IRFP260NPBF是采用TO-247AC封裝的200V單N溝道HEXFET功率MOSFET。該MOSFET具有極低的每硅面積電阻,動態(tài)dv/dt額定值,并聯(lián),堅固耐用,快速開關,簡單的驅動要求以及*雪崩額定值的特性,功率MOSFET具有*的效率和可靠性,可以可用于多種應用。
漏極至源極電壓(Vds)為200V
柵極至源極電壓為±20V
Vgs 10V時導通電阻Rds(on)為40mohm
25°C時300W的功耗Pd
Vgs 10V和25°C時50A的連續(xù)漏極電流Id
工作結溫范圍為-55°C至175°C
應用
電源管理,工業(yè),便攜式器材,消費電子產品
IRFP260NPBF是采用TO-247AC封裝的200V單N溝道HEXFET功率MOSFET。該MOSFET具有極低的每硅面積電阻,動態(tài)dv/dt額定值,并聯(lián),堅固耐用,快速開關,簡單的驅動要求以及*雪崩額定值的特性,功率MOSFET具有*的效率和可靠性,可以可用于多種應用。
































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