AB 1756-L62 模塊

展: 智能功率模塊是以IGBT為內(nèi)核的*混合集成功率部件，由高速低功耗管芯（IGBT）和優(yōu)化的門極驅(qū)動(dòng)電路，以及快速保護(hù)電路構(gòu)成。IPM內(nèi)的IGBT管芯都選用高速型的，而且驅(qū)動(dòng)電路緊靠IGBT，驅(qū)動(dòng)延時(shí)小，所以IPM開關(guān)速度快，損耗小。IPM內(nèi)部集成了能連續(xù)檢測(cè)IGBT電流和溫度的實(shí)時(shí)檢測(cè)電路，當(dāng)發(fā)生嚴(yán)重過載甚至直接短路時(shí)，以及溫度過熱時(shí)，IGBT將被有控制地軟關(guān)斷，同時(shí)發(fā)出故障信號(hào)。此外IPM還具有橋臂對(duì)管互鎖、驅(qū)動(dòng)電源欠壓保護(hù)等功能。盡管IPM價(jià)格高一些，但由于集成的驅(qū)動(dòng)、保護(hù)功能使IPM與單純的IGBT相比具有結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、易于使用等優(yōu)點(diǎn)。

檢測(cè)判斷方*: 功率模塊輸入的直流電壓（P、N之間）一般為260V-310V左右，而輸出的交流電壓為一般不應(yīng)高于220V。如果功率模塊的輸入端無310V直流電壓，則表明該機(jī)的整流濾波電路有問題，而與 功率模塊無關(guān)；如果有310V直流電壓輸入，而U、V、W三相間無低于220V均等的交流電壓輸出或U、V、W三相輸出的電壓不均等，則可初步判斷功率模塊有故障。

功率模塊的封裝外形各式各樣，新的封裝形式日新月異，一般按管芯或芯片的組裝工藝及安裝固定方法的不同，主要分為壓接結(jié)構(gòu)、焊接結(jié)構(gòu)、直接敷銅DBC基板結(jié)構(gòu)，所采用的封裝形式多為平面型以及，存在難以將功率芯片、控制芯片等多個(gè)不同工藝芯片平面型安裝在同一基板上的問題。為開發(fā)高性能的產(chǎn)品，以混合IC封裝技術(shù)為基礎(chǔ)的多芯片模塊MCM封裝成為目前主流發(fā)展趨勢(shì)，即重視工藝技術(shù)研究，更關(guān)注產(chǎn)品類型開發(fā)，不僅可將幾個(gè)各類芯片安裝在同一基板上，而且采用埋置、有源基板、疊層、嵌入式封裝，在三維空間內(nèi)將多個(gè)不同工藝的芯片互連，構(gòu)成完整功能的模塊。

壓接式結(jié)構(gòu)延用平板型或螺栓型封裝的管芯壓接互連技術(shù)，點(diǎn)接觸靠?jī)?nèi)外部施加壓力實(shí)現(xiàn)，解決熱疲勞穩(wěn)定性問題，可制作大電流、高集成度的功率模塊，但對(duì)管芯、壓塊、底板等零部件平整度要求很高，否則不僅將增大模塊的接觸熱阻，而且會(huì)損傷芯片，嚴(yán)重時(shí)芯片會(huì)撕裂，結(jié)構(gòu)復(fù)雜、成本高、比較笨重，多用于晶閘管功率模塊。 焊接結(jié)構(gòu)采用引線鍵合技術(shù)為主導(dǎo)的互連工藝，包括焊料凸點(diǎn)互連、金屬柱互連平行板方式、凹陷陣列互連、沉積金屬膜互連等技術(shù)，解決寄生參數(shù)、散熱、可靠性問題，目前已提出多種實(shí)用技術(shù)方案。例如，合理結(jié)構(gòu)和電路設(shè)計(jì)二次組裝已封裝元器件構(gòu)成模塊；或者功率電路采用芯片，控制、驅(qū)動(dòng)電路采用已封裝器件，構(gòu)成高性能模塊；多芯片組件構(gòu)成功率智能模塊。 DBC基板結(jié)構(gòu)便于將微電子控制芯片與高壓大電流執(zhí)行芯片密封在同一模塊之中，可縮短或減少內(nèi)部引線，具備更好的熱疲勞穩(wěn)定性和很高的封裝集成度，DBC通道、整體引腳技術(shù)的應(yīng)用有助于MCM的封裝，整體引腳無需額外進(jìn)行引腳焊接，基板上有更大的有效面積、更高的載流能力，整體引腳可在基板的所有四邊實(shí)現(xiàn)，成為MCM功率半導(dǎo)體器件封裝的重要手段，并為模塊智能化創(chuàng)造了工藝條件。

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