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特征
用于低R DS（on）的*溝槽技術(shù)延長電池壽命
-1.8 V額定低壓柵極驅(qū)動• SC-70表面貼裝，適用于小尺寸（2 x 2 mm）
可提供無鉛封裝

規(guī)格

FET 類型 P 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 8V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 1.4A（Ta）
驅(qū)動電壓（大 Rds On，小 Rds On） 1.8V，4.5V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（大值） 100 毫歐 @ 1A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（大值） 700mV @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（大值） 6.4nC @ 5V
Vgs（大值） ±8V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（大值） 640pF @ 8V
FET 功能 -
功率耗散（大值） 290mW（Ta）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 SC-70-3（SOT323）
封裝/外殼 SC-70，SOT-323

應用
高側(cè)負載開關(guān)
充電電路
單細胞電池應用，如手機，數(shù)碼相機，PDA等

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