè)試。
技 術(shù) 指 標(biāo):
測(cè)量范圍電阻率:10-4~105Ω.cm(可擴(kuò)展);
方塊電阻:10-3~106Ω/□(可擴(kuò)展);
電導(dǎo)率:10-5~104s/cm;
電阻:10-4~105Ω;





































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