星際金華*IPB180N04S4-00 N溝道金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，*行貨   量大價優(yōu)

深圳市星際金華供應(yīng)IPB180N04S4-00 N溝道金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，只做原裝   貨源充足

功能摘要：
N通道-增強模式
符合AEC
MSL1高達260°C的峰值回流
175°C工作溫度
綠色產(chǎn)品（符合RoHS）
超低Rds（on）
經(jīng)過100％雪崩測試

好處：
世界上低的40V RDS
大電流能力
低的開關(guān)和傳導(dǎo)功率損耗，以實現(xiàn)大的熱效率
堅固耐用的包裝，具有的質(zhì)量和可靠性
優(yōu)化的總柵極電荷使驅(qū)動器輸出級更小

目標應(yīng)用：
OptiMOS-T2 40V適用于各種EPS電機控制，三相和H橋電機，HVAC風(fēng)扇控制，電動泵等，尤其是與PWM控制結(jié)合使用時。
因此，基于英飛凌*溝槽技術(shù)的OptiMOS-T2 40V產(chǎn)品將成為節(jié)能，減少二氧化碳排放，電子驅(qū)動器等下一代汽車應(yīng)用的基準。

產(chǎn)品參數(shù)值

制造商: Infineon 
產(chǎn)品種類: MOSFET  
技術(shù): Si 
安裝風(fēng)格: SMD/SMT 
封裝 / 箱體: TO-263-7 
通道數(shù)量: 1 Channel 
晶體管極性: N-Channel 
Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V 
Id-連續(xù)漏極電流: 180 A 
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 800 uOhms 
Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V 
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V 
Qg-柵極電荷: 286 nC 
小工作溫度: - 55 C 
大工作溫度: + 175 C 
Pd-功率耗散: 300 W 
配置: Single 
通道模式: Enhancement 
資格: AEC-Q101 
商標名: OptiMOS 
高度: 4.4 mm  
長度: 10 mm  
系列: OptiMOS-T2  
晶體管類型: 1 N-Channel  
寬度: 9.25 mm  
商標: Infineon Technologies  
下降時間: 58 ns  
產(chǎn)品類型: MOSFET  
上升時間: 24 ns  
工廠包裝數(shù)量: 1000  
子類別: MOSFETs  
典型關(guān)閉延遲時間: 67 ns  
典型接通延遲時間: 53 ns  
單位重量: 1.600 g

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