昆山國華等離子清洗機改變氮化硅層性能

真空等離子清洗機的刻蝕工藝在半導(dǎo)體集成電路中，既可以刻蝕表層的光刻膠，也能夠刻蝕下層的氮化硅層，通過對真空等離子清洗機的部分參數(shù)調(diào)整，是能夠形成一定的氮化硅層形貌，即側(cè)壁蝕刻傾斜度。???
1 氮化硅材料特點

氮化硅（Si3N4）是目前炙手可熱的新材料之一，具有密度小、硬度大、彈性模量高、熱穩(wěn)定性好等特點，在諸多領(lǐng)域都有應(yīng)用。在晶圓制造中，氮化硅可替代氧化硅使用，因其硬度高，可在晶圓表面形成非常薄的氮化硅薄膜（在硅片加工中，應(yīng)用為廣泛的描述薄膜厚度的單位是埃），厚度約在數(shù)十埃，保護表面，避免劃傷，此外其突出的絕緣強度和抗氧化能力也能夠很好地達(dá)到隔離的效果。氮化硅的不足在于，其流動性不如氧化物，難以刻蝕，采用等離子刻蝕可以克服刻蝕上的難點。2 等離子體刻蝕原理和應(yīng)用

等離子刻蝕是通過化學(xué)作用或者物理作用，或者物理和化學(xué)共同作用來實現(xiàn)的。反應(yīng)腔室內(nèi)的氣體輝光放電，包括離子、電子及游離基等活性物質(zhì)的等離子體，通過擴散作用吸附到介質(zhì)表面，與介質(zhì)表面原子發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，形成揮發(fā)性物質(zhì)。同時高能離子在一定壓力下對介質(zhì)表面進行物理轟擊和刻蝕，去除再沉積的反應(yīng)產(chǎn)物和聚合物。通過化學(xué)和物理的共同作用來完成對介質(zhì)層的刻蝕?？涛g作為晶圓制造工藝中重要的一種，是微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當(dāng)重要的步驟，一般在光刻膠涂布和光刻顯影之后，以光刻膠作為掩膜，通過物理濺射和化學(xué)作用將不需要的金屬去除，其目的是為了形成與光刻膠圖形相同的線路圖形。等離子刻蝕是主流的干式刻蝕，因其具有較好的刻蝕速率以及良好的方向性，目前已逐漸替代濕法刻蝕。

3 形成氮化硅側(cè)壁蝕刻傾斜度的影響參數(shù)

真空等離子清洗機的刻蝕工藝在半導(dǎo)體集成電路中，既可以刻蝕表層的光刻膠，也能夠刻蝕下層的氮化硅層，同時還需防止對硅襯底有刻蝕損傷，為達(dá)到多項精確的工藝要求。在我們?nèi)舾蓪嶒灉y試中發(fā)現(xiàn)，改變真空等離子清洗機的部分參數(shù)，不僅達(dá)到上述的刻蝕要求，同時能夠形成一定氮化硅層的形貌，即側(cè)壁蝕刻傾斜度。

昆山國華等離子清洗機改變氮化硅層性能

其意義在于，當(dāng)?shù)鑲?cè)壁具有一定的傾斜度，能夠有效降低金屬鍍膜層在階梯覆蓋時出現(xiàn)斷裂的幾率，從而改善集成電路中工藝金屬線路內(nèi)部斷裂的問題。

1 氮化硅材料特點

氮化硅（Si3N4）是目前炙手可熱的新材料之一，具有密度小、硬度大、彈性模量高、熱穩(wěn)定性好等特點，在諸多領(lǐng)域都有應(yīng)用。在晶圓制造中，氮化硅可替代氧化硅使用，因其硬度高，可在晶圓表面形成非常薄的氮化硅薄膜（在硅片加工中，應(yīng)用為廣泛的描述薄膜厚度的單位是埃），厚度約在數(shù)十埃，保護表面，避免劃傷，此外其突出的絕緣強度和抗氧化能力也能夠很好地達(dá)到隔離的效果。氮化硅的不足在于，其流動性不如氧化物，難以刻蝕，采用等離子刻蝕可以克服刻蝕上的難點。

2 等離子體刻蝕原理和應(yīng)用

等離子刻蝕是通過化學(xué)作用或者物理作用，或者物理和化學(xué)共同作用來實現(xiàn)的。反應(yīng)腔室內(nèi)的氣體輝光放電，包括離子、電子及游離基等活性物質(zhì)的等離子體，通過擴散作用吸附到介質(zhì)表面，與介質(zhì)表面原子發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，形成揮發(fā)性物質(zhì)。同時高能離子在一定壓力下對介質(zhì)表面進行物理轟擊和刻蝕，去除再沉積的反應(yīng)產(chǎn)物和聚合物。通過化學(xué)和物理的共同作用來完成對介質(zhì)層的刻蝕。

刻蝕作為晶圓制造工藝中重要的一種，是微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當(dāng)重要的步驟，一般在光刻膠涂布和光刻顯影之后，以光刻膠作為掩膜，通過物理濺射和化學(xué)作用將不需要的金屬去除，其目的是為了形成與光刻膠圖形相同的線路圖形。等離子刻蝕是主流的干式刻蝕，因其具有較好的刻蝕速率以及良好的方向性，目前已逐漸替代濕法刻蝕。

3 形成氮化硅側(cè)壁蝕刻傾斜度的影響參數(shù)

真空等離子清洗機的刻蝕工藝在半導(dǎo)體集成電路中，既可以刻蝕表層的光刻膠，也能夠刻蝕下層的氮化硅層，同時還需防止對硅襯底有刻蝕損傷，為達(dá)到多項精確的工藝要求。在我們?nèi)舾蓪嶒灉y試中發(fā)現(xiàn)，改變真空等離子清洗機的部分參數(shù)，不僅達(dá)到上述的刻蝕要求，同時能夠形成一定氮化硅層的形貌，即側(cè)壁蝕刻傾斜度。

其意義在于，當(dāng)?shù)鑲?cè)壁具有一定的傾斜度，能夠有效降低金屬鍍膜層在階梯覆蓋時出現(xiàn)斷裂的幾率，從而改善集成電路中工藝金屬線路內(nèi)部斷裂的問題。如下所示是氮化硅側(cè)壁垂直和具有一定傾斜度的示意圖：

1 氮化硅材料特點

氮化硅（Si3N4）是目前炙手可熱的新材料之一，具有密度小、硬度大、彈性模量高、熱穩(wěn)定性好等特點，在諸多領(lǐng)域都有應(yīng)用。在晶圓制造中，氮化硅可替代氧化硅使用，因其硬度高，可在晶圓表面形成非常薄的氮化硅薄膜（在硅片加工中，應(yīng)用為廣泛的描述薄膜厚度的單位是埃），厚度約在數(shù)十埃，保護表面，避免劃傷，此外其突出的絕緣強度和抗氧化能力也能夠很好地達(dá)到隔離的效果。氮化硅的不足在于，其流動性不如氧化物，難以刻蝕，采用等離子刻蝕可以克服刻蝕上的難點。

2 等離子體刻蝕原理和應(yīng)用

等離子刻蝕是通過化學(xué)作用或者物理作用，或者物理和化學(xué)共同作用來實現(xiàn)的。反應(yīng)腔室內(nèi)的氣體輝光放電，包括離子、電子及游離基等活性物質(zhì)的等離子體，通過擴散作用吸附到介質(zhì)表面，與介質(zhì)表面原子發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，形成揮發(fā)性物質(zhì)。同時高能離子在一定壓力下對介質(zhì)表面進行物理轟擊和刻蝕，去除再沉積的反應(yīng)產(chǎn)物和聚合物。通過化學(xué)和物理的共同作用來完成對介質(zhì)層的刻蝕。

刻蝕作為晶圓制造工藝中重要的一種，是微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當(dāng)重要的步驟，一般在光刻膠涂布和光刻顯影之后，以光刻膠作為掩膜，通過物理濺射和化學(xué)作用將不需要的金屬去除，其目的是為了形成與光刻膠圖形相同的線路圖形。等離子刻蝕是主流的干式刻蝕，因其具有較好的刻蝕速率以及良好的方向性，目前已逐漸替代濕法刻蝕。

3 形成氮化硅側(cè)壁蝕刻傾斜度的影響參數(shù)

真空等離子清洗機的刻蝕工藝在半導(dǎo)體集成電路中，既可以刻蝕表層的光刻膠，也能夠刻蝕下層的氮化硅層，同時還需防止對硅襯底有刻蝕損傷，為達(dá)到多項精確的工藝要求。在我們?nèi)舾蓪嶒灉y試中發(fā)現(xiàn)，改變真空等離子清洗機的部分參數(shù)，不僅達(dá)到上述的刻蝕要求，同時能夠形成一定氮化硅層的形貌，即側(cè)壁蝕刻傾斜度。

其意義在于，當(dāng)?shù)鑲?cè)壁具有一定的傾斜度，能夠有效降低金屬鍍膜層在階梯覆蓋時出現(xiàn)斷裂的幾率，從而改善集成電路中工藝金屬線路內(nèi)部斷裂的問題。如下所示是氮化硅側(cè)壁垂直和具有一定傾斜度的示意圖：

1 氮化硅材料特點

氮化硅（Si3N4）是目前炙手可熱的新材料之一，具有密度小、硬度大、彈性模量高、熱穩(wěn)定性好等特點，在諸多領(lǐng)域都有應(yīng)用。在晶圓制造中，氮化硅可替代氧化硅使用，因其硬度高，可在晶圓表面形成非常薄的氮化硅薄膜（在硅片加工中，應(yīng)用為廣泛的描述薄膜厚度的單位是埃），厚度約在數(shù)十埃，保護表面，避免劃傷，此外其突出的絕緣強度和抗氧化能力也能夠很好地達(dá)到隔離的效果。氮化硅的不足在于，其流動性不如氧化物，難以刻蝕，采用等離子刻蝕可以克服刻蝕上的難點。

2 等離子體刻蝕原理和應(yīng)用

等離子刻蝕是通過化學(xué)作用或者物理作用，或者物理和化學(xué)共同作用來實現(xiàn)的。反應(yīng)腔室內(nèi)的氣體輝光放電，包括離子、電子及游離基等活性物質(zhì)的等離子體，通過擴散作用吸附到介質(zhì)表面，與介質(zhì)表面原子發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，形成揮發(fā)性物質(zhì)。同時高能離子在一定壓力下對介質(zhì)表面進行物理轟擊和刻蝕，去除再沉積的反應(yīng)產(chǎn)物和聚合物。通過化學(xué)和物理的共同作用來完成對介質(zhì)層的刻蝕。

刻蝕作為晶圓制造工藝中重要的一種，是微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當(dāng)重要的步驟，一般在光刻膠涂布和光刻顯影之后，以光刻膠作為掩膜，通過物理濺射和化學(xué)作用將不需要的金屬去除，其目的是為了形成與光刻膠圖形相同的線路圖形。等離子刻蝕是主流的干式刻蝕，因其具有較好的刻蝕速率以及良好的方向性，目前已逐漸替代濕法刻蝕。

3 形成氮化硅側(cè)壁蝕刻傾斜度的影響參數(shù)

真空等離子清洗機的刻蝕工藝在半導(dǎo)體集成電路中，既可以刻蝕表層的光刻膠，也能夠刻蝕下層的氮化硅層，同時還需防止對硅襯底有刻蝕損傷，為達(dá)到多項精確的工藝要求。在我們?nèi)舾蓪嶒灉y試中發(fā)現(xiàn)，改變真空等離子清洗機的部分參數(shù)，不僅達(dá)到上述的刻蝕要求，同時能夠形成一定氮化硅層的形貌，即側(cè)壁蝕刻傾斜度。

其意義在于，當(dāng)?shù)鑲?cè)壁具有一定的傾斜度，能夠有效降低金屬鍍膜層在階梯覆蓋時出現(xiàn)斷裂的幾率，從而改善集成電路中工藝金屬線路內(nèi)部斷裂的問題。如下所示是氮化硅側(cè)壁垂直和具有一定傾斜度的示意圖：