• 概述

磁控濺射是利用磁場束縛電子的運動（即磁控管模式），其結果導至轟擊基片的高能電子的減少和轟擊靶材的高能離子的增多，使其具備了“低溫”、“高速”兩大特點。磁控濺射法制備的薄膜厚可控性和重復性好、薄膜與基片的附著能力強，膜層純度高。

• 主要技術性能指標 
• 系統結構及功能概述

本鍍膜系統為圓形真空室結構，后部抽氣，正面開門結構，采用優(yōu)質奧氏體不銹鋼制造。濺射沉積室頂板上安裝有一只2inch(或3inch)磁控濺射靶，出射束流方向朝向基片架并在基片上得到薄膜。該設備結構簡單，可用于研究和開發(fā)納米級單層及多層功能膜，如硬質膜、金屬膜、半導體膜、介質膜、復合膜、鐵磁膜和磁性薄膜等新型薄膜材料。

工作原理

濺射沉積系統為一單靶濺射沉積系統，靶固定在真空室頂板上，靶基距可以通過基片架的升降來調節(jié)（靶基距60mm～90mm可調）。基片架可升降，采用磁流體密封裝置+步進電機驅動，滿足基片旋轉要求。

A. 真空獲得及壓力控制

真空獲得系統利用渦輪分子泵作為主泵，機械旋片泵作為前級泵對真空系統抽氣。真空度控制通過和主泵相連的節(jié)流閥來實現。

B．濺射電源

一只500W射頻電源（帶自動匹配網絡），可選直流電源。

系統主要參數

1. 極限真空度：≤6×10^-5Pa（清潔+烘烤去氣條件下12小時內獲得）；
2. 抽真空時間：20分鐘內，≤6×10^-4Pa；
3. 基片加熱溫度：≤600℃；
4. 基片尺寸：≤Φ3inch的圓片；
5. 基片架數量：1套；
6. 靶材尺寸：直徑50mm（可選3inch）；
7. 靶數量：1只或者2個；
8. 真空室尺寸：DN220*340（根據實際情況可能會適當調整）；
1. 基片架移動距離：≤50mm（軸向方向）；
10. 靶軸線和基片旋轉軸線夾角：共濺射；
11. 氣路系統：2路進氣，其中1路為放氣使用；