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描述
所述STM32F303xD / E系列基于高性能ARM ®皮質(zhì)® -M4 32位RISC核心與FPU操作在72兆赫的頻率，和嵌入浮點單元（FPU），存儲器保護單元（MPU）和嵌入式跟蹤宏單元（ETM）。該系列包含高速嵌入式存儲器（512 KB閃存，80 KB SRAM），用于靜態(tài)存儲器（SRAM，PSRAM，NOR和NAND）的靈活存儲器控制器（FSMC）以及廣泛的增強型I / O和外圍設(shè)備連接到AHB和兩個APB總線。
這些器件提供4個快速12位ADC（5 Msps），7個比較器，4個運算放大器，2個DAC通道，1個低功耗RTC，多5個通用16位定時器，1個通用32位定時器以及三個致力于電機控制的定時器。它們還具有標(biāo)準(zhǔn)和高級通信接口：多三個I 2 C，多四個SPI（兩個SPI具有多路復(fù)用全雙工I 2 S），三個USART，多兩個UART，CAN和USB。為實現(xiàn)音頻類精度，I 2 S外設(shè)可通過外部PLL提供時鐘。
STM32F303xD / E系列工作在-40至+ 85°C和-40至+ 105°C溫度范圍，工作電壓為2.0至3.6 V. 一套全面的省電模式允許設(shè)計低功耗應(yīng)用。
STM32F303xD / E系列提供64至144引腳的不同封裝。

規(guī)格

核心處理器 ARM® Cortex®-M4

核心尺寸 32-位

速度 72MHz

連接性 CANbus，I²C，IrDA，LIN，SPI，UART/USART，USB

外設(shè) DMA，I²S，POR，PWM，WDT

I/O 數(shù) 26

程序存儲容量 384KB（384K x 8）

程序存儲器類型 閃存

EEPROM 容量 -

RAM 容量 80K x 8

電壓 - 電源（Vcc/Vdd） 2V ~ 3.6V

數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器 A/D 22x12b; D/A 2x12b

振蕩器類型 內(nèi)部

工作溫度 -40°C ~ 85°C（TA）

安裝類型 表面貼裝

封裝/外殼 64-LQFP

供應(yīng)商器件封裝 64-LQFP（10x10）

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