mos管是金屬(metal)-氧化物(oxide)-半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管，或金屬-絕緣體(insulator)-半導(dǎo)體。MOS管的source和drain可以對調(diào)，它們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。大多數(shù)情況下，這兩個區(qū)域是一樣的，即使兩端對調(diào)，也不會影響設(shè)備的性能。這種設(shè)備被認為是對稱的。

雙極晶體管放大輸入端電流的微小變化后，在輸出端輸出大的電流變化。雙極晶體管的增益定義為輸出輸入電流的比率。另一種晶體管，稱為場效應(yīng)管，將輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于其transconductance，定義為輸出電流的變化與輸入電壓的變化之比。市場上常見的是N通道和P通道。詳見右圖(N通道耗盡MOS管)。低壓MOS管是P通道中常見的。

場效應(yīng)管通過在絕緣層上投影一個電場來影響流過晶體管的電流。事實上，沒有電流流過絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。FET使用薄層二氧化硅作為GATE極下的絕緣體。該晶體管稱為金屬氧化物半導(dǎo)體（MOS）晶體管，或金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（MOSFET）。由于MOS管更小，更省電，它們在許多應(yīng)用程序中取代了雙極晶體管。

mos管優(yōu)勢。

1.可用于放大。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，耦合電容器容量小，無需使用電解電容器。

2.高輸入阻抗非常適合作為阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作為阻抗變換。

3.可用作可變電阻。

4.可方便地用作恒流源。

5.可用作電子開關(guān)。

6.在電路設(shè)計中具有很大的靈活性。格柵偏壓可正負零，三極管只能在正偏下工作，電子管只能在負偏下工作。此外，輸入阻抗高，可減輕信號源負載，易于與前級匹配。