JKZC-ST4型數(shù)字式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用四探針測(cè)量原理測(cè)試電阻率/方阻的多用途綜合測(cè)量?jī)x器。
儀器具有測(cè)量精度高、靈敏度高、穩(wěn)定性好、智能化程度高、測(cè)量簡(jiǎn)便、結(jié)構(gòu)緊湊、使用方便等特點(diǎn)。
JKZC-ST4型半導(dǎo)體材料數(shù)字式四探針測(cè)試儀
關(guān)鍵詞：電阻，電阻率，四探針，半導(dǎo)體
一、產(chǎn)品概述
JKZC-ST4型數(shù)字式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用四探針測(cè)量原理測(cè)試電阻率/方阻的多用途綜合測(cè)量?jī)x器。該儀器設(shè)計(jì)符合GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測(cè)定方法》、GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直流四探針?lè)ā凡⒖济绹?guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。
儀器具有測(cè)量精度高、靈敏度高、穩(wěn)定性好、智能化程度高、測(cè)量簡(jiǎn)便、結(jié)構(gòu)緊湊、使用方便等特點(diǎn)。
儀器適用于半導(dǎo)體材料廠器件廠、科研單位、高等院校對(duì)導(dǎo)體、半導(dǎo)體、類半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性能的測(cè)試。
二、符合：
1、符合GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測(cè)定方法》、
2、符合GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直流四探針?lè)ā?/span>
3、符合美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)
二、產(chǎn)品應(yīng)用：
1、測(cè)試硅類半導(dǎo)體、金屬、導(dǎo)電塑料類等硬質(zhì)材料的電阻率/方阻；
2、可測(cè)柔性材料導(dǎo)電薄膜電阻率/方阻
3、金屬涂層或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上導(dǎo)電膜（ITO膜）電阻率/方阻
4、納米涂層等半導(dǎo)體材料的電阻率/方阻
5、電阻器體電阻、金屬導(dǎo)體的低、中值電阻以及開(kāi)關(guān)類接觸電阻進(jìn)行測(cè)量
6、可測(cè)試電池極片等箔上涂層電阻率方阻
二、基本技術(shù)參數(shù)
1、 測(cè)量范圍
電 阻：1×10-4～2×105 Ω ，分辨率：1×10-5～1×102 Ω
電阻率：1×10-4～2×105 Ω-cm，分辨率：1×10-5～1×102 Ω-cm
方 阻：5×10-4～2×105 Ω/□，分辨率：5×10-5～1×102 Ω/□
靜壓電系數(shù)：0-2000PC/N（另配）
2、測(cè)量方式：自動(dòng)或手動(dòng)
3、基本精度：±0.1/%
4、四探針探頭：
(1)碳化鎢探針：Φ0.5mm，直線探針間距1.0mm，探針壓力: 0～2kg 可調(diào)
(2)薄膜方阻探針：Φ0.7mm，直線或方形探針間距2.0mm，探針壓力: 0～0.6kg 可
5. 電源：198V －242V(AC），47.5Hz －63Hz
6、操作環(huán)境： 0°C －40°C ，≤90%RH
7、外形尺寸：200mm（長(zhǎng)）×220 mm（寬）×100mm（高）
8、數(shù)據(jù)傳輸方式；USB
9、軟件方式：人性化分析軟件界面，數(shù)據(jù)自動(dòng)生成
10、可以配合壓電材料的靜壓電d33系數(shù):0-2000PC/N
分析軟件（一）
