儀器簡介:
日本AET微波(高頻)介電常數(shù)測試儀, 利用微波技術(shù)結(jié)合高Q腔以及3D電磁場模擬技術(shù),采用德國CST公司的3D電磁類比軟件MW-StudioTM,測量材料的高頻介電常數(shù),此方法保證了介電常數(shù)測量結(jié)果的精確性。
AET公司開發(fā)了誘電體共振腔,用于高介電常數(shù),超低介電損耗的樣品。
技術(shù)參數(shù):
可測試頻率范圍: 20G以下
介電常數(shù)Epsilon:5-200, 準(zhǔn)確度: ±1%,
介電損耗tangent delta:0.00001-0.001, 準(zhǔn)確度:±5%
主要特點(diǎn):
高介電,低介電損耗材料量測。
應(yīng)用領(lǐng)域:
高速數(shù)字/微波電路用基底材料 ;濾波器和介電天線用低損耗電介質(zhì) ;化學(xué)制品;
薄膜與新材料;半導(dǎo)體材料;電子材料(包括CCL和PCB)
陶瓷材料;納米材料;光電材料等
相關(guān)資料
誘電體共振腔




































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