星際金華熱賣*STF22NM60N N溝道場效應晶體管  進口*  量大價優(yōu)  質量有保證

深圳市星際金華*STF22NM60N N溝道場效應晶體管  原廠直銷   貨源充足   現(xiàn)貨出售可提供樣品

說明：這些設備使用第二代MDmesh™技術制造。這一革命性的功率MOSFET將新的垂直結構與公司的帶狀布局相結合，從而產(chǎn)生世界上低的導通電阻和柵極電荷之一。因此，它適用于要求苛刻的高效轉換器。

主要特點
100％雪崩測試
低輸入電容和柵極電荷
低柵極輸入電阻

規(guī)格參數(shù)值

FET 類型 N 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 600V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 16A（Tc）

驅動電壓（大 Rds On，小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（大值） 220 毫歐 @ 8A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（大值） 4V @ 100µA

不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（大值） 44nC @ 10V

Vgs（大值） ±30V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（大值） 1300pF @ 50V

FET 功能 -

功率耗散（大值） 30W（Tc）

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型 通孔

供應商器件封裝 TO-220FP

封裝/外殼 TO-220-3 整包

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