一維亥姆霍茲線圈

產品概述：

錦正茂一維亥姆霍茲線圈 典型的單軸亥姆霍茲線圈是具有相同線圈匝數(shù)，相同線圈繞制方式，線圈半徑等于線圈間距的兩個線圈組成的。亥姆霍茲線圈一般用來產生體積比較大、均勻度比較高， 但磁場值比較弱的磁場。用戶可以利用這個磁場來完成各種實驗，亥姆霍茲線圈可根據不同的應用產生靜態(tài)DC或AC磁場。
主要用途：地球磁場的抵消、判定磁屏蔽效應、電子設備的磁化系數(shù)、磁通門計和航海設備的校準、生物磁場的研究及與磁通計配合使用檢測永磁體特性。適用于各研究所，高等院校及企業(yè)做物質磁性或檢測實驗，應用于材料、電子、生物、醫(yī)療、航空航天等領域。

錦正茂一維亥姆霍茲線圈 錦正茂科技有限公司擁有自己的磁場開發(fā)團隊，在亥姆霍茲線圈的設計方面具有豐富的經驗，生產的亥姆霍茲線圈及高穩(wěn)定性電源（10PPM）的質量和穩(wěn)定性具有其它廠家的*性?？蔀槟峁┮痪S，二維和三維的亥姆霍茲線圈，目前相繼開發(fā)設計出：圓形、方形、和八邊形亥姆霍茲線圈，同時借助有限元設計工具，開發(fā)了補償式八邊形亥姆霍茲線圈，將線圈均勻區(qū)提高了八倍。所涉及的線圈可以是固定的，也可以是旋轉的，所產生的磁場的范圍可以從幾百nT到上千高斯，磁場的均勻度在均勻區(qū)內可以高達到萬分之一。您可以將您的要求反饋給我們，我們可以根據您的設計要求進行仿真計算設計。所有特殊的安裝要求應該在應用中注明。相信我們的技術，設計思想和我們的制造工藝能給您提供滿意的產品和上等的服務。一維亥姆霍茲線圈
一維方形亥姆霍茲線圈JF1200

技術指標：

● 線圈內空直徑約145mm，線圈外直徑約240mm；

● 線圈繞線線徑1.5mm，線圈電阻3歐姆；

● 線圈輸入電流5A時，對應線圈中心磁場不低于100Gs；

● 線圈均勻度1%時，對應線圈中心均勻區(qū)域大小優(yōu)于40*40*40mm；

● 線圈均勻度0.5%時，對應線圈中心均勻區(qū)域大小優(yōu)于32*32*32mm。