深圳市星際金華貨源提供STD8NF25/ICE2PCS06G場效應晶體管/功率因數(shù)修正，*現(xiàn)貨   有意者價格方面可詳談

STD8NF25場效應晶體管

此功率MOSFET已使用意法半導體*的STripFET工藝，專為減少輸入而設計電容和柵極電荷。這使得適合用作主開關的設備*的高效隔離式DC-DC電信和計算機應用的轉換器，和低柵極電荷驅動的應用要求。

技術 MOSFET（金屬氧化物）

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 8A（Tc）

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（大值） 420 毫歐 @ 8A，10V

不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（大值） 16nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（大值） 500pF @ 25V

功率耗散（大值） 72W（Tc）

安裝類型 表面貼裝型

封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

切換應用

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- 汽車

ICE2PCS06G功率因數(shù)修正

•無鉛DIP和DSO封裝

•直接感應，輸入欠壓檢測

•輸出功率可由外部檢測電阻控制

•修整，內部固定開關頻率（65kHz）

•易于使用，很少有外部組件

•平均電流控制

更大的用戶靈活性

•直接感應，輸入欠壓檢測

•啟動（SoftStart）時間短

•修整后的內部參考電壓（3V + 2％at25o C）

•逐周期峰值電流限制

•開環(huán)檢測

•增強的動態(tài)響應

•無鉛DIP和DSO封裝

•直接感應，輸入欠壓檢測

•輸出功率可由外部檢測電阻控制

•修整，內部固定開關頻率（65kHz）

•易于使用，很少有外部組件

•平均電流控制

更大的用戶靈活性

•直接感應，輸入欠壓檢測

•啟動（SoftStart）時間短

•修整后的內部參考電壓（3V + 2％at25o C）

•逐周期峰值電流限制

•開環(huán)檢測

•增強的動態(tài)響應

描述

該IC在具有平均電流控制的CCM中運行，并且僅在輕載條件下在DCM中使用。切換頻率被修整并內部固定為65kHz。都電流和電壓環(huán)路補償在外部完成允許*的用戶控制。有多種保護功能可用于確保系統(tǒng)運行條件安全。內部參照-微調（3V + 2％）以確保精確的保護和輸出控制級別。

《STD8NF25/ICE2PCS06G場效應晶體管/功率因數(shù)修正》此產品均為星際金華*現(xiàn)貨供應，實單者可上門看貨，感謝你的配合?。?！