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NRE-4000(A)全自動反應離子刻蝕

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面議
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  • 型號
  • 品牌其他品牌
  • 所在地國外
  • 更新時間2022-11-08
  • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
  • 所在地區(qū)上海
  • 實名認證已認證
  • 產(chǎn)品數(shù)量40
  • 人氣值2755
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那諾-馬斯特中國有限公司成立于2015年4月,是服務大中華區(qū)(包含中國大陸,香港,中國臺灣和澳門)的客戶,同時我們在中國大陸設有專門的服務辦公室,提供銷售和售后技術(shù)服務。


那諾-馬斯特中國的主要產(chǎn)品包括薄膜沉積設備、薄膜生長設備、干法刻蝕設備、兆聲濕法清洗設備及太空模擬測試設備等等。Nano-Master的前身是那諾-馬斯特美國,該公司是法國那諾-馬斯*限公司于1992年在美國所創(chuàng)立的全資子公司,是一家國際前列的缺陷檢測和高速鍍層測量的計量公司。自從1993年開始Birol Kuyel博士全面接管那諾-馬斯特美國并正式更名。


自2001年Nano-Master開始設計開發(fā)薄膜應用方面的設備,正式面世的系統(tǒng)依次是磁控濺射、PECVD、晶圓/掩模版清洗系統(tǒng)…。應用領域涵蓋了半導體、MEMS、光電子學、納米技術(shù)和光伏等。我們的設備包含用于二氧化硅、氮化硅、類金剛石和CNT沉積的PECVD,用于InGaN、AlGaN生長的PA-MOCVD,濺射鍍膜(反應濺、共濺 、組合濺),熱蒸發(fā)和電子束蒸發(fā),離子束刻蝕和反應離子刻蝕,原子層沉積,兆聲清洗以及光刻膠剝離等。三十年左右的時間內(nèi)Nano-Master已經(jīng)發(fā)展成為國際薄膜設備的供應商,已售出的幾百套設備分布于20多個不同國家的大學、研發(fā)中心和國家重點實驗室。

我們聘用技術(shù)熟練并具有良好教育背景的設計和制造工程師、應用工程師、服務工程師、技術(shù)支持人員,使得公司擁有專業(yè)的服務團隊。作為薄膜工藝的設備提供商,我們的目標是提供高品質(zhì)的服務并始終維持超高水平的集成度。






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NRE-4000(A)全自動反應離子刻蝕:獨立式RIE反應離子刻蝕系統(tǒng),淋浴頭氣體分布裝置以及水冷RF樣品,不銹鋼柜子以及13“的上蓋式圓柱形鋁腔,便于晶圓片裝載.腔體有兩個端口:一個帶有2“的視窗,另一個空置用于診斷.該系統(tǒng)可以支持Z大到12“的晶圓片。腔體為超凈設計,并且根據(jù)配套的真空泵可以達到10-6 Torr 或更小的極限真空。該系統(tǒng)系統(tǒng)可以在20mTorr到8Torr之間的真空下工作。
NRE-4000(A)全自動反應離子刻蝕 產(chǎn)品詳情

NRE-4000(A)全自動反應離子刻蝕概述:

NRE-4000是一款獨立式RIE反應離子刻蝕系統(tǒng),配套有淋浴頭氣體分布裝置以及水冷RF樣品.具有不銹鋼柜子以及13"的上蓋式圓柱形鋁腔,便于晶圓片裝載.腔體有兩個端口:一個帶有2"的視窗,另一個空置用于診斷.該系統(tǒng)可以支持至大到12”的晶圓片。腔體為超凈設計,并且根據(jù)配套的真空泵可以達到10-6 Torr 或更小的極限真空。該系統(tǒng)系統(tǒng)可以在20mTorr8Torr之間的真空下工作。真空泵組包含一個節(jié)流閥,一個250l/s的渦輪分子泵,濾網(wǎng)過濾器,以及一個10cfm的機械泵(Formblin泵油).RF射頻功率通過600W,13.56MHz的電源和自動調(diào)諧器提供。系統(tǒng)將持續(xù)監(jiān)控直流自偏壓,該自偏壓可以高達-500V.這對于各向異性的刻蝕至關重要。

該系統(tǒng)是基于PC控制的全自動系統(tǒng).系統(tǒng)真空壓力及DC直流偏壓將以圖形格式實時顯示,流量及功率則以數(shù)字形式實時顯示.系統(tǒng)提供密碼保護的四級訪問功能:操作員級、工程師級、工藝人員級,以及維護人員級.允許半自動模式(工程師模式)、寫程序模式(工藝模式), 和全自動執(zhí)行程序模式(操作模式)運行系統(tǒng)。基于全自動的控制,該系統(tǒng)具有高度的可重復性。


NRE-4000(A)全自動反應離子刻蝕產(chǎn)品特點:

  • 鋁質(zhì)腔體或不銹鋼腔體

  • 不銹鋼立柜

  • 能夠刻蝕硅的化合物(~400? /min)以及金屬

  • 典型的硅刻蝕速率,400 ?/min

  • 高達12”的陽極氧化鋁RF樣品臺

  • 水冷及加熱的RF樣品臺

  • 大自偏壓

  • 淋浴頭氣流分布

  • 極限真空5x10-7Torr,20分鐘內(nèi)可以達到10-6Torr級別

  • 渦輪分子泵

  • 至多支持8MFC

  • 無繞曲氣體管路

  • 自動下游壓力控制

  • 雙刻蝕能力支持:RIE以及PE刻蝕(可選)

  • 終點監(jiān)測

  • 氣動升降頂蓋

  • 自動上下載片

  • 預真空鎖

  • 基于LabView軟件的PC計算機全自動控制

  • 菜單驅(qū)動,4級密碼訪問保護

  • *的安全聯(lián)鎖

  • 可選ICP離子源以及低溫冷卻樣品臺,用于深硅刻蝕

Features:

  • Aluminum or Stainless Steel Chamber

  • Stainless Steel Cabinet

  • Capable of etching Si compounds (~400 ? /min)and metals

  • Typical Si etch rate, 400 ?/min

  • Up to 12“ Anodized RF Platen

  • Water Cooled and Heated RF Platen

  • Large Self Bias

  • Shower Head gas distribution

  • Approximay 10-6 Torr < 20 minutes, ~ 5 x10-7 Torr base pressure

  • Turbomolecular Pump

  • Up to eight MFCs

  • No flexing of gas lines

  • Down Stream Pressure Control

  • Dual Etch capability: RIE and Plasma Etch(Option)

  • End Point Detection

  • Pneumatically Lifted Top

  • Automatic loading/unloading

  • Load Lock

  • PC Controlled with LabVIEW

  • Recipe Driven, Password Protected

  • ully Safety Interlocked

  • Optional ICP source and cryogenic cooling of the platen for deep Si etch



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