儀器簡介：

半導體激光器半導體材料作為工作物質(zhì)的一類激光器，由于物質(zhì)結(jié)構上的差異，產(chǎn)生激光器具體過程比較特殊，常用材料有砷化鎵、硫化鎘、磷化銦、硫化鋅等；激勵的方式有電注入，電子束激勵和光泵浦三種形式；廣泛應用于激光通訊，印制制版、光信息等方面。

實驗內(nèi)容：

1、測試半導體激光器的的閾值電流

2、觀察半導體激光器的調(diào)制特性曲線

3、測量半導體工作時的功率、電壓、電流、畫出P-V/P-I/I-V曲線，了解半導體的工作特性

4、學會通過曲線計算半導體激光器的閾值，以及功率效率，外量子效率和外分子效率，并對三者相比較

5、觀察截至區(qū)、線性區(qū)、限流區(qū)的型號不同凡響，了解調(diào)制工作原理

主要配置和參數(shù)：

1、激光器：半導體激光器，20mW

2、功率計：測量范圍：200μw—200mw，3位半數(shù)顯，光敏面積：1cm2

3、電壓表：測量范圍，200mV，2V，20V，200V；四擋自由切換；三位半數(shù)顯

4、電流表：精度0.2%，四擋自由可調(diào)；200μA，2mA，20mA，200mA；三位半數(shù)顯

5、接收器：硅光電池：范圍400—1050mm

6、波形發(fā)生器：三種波形：正玄波、方波、三角波。

7、閾值電流：室溫下同質(zhì)結(jié)的閾值電流大于30000A/cm2；單異質(zhì)結(jié)約為8000A/cm2；雙異質(zhì)結(jié)約為1600A/cm2?，F(xiàn)在已用雙異質(zhì)結(jié)制成在室溫下能連續(xù)輸出幾十毫瓦的半導體激光器。

8、光譜特性：GaAs激光器，室溫下譜線寬度約為幾納米，可見其單色性較差。輸出激光的峰值波長：77K時為840nm；300K時為902nm