環(huán)境要求

溫度范圍：15-35 ℃；

溫度變化率：< 2 °C/h;

濕度范圍：20-80%（無(wú)冷凝）

配置

霧化器：硼硅玻璃， 霧化室：石英，旋流， 等離子炬：石英，可裝載，無(wú)屏蔽；

進(jìn)樣器：石英，2 .5 mm內(nèi)徑；選項(xiàng)為：1 .0和2.0mm內(nèi)徑；

采樣錐/接口: 采樣錐 Ni，1.1mm孔徑；耐受高鹽基質(zhì)的接口；選項(xiàng)為：Ni錐，耐受的接口（已提供）和高靈敏度的；

數(shù)字控制等離子體氣流：3路；

氦碰撞池質(zhì)量流量控制MFC

氧化物和雙電荷比率

CeO/Ce^b ＜2；

Ba⁺⁺/ Ba^+b ＜3

隨機(jī)背景（cps）

短期穩(wěn)定性

＜2% RSD（10 min）

長(zhǎng)期穩(wěn)定性

＜3% RSD（3 h）

同位素比率精度

¹⁰⁷Ag/¹⁰⁹Ag : ＜0.1% RSD

等離子體源

等離子體炬：石英，推入式（Push-in），單片；

平行和垂直的位置：+/- 2 mm；

采樣深度：0～15 mm

RF發(fā)生器

固態(tài)RF發(fā)生器，~27 MHz；

RF功率范圍：400W~1600W

離子光學(xué)

RAPID透鏡：90度離子透鏡，操作在單個(gè)固定電壓下；

電子連接：無(wú)纜，固定位置，彈簧安裝的黃金觸點(diǎn)

碰撞/反應(yīng)池

標(biāo)配的MFC：純He碰撞氣；

可選的MFC：反應(yīng)氣體混合物： O₂, NH₃/He, H₂/He；

氣體純度：> 99.999 % ;

氣體流速：10 L/min;

氣體壓力：0.1 - 0.15 MPa (1 - 1.5 bar, 15 - 22.5 psi)

四極桿質(zhì)量分析器

場(chǎng)：虛擬的雙曲面場(chǎng);

頻率：2 MHz;

質(zhì)量范圍：2-290 u;

掃描速度：>3700 amu/sec，Li~U帶40個(gè)區(qū)間質(zhì)量;

質(zhì)量穩(wěn)定性：< ± 0.025每天;

豐度靈敏度：< 0.5 ppm ;

分辨率：用戶(hù)可定義

離子檢測(cè)系統(tǒng)

在4個(gè)數(shù)量級(jí)上同時(shí)進(jìn)行脈沖/模擬檢測(cè);

最小駐留時(shí)間：100 µs 脈沖和模擬;

動(dòng)態(tài)范圍：>9個(gè)數(shù)量級(jí)

真空系統(tǒng)

配置：三階，差分泵;

真空泵:分流分子渦輪泵,外部后部的機(jī)械泵;

抽真空時(shí)間：在維護(hù)后<15 min，可抽到< 1 x 10^-6 mbar

供電

供電：200-240 V AC, 50/60 Hz 單相

功率

3000 VA; 有效: 2200 W

冷卻水

溫度： 20 ℃ ~ 30 °C；

供應(yīng)流速：> 5.5 L/min

氬氣

純度：> 99.996 % ；

流速：24 L/min ；

壓力：0.55 - 0.6 MPa (5.5 - 6.0 bar; 82.5 - 90 psi)