在開發(fā)新材料及薄膜制程上，為了有助于了解材料組成間的相互作用及解決工藝流程的問題，材料組成或薄膜迭層的深度分析是非常重要的。

PHI 4700使用了AES分析技術為基礎，搭配靈敏度半球型能量分析器、10 kV LaB6掃瞄式電子*、5 kV浮動柱狀式Ar離子*及高精密度自動樣品座。針對例行性的俄歇縱深分析、微區(qū)域的故障分析，提供了全自動與及高經濟效益的解決方法。

PHI 4700是建基于Ulvac-Phi公司的高性能PHI 700Xi俄歇掃描納米探針。它提供了高度自動化，低成本、高效益的方案進行例行俄歇深度分析和微米范圍的故障分析。 PHI 4700可以輕易的配備上互聯網的設備，以供遠程操作或監(jiān)控之用。

性能特點

全自動多樣品縱深分析：PHI 4700薄膜分析儀在微小區(qū)域之縱深分析擁有**的經濟效益，可在SEM上特定微米等級之微小區(qū)域快速進行深度分析。圖2顯示長年使用的鍍金電極正常與變色兩個樣品之縱深分析結果，兩者材質皆為鍍金之錫磷合金。從電極二（變色電極）可看到金屬錫擴散到鍍金膜上，因為界面的腐蝕而產生氧及錫導致電極變色。
靈敏度半球型能量分析器：PHI 4700半球形能量分析器和高傳輸輸入透鏡可提供**的靈敏度和大幅縮短樣品分析時間。除此之外，具有全自動的量測功能，此裝置可在短時間內測量多個樣品。 點選屏幕上軟件所顯示的樣品座，可以記錄欲量測的位置，對產品與工藝流程管理上之數據搜集可進行個別分析。
10 kV LaB6掃瞄式電子*：PHI的06-220電子*是基于一個以LaB6為電子源燈絲以提供穩(wěn)定且長壽命電子*的工具，主要在氬氣濺射薄膜時進行深度分析。06-220電子*還可以：產生二次電子成像，俄歇測繪和多點分析。在加速電壓調節(jié)從0.2至10千伏。電子束的*小尺寸可保證小于80納米。
浮動柱狀式Ar離子*：PHI的FIG5B浮動柱狀式Ar離子*:提供離子由5伏到5千伏。大電流高能量離子束被用于厚膜，低能量離子束（250-500 V）用于超薄膜。浮動柱狀式，確保高蝕刻率與低加速電壓。物理彎曲柱會阻止高能量的中性原子，從而改善了濺射坑形狀和減少對鄰近地區(qū)的濺射。
五軸電動樣品臺和Zalar方位旋轉：PHI 15-680精密樣品臺提供5軸樣品傳送：X，Y，Z，旋轉和傾斜。所有軸都設有馬達及軟件控制，以方便就多個樣品進行的自動縱深分析。樣品臺提供Zalar（方位角）旋轉的縱深剖析，利用旋轉來降低樣品在一個固定位置上的擇優(yōu)濺射，以優(yōu)化縱深分析。
PHI SmartSoft用戶界面：PHI SmartSoft是一個被認同為方便用者使用的操作儀器軟件。軟件透過任務導向和卷標橫跨頂部的顯示指導用戶從輸入樣品，定義分析點，并設定分析。多個分析點的定義和*理想樣品的定位是由一個*的“自動Z軸定位”功能所提供。預存多樣的操作設定，可讓新手能夠快速，方便使用。
可選用配備：

熱/冷樣品座
樣品真空傳送管（Sample Transfer vessel）

應用領域

半導體薄膜產業(yè)
微電子封裝產業(yè)
無機光電產業(yè)