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HB2931B可控硅綜合參數(shù)測試儀可測量晶閘管的通態(tài)，短態(tài)，觸發(fā)電壓，維持電流，維持電壓等參數(shù)。HB2931B可控硅參數(shù)測試儀具有較強的適應能力，可以滿足不同使用要求的參數(shù)測量。HB2931B可控硅參數(shù)測試儀的圖示裝置可以顯示被測管的伏安特性曲線。HB2931B可控硅綜合參數(shù)測試儀。HB2931B可控硅綜合參數(shù)測試儀。HB2931B可控硅綜合參數(shù)測試儀

可控硅綜合參數(shù)測試儀 HB2931B 產品詳情

HB2931B可控硅綜合參數(shù)測試儀

可控硅結合參數(shù)測試儀?？蓽y量晶閘管的通態(tài)，短態(tài)，觸發(fā)電壓，維持電流，維持電壓等參數(shù)。
HB2931B型晶閘管綜合參數(shù)測試儀是用于測量晶閘管的通態(tài)，斷態(tài)門極常用靜態(tài)參數(shù)的綜合性參數(shù)測量儀器。參數(shù)測量原理符合GB4024-83半導體器件反向阻斷三極晶閘管的測試方法有關規(guī)定。本儀器的設計兼顧了SJ1105-76半導體閘流管斷態(tài)和反向伏安特性的測試方法，SJ1106-76半導體閘流管通態(tài)特性的測試方法，SJ1107-76半導體閘流管控制極觸發(fā)電壓，觸發(fā)電流的測試方法，SJ1110-76半導體閘流管維持電流的測試方法，JB1144-75、JB1143-75的基本要求，在測量電源及參數(shù)指示電表的設計上滿足上述標準中對電量及峰值測量的要求，為此具有較強的適應能力，可以滿足不同使用要求的參數(shù)測量。本儀器的圖示裝置可以顯示被測管的伏安特性曲線。

一、技術指標：
本儀器可以測量下列參數(shù)
1、通態(tài)峰值電壓 VTM
測量范圍 0~5V 誤差≤+5%
2、通態(tài)峰值電流 ITM
測量范圍 0~20A 誤差≤+5%
3、斷態(tài)重復峰值電壓 VDRM（含VDSM）
測量范圍 0~2000V 誤差≤+5%
4、斷態(tài)重復峰值電流 IDRM
測量范圍 0.1~20mA 誤差≤+5%
5、反向重復峰值電壓 VRRM（含VRSM）
測量范圍 0~2000V 誤差≤+5%
6、反向重復峰值電流 IRRM
測量范圍 0.1~20mA 誤差≤+5%
7、門極（控制極）觸發(fā)電壓 VCT
測量范圍 0~3V 誤差≤+5%
8、門極（控制極）觸發(fā)電流 IGT
測量范圍 10~200mA 誤差≤+5%
9、維持電流 IH
測量范圍 10~200mA 誤差≤+5%

二、使用條件
使用儀器時，應符合下列條件
環(huán)境溫度： 0~40℃
大氣壓力： 86~106Kpa
相對濕度：當溫度為30℃時，不大于80%
電源電壓： 220V + 10%
電源頻率： 50HZ + 2HZ

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關鍵詞：測量儀標準萬用表電壓表毫伏表

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