描述

該實驗裝置以汞燈546.1nm譜線為對象，研究塞曼效應。汞燈發(fā)出的譜線經(jīng)過聚光鏡，將發(fā)散的光線適當?shù)貐R聚，透過偏振片，經(jīng)過濾光片濾光后形成單色光，進入F-P標準具，形成干涉圓環(huán)，最后由鏡頭和CMOS相機成像。該裝置包含一個可調(diào)恒流電源，通過調(diào)節(jié)電流控制磁場的大小。當磁場足夠強時，能級開始分裂，產(chǎn)生不同的譜線，每一級干涉圓環(huán)分裂成多個干涉圓環(huán)，由專業(yè)的軟件進行圖像采集和數(shù)據(jù)分析，得到電子荷質(zhì)比e/m的數(shù)值。當將電磁線圈旋轉(zhuǎn)90度時，重新微調(diào)光路，則可以平行于磁場方向觀測塞曼效應。

緊湊型設計

采用工業(yè)級高強度軌道，配合精巧的光機械設計，比傳統(tǒng)的裝置至少減少了1/3的空間。

電磁線圈為整套裝置提供連續(xù)可調(diào)的0-1.2T的勻強磁場，并有0-120度可旋轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)，可以對橫向及縱向塞曼效應現(xiàn)象進行觀測。

高達1/100λ的法布里-帕羅標準具，可獲得K級至K-2級的9條分裂譜線。

F-P標準具的性能保證了譜線分裂明顯，線條清晰銳利。

CE安全認證

通過歐盟CE安全認證，嚴格按照CE標準進行品質(zhì)控制。

典型實驗內(nèi)容及數(shù)據(jù)

1，垂直于磁場方向觀測塞曼效應（Л線 ）

2，平行于磁場方向觀測塞曼效應（σ線）

3，根據(jù)K級至K-2級的9條分裂譜線，可驗證荷質(zhì)比 e/m.

荷質(zhì)比 e/m 測量結(jié)果的相對誤差小于 5%。

部件列表

BEM-5008   攝像單元(含鏡頭、CMOS相機), f=50mm, 五百萬像素

BEM-5402    法布里泊羅標準具, 546.1nm

BEM-5403    干涉濾光器, 546.1nm

BEM-5404    偏振器

BEM-5405    聚光鏡, f=131.2mm

BEM-5203   精密調(diào)節(jié)架, Φ45mm, 2D

BEM-5213   水平可調(diào)精密調(diào)節(jié)架, Φ45mm, Travel=36mm , 3D

BEM-5201-06    導軌，長 600mm

BEM-5204-50    托板，寬 50mm （3）

BEM-5205-25    升降調(diào)節(jié)架，可調(diào)范圍 25mm?。?）

BEM-5209-09    連接桿，長 90mm?。?）

BEM-5009    筆形汞燈, 10A, 3W

BEM-5010    電磁線圈, 5A, 1.2T

BEM-5202    連接塊

BEM-5012    可調(diào)直流恒流源, 6A

選配件

BEM-5032A    特斯拉計，0-2000mT, 精度0.1mT

包裝清單

實驗裝置1套（詳見部件清單），電源線1根，紅黑導線各1根，USB線1根，軟件光盤1張，手冊1本。

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