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GH-PTF 2004D 昆山國華電子帶您進(jìn)入等離子體刻蝕-中大型PLC

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面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 型號(hào)GH-PTF2004D
  • 品牌Siemens/西門子
  • 所在地蘇州市
  • 更新時(shí)間2019-08-28
  • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
  • 所在地區(qū)蘇州市
  • 實(shí)名認(rèn)證已認(rèn)證
  • 產(chǎn)品數(shù)量112
  • 人氣值7077
產(chǎn)品標(biāo)簽

等離子刻蝕昆山國華電子

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昆山國華電子科技有限公司是一家集等離子技術(shù)研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和推廣于一體的高科技公司:秉承“服務(wù)創(chuàng)造價(jià)值、技術(shù)成就未來”的宗旨,為客戶提供表面處理領(lǐng)域的整體解決方案。

      公司由多名*從事等離子體技術(shù)應(yīng)用研究,設(shè)備制造和銷售的業(yè)內(nèi)人事創(chuàng)建。核心技術(shù)發(fā)展于歐洲,同時(shí)充分借鑒歐美的*技術(shù),并通過與國內(nèi)外研發(fā)機(jī)構(gòu)合作,整合各行業(yè)的資源優(yōu)勢,生產(chǎn)出多系列具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的高性能的等離子體處理系統(tǒng)。集團(tuán)合作團(tuán)隊(duì)包括 EUROPLASMA、PSM等,應(yīng)用領(lǐng)域涉及電子、光電、汽車、塑膠、紡織、生物、醫(yī)療、化工、日用品及家電等行業(yè)。

      公司成立以來已為眾多企業(yè)、大學(xué)院校、研究機(jī)構(gòu)提供等離子體處理設(shè)備和解決方案。售前可免費(fèi)提供試樣和方案認(rèn)證,以竭誠服務(wù)各領(lǐng)域科研項(xiàng)目為公司的宗旨。

      我們倡導(dǎo)技術(shù)創(chuàng)新,充分發(fā)揮新技術(shù)在企業(yè)經(jīng)營中的主導(dǎo)作用,以滿足客戶的個(gè)性化需求為己任,為客戶提供與等離子處理系統(tǒng)相關(guān)技術(shù)的支持與服務(wù),致力于成為*的行業(yè)*!

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昆山國華電子帶您進(jìn)入等離子體刻蝕:
其等離子表面處理,能夠改善材料表面的潤濕能力,使多種材料能夠進(jìn)行涂覆、涂鍍等操作,增強(qiáng)粘合力、鍵合力,同時(shí)去除有機(jī)污染物、油污或油脂。等離子刻蝕,是王法刻蝕中較常見的一種形式,其原理是暴露在電子區(qū)域的氣體形成等離子體,由此產(chǎn)生的電離氣體和釋放高能電子組成的氣體,形成了等離子或離子,電離氣體原子通過電場加速時(shí),會(huì)釋放足夠的力里與表面驅(qū)逐力緊緊粘合材料或蝕刻表面。
昆山國華電子帶您進(jìn)入等離子體刻蝕-中大型PLC 產(chǎn)品詳情

昆山國華電子帶您進(jìn)入等離子體刻蝕

等離子體刻蝕(也稱干法刻蝕)是集成電路制造中的關(guān)鍵工藝之一,其目的是完整地將掩膜圖形復(fù)制到硅片表面, 其范圍涵蓋前端cMos柵極(Gate) 大小的控制, 以及后端金屬鋁的刻蝕及Via和Trench的刻蝕。在今天沒有一個(gè)集成電路芯片能在缺乏等離子體刻蝕技術(shù)情況下完成??涛g設(shè)備的投資在整個(gè)芯片廠的設(shè)備投資中約占10%~12%比重,它的工藝水平將直接影響到終產(chǎn)品質(zhì)量及生產(chǎn)技術(shù)的*性。

    早報(bào)道等離子體刻蝕的技術(shù)文獻(xiàn)于1973年在日本發(fā)表,并很快引起了工業(yè)界的重視。至今還在集成電路制造中廣泛應(yīng)用的平行電極刻蝕反應(yīng)室(Reactive Ion Etch-RIE) 是在1974年提出的設(shè)想。

等離子刻蝕的原理可以概括為以下幾個(gè)步驟:
    ●在低壓下,反應(yīng)氣體在射頻功率的激發(fā)下,產(chǎn)生電離并形成等離子體,等離子體是由帶電的電子和離子組成,反應(yīng)腔體中的氣體在電子的撞擊下,除了轉(zhuǎn)變成離子外,還能吸收能量并形成大量的活性基團(tuán)(Radicals)
    活性反應(yīng)基團(tuán)和被刻蝕物質(zhì)表面形成化學(xué)反應(yīng)并形成揮發(fā)性的反應(yīng)生成物
    反應(yīng)生成物脫離被刻蝕物質(zhì)表面,并被真空系統(tǒng)抽出腔體。
    在平行電極等離子體反應(yīng)腔體中,被刻蝕物是被置于面積較小的電極上,在這種情況,一個(gè)直流偏壓會(huì)在等離子體和該電極間形成,并使帶正電的反應(yīng)氣體離子加速撞擊被刻蝕物質(zhì)表面,這種離子轟擊可大大加快表面的化學(xué)反應(yīng),及反應(yīng)生成物的脫附,從而導(dǎo)致很高的刻蝕速率,正是由于離子轟擊的存在才使得各向異性刻蝕得以實(shí)現(xiàn)。
    自從初的平行電極型等離子體反應(yīng)室被用于芯片制造以來,隨著芯片尺寸的不斷擴(kuò)大及圖形尺寸的不斷減小,平行電極等離子刻蝕設(shè)備在過去20年中已得到了很大的改進(jìn),雖然其原理還是一樣,但大的改進(jìn)在反應(yīng)腔室周圍加上磁場(Magnetic Enhanced RIE, M ERIE) 。由于電子在磁場和電場的共同作用下將作圓柱狀回旋運(yùn)動(dòng)而不是電場下的直線運(yùn)動(dòng),磁場的存在將直接導(dǎo)致反應(yīng)氣體電離截面的增加,磁場的引進(jìn)會(huì)增強(qiáng)離子密度,并使得等離子刻蝕技術(shù)可以在更低氣壓下得以運(yùn)用(<10mT)。由于離子密度的增加,撞擊表面的離子能量也可以在不降低刻蝕速率的情況下被降低,從而提高刻蝕選擇比。

昆山國華電子帶您進(jìn)入等離子體刻蝕
    當(dāng)被刻蝕的線條寬小于0.25mm時(shí), M ERIE在控制刻蝕性能遇到了挑戰(zhàn), 于是電感耦合等離子刻蝕(Inductive Coupled Plasma-ICP) 便應(yīng)運(yùn)而生。ICP反應(yīng)室是在RIE反應(yīng)室的上方加置線圈狀的電極, 并通過電感耦合達(dá)到增強(qiáng)等離子密度的效果。目前在芯片生產(chǎn)中的導(dǎo)電體刻蝕基本上都采用ICP反應(yīng)腔體技術(shù), 其優(yōu)點(diǎn)是可以用上下兩組電極分別控制離子的密度和能量以達(dá)到優(yōu)化的組合, 這也是延RIE系統(tǒng)所*的。
隨著集成電路小尺寸不斷減小、集成度的不斷提高以及硅單晶襯底尺寸的擴(kuò)大,對刻蝕設(shè)備的要求也越來越高。除了能提供高質(zhì)量的刻蝕性能外,還要求刻蝕設(shè)備在大規(guī)模量產(chǎn)中能保證*的穩(wěn)定性、極低的缺陷率。
    刻蝕設(shè)備制造商也在不斷地優(yōu)化其產(chǎn)品以滿足前端研發(fā)的要求。就現(xiàn)有的理論研究及生產(chǎn)需要,新一代刻蝕設(shè)備將會(huì)具有以下幾項(xiàng)特點(diǎn),以滿足芯片生產(chǎn)技術(shù)進(jìn)一步發(fā)展的需要。
    精確的工藝參數(shù)調(diào)節(jié)及控制系統(tǒng);
反應(yīng)腔內(nèi)部材料進(jìn)一步改善或新型材料的運(yùn)用及自動(dòng)清潔系統(tǒng);
*的探測系統(tǒng)及容易操作的控制軟件平臺(tái):
在線檢測及隨時(shí)控制調(diào)節(jié)系統(tǒng)運(yùn)用。

 

關(guān)鍵詞:控制系統(tǒng)
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