電容元件的識別與應(yīng)用如下：

*：電容器的檢測  

電容器的主要故障是：擊穿、短路、漏電、容量減小、變質(zhì)及破損等。  

一.外觀檢查  

觀察外表應(yīng)該完好無損，表面無裂口、污垢和腐蝕，標志應(yīng)清晰，引出電極無折傷；對可調(diào)電容器應(yīng)轉(zhuǎn)動靈活，動定片間無碰、擦現(xiàn)象，各聯(lián)間轉(zhuǎn)動應(yīng)同步等。  

二.測試漏電電阻  

用萬用表歐姆檔（R×100或R×1k檔），將表筆接觸到電容的兩引線。剛搭上時，表頭指針將發(fā)生擺動，然后再逐漸返回趨向R＝∞處，這就是電容的充放電現(xiàn)象（對0.1μF以下的電容器觀察不到此現(xiàn)象）。指針的擺動越大就容量越大，指針穩(wěn)定后所指示的值就是漏電電阻值。其值一般為幾百到幾千兆歐，阻值越大，電容器的絕緣性能會越好。檢測時，如果表頭指針指到或靠近歐姆零點，說明電容器內(nèi)部短路，若指針不動，始終指向R＝∞處，則說明電容器內(nèi)部開路或失效。   

5000pF以上的電容器可用萬用表電阻檔判別，5000pF以下的小容量電容器應(yīng)另采用專門測量儀器判別。 

 貼片電容內(nèi)部結(jié)構(gòu)簡介：

  貼片電容主要包括三大部分：陶瓷介質(zhì)、內(nèi)電極、端電極.其中陶瓷介質(zhì)的主要作用是在電場作用下，極化介電儲能。當電場變化時極化率相應(yīng)發(fā)生變化時，由于不同介質(zhì)種類的主要極化類型不同，其對電場變化的響應(yīng)速度和極化率也不相同。

  電極分為內(nèi)電極與端電極。其中內(nèi)電極位于貼片電容器內(nèi)部，主要提供電極板正對面積，它與介質(zhì)一般是交替疊放。

  貼片電容是一種小型電容器，它的封裝規(guī)格有0201 0402 0603 0805 1206等幾種，材質(zhì)有X7R Z5U Y5V NPO四種，較常用的是X7R與NPO材質(zhì)說明可關(guān)注我其它文章。

  今天我們講解貼片電容M檔與Z檔的區(qū)別首先我們要知道M與Z的意思，其中M代表±20%的容量誤差，Z代表正80%負20%的容量誤差。

  例：0805 10uf電容，如果M檔則表示誤差在8uf-12uf之間浮動，Z檔則為8uf-18uf之間浮動。

   貼片電容簡介：

  全稱：多層（積層、疊層）片式陶瓷電容器，也稱為貼片電容、片容，英文縮寫：MLCC

  主要規(guī)格尺寸，按英制標準分為：02010402060308051206以及大規(guī)格的1210180818122220222530123035等。

  容量范圍：0.5pF100uF其中，一般認為容量在1uF以上為大容量電容。

  額定電壓：從4V4KVDC當額定電壓在100V及以上時，即歸納為中壓產(chǎn)品。

  片式電容的穩(wěn)定性及容量精度與其采用的介質(zhì)資料存在對應(yīng)關(guān)系，主要分為三大類別。

   貼片電容0805系列厚度一般為0.85或者1.25，但是我司可制造1.0特殊厚度，如有需要請?zhí)崆邦A(yù)訂。

  貼片電容介質(zhì)是以COG/NPO為I類介質(zhì)的頻電容器，其溫度系數(shù)為±30ppm/℃，電容量非常穩(wěn)定，幾乎不隨溫度、電壓和時間的變化而變化，主要應(yīng)用于 高頻電子線路，如振蕩、計時電路等;其容量精度主要為±5，以及在容量低于10pF時，可選用B檔(±0.1pF)、C檔(±0.25pF)、D檔 (±0.5pF)三種精度。

 以X7R為II類介質(zhì)的中頻電容器，其溫度系數(shù)為±15，電容量相對穩(wěn)定，適用于各種旁路、耦合、濾波電路等，其容量精度主要為K檔(±10)。特殊情況下，可提供J檔(±5)精度的產(chǎn)品。

 不同品種的電容器，使用頻率不同。小型云母電容器在250MHZ以內(nèi);圓片型瓷介電容器為300MHZ;圓管型瓷介電容器為200MHZ;圓盤型瓷介可達3000MHZ;小型紙介電容器為80MHZ;中型紙介電容器只有8MHZ。

  以Y5V為III類介質(zhì)的低頻電容器，其溫度系數(shù)為：+30～-80，電容量受溫度、電壓、時間變化較大，一般只適用于各種濾波電路中。其容量精度主要為Z檔(+80～-20)，也可選擇±20精度的產(chǎn)品。

   貼片電容介質(zhì)強度表征的是介質(zhì)材料承受高強度電場作用而不被電擊穿的能力,通常用伏特/密爾(V/mil)或伏特/厘米(V/cm)表示. 當外電場強度達到某一臨界值時,材料晶體點陣中的電子克服電荷恢復(fù)力的束縛并出現(xiàn)場致電子發(fā)射,產(chǎn)生出足夠多的自由電子相互碰撞導(dǎo)致雪崩效應(yīng),進而導(dǎo)致突發(fā)擊穿電流擊穿介質(zhì),使其失效.除此之外,介質(zhì)失效還有另一種模式,高壓負荷下產(chǎn)生的熱量會使介質(zhì)材料的電阻率降低到某一程度,如果在這個程度上延續(xù)足夠長的時間,將會在介質(zhì)較薄弱的部位上產(chǎn)生漏電流.這種模式與溫度密切相關(guān),介質(zhì)強度隨溫度提高而下降.

  任何絕緣體的本征介質(zhì)強度都會因為材料微結(jié)構(gòu)中物理缺陷的存在而出現(xiàn)下降,而且和絕緣電阻一樣,介質(zhì)強度也與幾何尺寸密切相關(guān).由于材料體積增大會導(dǎo)致缺陷隨機出現(xiàn)的概率增大,因此介質(zhì)強度反比于介質(zhì)層厚度.類似地,介質(zhì)強度反比于片式電容器內(nèi)部電極層數(shù)和其物理尺寸.基於以上考慮,進行片式電容器留邊量設(shè)計時需要確保在使用過程中和在進行耐壓測試(一般為其工作電壓的2.5倍)時,不發(fā)生擊穿失效. 介質(zhì)強度

  正確選擇一顆貼片電容時，除了要提供其規(guī)格尺寸及容量大小外，還必須特別注意到電路對這顆片式電容的溫度系數(shù)、額定電壓等參數(shù)的要求。貼片電容標準命名方法及定義：貼片電容的命名，國內(nèi)和國外的產(chǎn)家有一此區(qū)別但所包含的參數(shù)是一樣的。