電子陣列發(fā)生器(EGAs)與用燈絲制造的電子通量源相比,使用時(shí)無(wú)需預(yù)熱,連續(xù)工作24小時(shí),輸出變化小于1%;產(chǎn)生49C/cm2電荷所產(chǎn)生漂移小于10%。無(wú)需維護(hù)清潔,發(fā)射能量密度均勻,功耗低,通常不到1w,也是傳統(tǒng)電子腔源的替代方案,可根據(jù)要求定制尺寸和形狀。
產(chǎn)品特性
更長(zhǎng)的壽命;
冷離子源;
優(yōu)異的穩(wěn)定性;
更大幅面;
低維護(hù)。
技術(shù)參數(shù)
通量密度 | |
電子通量均勻性 | < 1.0x10‐10 A/cm2 (Chevron™ 或者Z‐ Stack 結(jié)構(gòu)) |
電流密度 | 2.0x10‐5 A/cm2 |
通量密度 | 在整個(gè)發(fā)射區(qū)域內(nèi)均勻到10%以?xún)?nèi)。 |
可用配置 | |
MCP配置 | 單層、雙層( Chevron™), 或者三層(Z-stack) |
可用直徑 | 直徑4至150mm 自定義大小 |
產(chǎn)品資料
ChargedBeamProfiling-IPAC2010


































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