變頻抗干擾介質(zhì)損耗測試儀用于現(xiàn)場抗干擾介損測量，或試驗室精密介損測量。儀器為一體化結(jié)構(gòu)，內(nèi)置介損電橋、變頻電源、試驗變壓器和標準電容器等。采用變頻抗干擾和傅立葉變換數(shù)字濾波技術(shù)，全自動智能化測量，強干擾下測量數(shù)據(jù)非常穩(wěn)定。測量結(jié)果由大屏幕液晶顯示，自帶微型打印機可打印輸出。
1.1變頻介損測試儀變頻抗干擾介質(zhì)損耗儀銷量大主要技術(shù)指標

準確度： Cx: ±（讀數(shù)×1%+1pF）

tgδ: ±（讀數(shù)×1%+0.00040）
抗干擾指標：變頻抗干擾，在200%干擾下仍能達到上述準確度
電容量范圍： 內(nèi)施高壓： 3pF～60000pF/10kV 60pF～1μF/0.5kV
外施高壓： 3pF～1.5μF/10kV 60pF～30μF/0.5kV
分辨率： Z高0.001pF，4位有效數(shù)字
tgδ范圍： 不限，分辨率0.001%，電容、電感、電阻三種試品自動識別。
試驗電流范圍：10μA～5A
內(nèi)施高壓： 設(shè)定電壓范圍：0.5～10kV
Z大輸出電流：200mA
升降壓方式： 連續(xù)平滑調(diào)節(jié)
電壓精度： ±(1.5%×讀數(shù)+10V)
電壓分辨率： 1V
 

1.2 變頻介損測試儀變頻抗干擾介質(zhì)損耗儀銷量大主要功能特點

1.2.1 變頻抗干擾
采用變頻抗干擾技術(shù)，在200%干擾下仍能準確測量，測試數(shù)據(jù)穩(wěn)定，適合在現(xiàn)場做抗干擾介損試驗。
1.2.2高精度測量
變頻抗干擾介質(zhì)損耗測試儀采用數(shù)字波形分析和電橋自校準等技術(shù)，配合高精度三端標準電容器，實現(xiàn)高精度介損測量。
  所有量程輸入電阻低于2Ω，消除了測量電纜附加電容的影響。
1.2.3多級安全保護，確保人身和設(shè)備安全
高壓保護：試品短路、擊穿或高壓電流波動，能以短路方式高速切斷輸出。
低壓保護：誤接380V、電源波動或突然斷電，啟動保護，不會引起過電壓。
接地保護：儀器接地不良使外殼帶危險電壓時，啟動接地保護。
C  V  T：高壓電壓和電流、低壓電壓和電流四個保護限，不會損壞設(shè)備；誤選菜單不會輸出激磁電壓。CVT測量時無10kV高壓輸出。
防誤操作：兩級電源開關(guān)；電壓、電流實時監(jiān)示；多次按鍵確認；接線端子高/低壓分明；緩速升壓，可迅速降壓，聲光報警。
防“容升”：測量大容量試品時會出現(xiàn)電壓抬高的“容升”效應(yīng)，儀器能自動跟蹤輸出電壓，保持試驗電壓恒定。
抗震性能：儀器采用*抗震設(shè)計，可耐受強烈長途運輸震動、顛簸而不會損壞。
高壓電纜：為耐高壓絕緣導(dǎo)線，可拖地使用。
1.2.4功能*，產(chǎn)品系列化
本一起有兩種型號： E和F型。
（1）具有正/反接線，內(nèi)/外標準電容，內(nèi)/外高壓多種工作模式，一體化結(jié)構(gòu)，可做各種常規(guī)介損試驗，不需外接任何輔助設(shè)備。
（2）液晶顯示，菜單操作，測試數(shù)據(jù)豐富，自動分辨電容、電感、電阻型試品，自帶微型打印機可打印輸出。
（3）具有外接標準電容器接口，可外接油杯做精密絕緣油介損試驗，可外接固體材料測量電極做精密絕緣材料介損試驗，也可外接高壓標準電容器做高電壓介損試驗。
（4）自動識別50Hz / 60Hz系統(tǒng)電源，并支持發(fā)電機供電，即使頻率波動大，也可正常測量。
（5）內(nèi)置串聯(lián)和并聯(lián)兩種介損測量模型，方便儀器檢定。
（6）可存儲255組測量數(shù)據(jù)。
（7）CVT自激法測量時，C1/C2可一次接線同時測出，自動補償母線接地和標準電容器的分壓影響，無須換線和外接任何配件。
（8）中文圖文菜單，大屏幕背光LCD顯示更清晰，電流電壓實時監(jiān)視。
（9）優(yōu)化的電路設(shè)計，使正/反接線的準確度和穩(wěn)定性*。
（10）自動識別外接高壓試驗電源頻率40Hz～70Hz，支持工頻電源、變頻電源和串聯(lián)諧振電源做大容量高電壓介損試驗。
（11）具有反接線低壓屏蔽功能，在220kVCVT母線接地情況下，對C11可進行不拆線10kV反接線介損測量。
（12）帶計算機接口。通過該接口，實現(xiàn)測量、數(shù)據(jù)處理和報表輸出，也可實現(xiàn)儀器內(nèi)部測量軟件升級。可集成到綜合高壓試驗車上。
F型：除具備E型全部功能外，
（1）配置熱敏打印機，使打印更加快捷、無噪音和清晰。
（2）增加回路接觸不良放電提示功能，以方便判別接線是否可靠。
（3）增強反接線低壓屏蔽功能，可一次接線同時測出兩個電容的電容量和介損值。
（4）增加CVT變比功能，可測量CVT變比和相位誤差。