GE IS200ISBDG1A模塊
GE IS200ISBDG1A模塊
又可細(xì)分為:開關(guān)電源、逆變電源、交流穩(wěn)壓電源、直流穩(wěn)壓電源、DC/DC電源、通信電源、模塊電源、變頻電源、UPS電源、EPS應(yīng)急電源、凈化電源、PC電源、整流電源、定制電源、加熱電源、焊接電源/電弧電源、電鍍電源、網(wǎng)絡(luò)電源、電力操作電源、適配器電源、線性電源、電源控制器/驅(qū)動器、功率電源、其他普通電源、逆變電源、參數(shù)電源、調(diào)壓電源、變壓器電源。
特種電源
特種電源又可細(xì)分為:岸電電源、安防電源、高壓電源、醫(yī)療電源、軍用電源、航空航天電源、激光電源、其他特種電源。
特種電源即特殊種類的電源。所謂特殊主要是由于衡量電源的技術(shù)指標(biāo)要求不同于常用的電源,其主要是輸出電壓特別高,輸出電流特別大,或者對穩(wěn)定度、動態(tài)響應(yīng)及紋波要求特別高,或者要求電源輸出的電壓或電流是脈沖或其它一些要求。這就使得在設(shè)計及生產(chǎn)此類電源時有比普通電源有更特殊甚至更嚴(yán)格的要求。特種電源一般是為特殊負(fù)載或場合要求而設(shè)計的,它的應(yīng)用十分廣泛。主要有:電鍍電解、陽極氧化、感應(yīng)加熱、醫(yī)療設(shè)備、電力操作、電力試驗、環(huán)保除塵、空氣凈化、食品滅菌、激光紅外、光電顯示等。而在國防及上,特種電源更有普通電源不可取代的用途,主要用于:雷達(dá)導(dǎo)航、高能物理、等離子體物理及核技術(shù)研究等。
1、雷達(dá)發(fā)射機(jī)用的高壓電源
在現(xiàn)代雷達(dá)發(fā)射機(jī)中,用行波管(TWT)作為微波功率放大器件占有很大的比例,作為高功率部分,它的可靠性與技術(shù)指標(biāo)如何,對雷達(dá)發(fā)射機(jī)乃至整個雷達(dá)有著直接的影響。而支撐著行波管的高壓電源(系統(tǒng))更顯得至為重要。開關(guān)電源技術(shù)作為一種高頻、高效電力電子技術(shù),隨著電子元器件、產(chǎn)品的不斷更新,大功率器件的更新?lián)Q代,大功率開關(guān)電源技術(shù)得到了發(fā)展。雷達(dá)行波管用高壓開關(guān)電源,可采用全橋諧振PWM調(diào)制方式,大功率開關(guān)器件采用的IGBT模塊及可靠的驅(qū)動電路,使得電源的整體性能良好,穩(wěn)定度好,并且具有各種保護(hù)功能。
工作原理:將50Hz三相380V通過電網(wǎng)濾波器,經(jīng)整流及濾波得到500多伏的直流電壓,供給串聯(lián)諧振變換器。由于本電源輸出高達(dá)20kV,為了減輕變壓器的設(shè)計難度以及減小高壓整流二極管的耐壓值、提高電源的可靠性,采用變壓器兩個次級分別全橋整流,然后疊加輸出。全橋變換器由四個IGBT、一個高頻變壓器及整流電路組成??刂齐娐诽峁﹥蓪Ρ舜私^緣、相位相差180°的脈沖輸入到IGBT驅(qū)動電路,控制IGBT的通斷。將直流電壓變換成為交變的20kHz脈沖電壓,經(jīng)變壓器及全橋整流和濾波電路,得到幾十kV的電壓。
2、電子束焊機(jī)用大功率高壓電源
電子束焊接因具有不用焊條、不易氧化、工藝重復(fù)性好及熱變形量小的優(yōu)點而廣泛應(yīng)用于航空航天、原子能、國防及、汽車和電氣電工儀表等眾多行業(yè)。電子束焊接的基本原理是電子槍中的陰極由于直接或間接加熱而發(fā)射電子,該電子在高壓靜電場的加速下通過電磁場的聚焦就可以形成能量密度*的電子束,用此電子束去轟擊工件,巨大的動能轉(zhuǎn)化為熱量,使焊接處工件熔化,形成熔池,從而實現(xiàn)對工件的焊接。
高壓電源是設(shè)備的關(guān)鍵技術(shù)之一,它主要為電子槍提供加速電壓,其性能好壞直接決定電子束焊接工藝和焊接質(zhì)量。電子束焊機(jī)用高壓電源與其它類型的高壓電源相比,具有不同的技術(shù)特性,技術(shù)要求主要為紋波系數(shù)和穩(wěn)定度,紋波系數(shù)要求小于1%,穩(wěn)定度為±1%,甚至紋波系數(shù)小于0.5%,穩(wěn)定度為±0.5%,同時重復(fù)性要求小于0.5%。以上要求均根據(jù)電子束斑和焊接工藝所決定。電子束焊機(jī)用高壓電源的操作是必須與有關(guān)系統(tǒng)進(jìn)行連鎖保護(hù),主要有真空連鎖、陰極連鎖、閘閥連鎖、聚焦連鎖等,以確保設(shè)備和人身安全。高壓電源必須符合EMC標(biāo)準(zhǔn),具有軟起動功能,防止突然合閘對電源的沖擊。
這種電源由于功率大(達(dá)30kW),輸出電壓高(150kV),工作頻率較高(20kHz),而對穩(wěn)定精度、紋波及電壓調(diào)節(jié)率均有較高的要求。選用的三相全控可控整流技術(shù)、大功率高頻逆變器,用新型功率器件IGBT作為功率開關(guān)。三相全控可控整流和逆變器各自采用獨立的控制板,IGBT驅(qū)動采用進(jìn)口厚膜驅(qū)動電路,加上輸入電網(wǎng)濾波器和平波電抗器及電容組成的濾波電路。使電源的功率變換部分具有較好的技術(shù)性和良好的功率變換性。
高壓部分:高壓變壓器磁芯采用i新的非晶態(tài)材料,采用*的高頻高壓繞制工藝,雙高壓變壓器疊加工作。的整流和合理的倍壓電路以及高壓均壓技術(shù)保證高壓電源的高壓部分穩(wěn)定可靠,反饋及高壓指示信號用精密的分壓器,由高壓輸出端直接采樣,保證電源有很高的穩(wěn)壓精度、電壓調(diào)整率和準(zhǔn)確可信的高壓測量精度。采用合理的高壓濾波技術(shù),保證電源有良好的紋波。高壓部分放在一個油箱內(nèi)。
3、高壓脈沖電源
在雷達(dá)導(dǎo)航設(shè)備中,其發(fā)射部分一般都需要一高電壓、窄脈沖、不同重復(fù)頻率的強(qiáng)功率脈沖源。這種強(qiáng)功率脈沖源一般通過一個高壓電源將市電升為幾千伏至幾十千伏直流高壓,然后由一個調(diào)制器將直流高壓調(diào)制為所需脈寬及頻率的脈沖源以供發(fā)射管使用。
脈沖源主要由高壓電源及調(diào)制器部分組成,高壓電源采用開關(guān)穩(wěn)壓電源,調(diào)制器采用半導(dǎo)體器件的固態(tài)調(diào)制器。
SD卡存儲卡,是用于手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、便攜式電腦、MP3和其他數(shù)碼產(chǎn)品上的獨立存儲介質(zhì),一般是卡片的形態(tài),故統(tǒng)稱為“存儲卡”,又稱為“數(shù)碼存儲卡”、“數(shù)字存儲卡”、“儲存卡由于傳統(tǒng)的CF卡體積較大,所以Infineon和
SanDisk公司在1997年共同推出了一種全新的存儲卡產(chǎn)品MultiMedia Card卡(簡稱MMC卡)。MMC卡的尺寸為32mm×24mm×1.4mm,采用7針的接口,沒有讀寫保護(hù)開關(guān)。主要應(yīng)用于數(shù)碼相機(jī)、手機(jī)(例如西門子MP3、手機(jī)6688)、和一些PDA產(chǎn)品上。
它是MMC協(xié)會在2002年推出的一種專為手機(jī)等多媒體產(chǎn)品而設(shè)計的存儲卡。RS-MMC比MMC小巧許多,它可以配合的適配器而轉(zhuǎn)換成標(biāo)準(zhǔn)的MMC卡使用。
MMC PLUS
2004年9月,MMC協(xié)會又推出了MMC PLUS和MMC moboile。MMC PLUS卡尺寸與普通MMC卡相同,具有更快的讀取速度。一些廠商業(yè)也推出了低電壓的MMC PLUS。
MMC moboile
為了獲得更好的節(jié)電性能,MMC協(xié)會推出了既能在低電壓下工作又能兼容原有RS-MMC的存儲卡--MMC moboile,它能在1.65~1.95V和2.7~3.6V電壓兩種模式下工作,理論傳輸速度 可達(dá)52MB/s。被稱之為雙電壓RS-MMC。MMC moboile與RS-MMC卡的尺寸大小*一致,大的區(qū)別在于MMC moboile具有13個金手指。
MMC micro
相比microSD卡,MMC micro的體積略大一些,為12mm×14mm×1.1mm。與MMC moboile一樣都支持雙電壓,適用于對尺寸和電池續(xù)航能力要求很高的手機(jī)以及其他手持便攜式設(shè)備。
)
面理解,此卡就是安全卡,它比CF卡以及早期的SM卡在安全性能方面更加出色。是由日本的松下公司、東芝公司和SanDisk公司共同開發(fā)的一種全新的存儲卡產(chǎn)品,大的特點就是通過加密功能,保證數(shù)據(jù)資料的安全保密。SD卡從很多方面來看都可看作MMC的升級。兩者的外形和工作方式都相同,只是MMC卡的厚度稍微要薄一些,但是使用SD卡設(shè)備的機(jī)器都可以使用MMC卡。其外形尺寸為32mm×24mm×2.1mm。
miniSD
SD卡對于手機(jī)等小型數(shù)碼產(chǎn)品而略顯臃腫,同時也為了追趕Duo以及Xd,SD卡陣營發(fā)表了比原來更小的存儲卡,名為“miniSD”。其外形尺寸為20mm×21.5mm×1.4mm,封裝面積是原來SD卡的44%、體積是原來SD卡的63%,具有11個金手指(SD卡只有9個)。通過轉(zhuǎn)接卡也可以當(dāng)作SD卡使用。該卡在多普達(dá)、松下等手機(jī)上有廣泛的使用。
microSD
microSD卡標(biāo)準(zhǔn)由SD協(xié)會在2005年參照T-Flash的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)制定出來的,T-Flash卡和 microSD卡是相互兼容的。與miniSD卡相比,microSD卡體積更為小巧,尺寸為11mm×15mm×1.4mm,它僅有標(biāo)準(zhǔn)SD卡的四分之一左右,是目前市場上體積小的存儲卡。
T-Flash卡
全名:TransFLash,由摩托羅拉與SANDISK共同研發(fā),在20
04年推出。是一種超小型卡(11*15*1MM),約為SD卡的1/4,可以算目前小的儲存卡了。TF卡可經(jīng)SD卡轉(zhuǎn)換器后,當(dāng)SD卡使用。
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