產(chǎn)品描述：半導(dǎo)體IC NX3DV42GU 集成電路芯片

概述NX3DV2567是一款四極雙擲模擬開關(guān)(4PDT)，針對切換WLAN-SIM電源、數(shù)據(jù)和控制信號進(jìn)行了優(yōu)化。它有一個(gè)數(shù)字選擇輸入(S)和四個(gè)開關(guān)，每個(gè)開關(guān)有兩個(gè)獨(dú)立輸入/輸出(nY0和nY1)和一個(gè)公共輸入/輸出(nZ)。S處的施密特觸發(fā)器動作使電路能夠在1.4 V至4.3 V的整個(gè)VCC范圍內(nèi)耐受較慢的輸入上升和下降時(shí)間。低輸入電壓閾值允許引腳S由較低電平的邏輯信號驅(qū)動，而不會顯著增加電源電流ICC。這使得NX3DV2567可以用1.8 V數(shù)字控制器切換4.3 V信號，無需邏輯電平轉(zhuǎn)換。NX3DV2567允許幅度高達(dá)VCC的信號從nZ傳輸?shù)絥Y0或nY1或者從nY0或nY1到新西蘭

特點(diǎn)和優(yōu)勢：半導(dǎo)體IC NX3DV42GU 集成電路芯片

1.4 V至4.3 V的寬電源電壓范圍VCC=1.8V

0.45(典型值)的電源path:

0.5(典型值)的導(dǎo)通電阻非常低VCC = 2.7vvcc=1.8v

6(典型值)的數(shù)據(jù)path:

7(典型值)的導(dǎo)通電阻非常低 VCC=2.7V時(shí)數(shù)據(jù)路徑的低導(dǎo)通電容寬

3 db帶寬> 160 MHz先開后合式開關(guān)高抗擾度ESD protection:

hbm jesd 22-a114f 3a ji超過4000 v

hbm jesd 22-a114f 3a jiI/O至GND超過7000 V

CDM AEC-Q100-011修訂版b超過1000v CMOS低功耗閂鎖性能 2011年11月2日至9日產(chǎn)品數(shù)據(jù)表

產(chǎn)品概括：

NX3DV42是一款雙刀雙擲模擬開關(guān)，適合用作模擬或數(shù)字多路復(fù)用器/解復(fù)用器。

NX3DV42具有寬帶寬和低位間偏斜特性，能夠以良好的信號完整性傳輸高速差分信號。它的高通道間串?dāng)_抑制性能可將噪聲干擾降至最di。帶寬足夠?qū)?，可以通過高速USB 2.0差分信號(480 Mb/s)。它由兩個(gè)開關(guān)組成，每個(gè)開關(guān)具有兩個(gè)獨(dú)立輸入/輸出(HSDn+和HSDn-)和一個(gè)公共輸入/輸出(D+或D-)。一個(gè)數(shù)字輸入用于選擇開關(guān)位置。當(dāng)引腳OE為高電平時(shí)，開關(guān)關(guān)閉。選擇輸入端(S)和使能輸入端(OE)的施密特觸發(fā)器動作使電路能夠在3.0 V至4.3 V的整個(gè)VCC范圍內(nèi)承受較慢的輸入上升和下降時(shí)間更多。

*電源電壓范圍從3.0 V到4.3 V

*典型導(dǎo)通電阻為4ω

*典型導(dǎo)通電容為7.3 pF

* 950 MHz典型帶寬或數(shù)據(jù)頻率

* 240 MHz時(shí)的低串?dāng)_為-30 dB

*先開后合開關(guān)

* ESD保護(hù):

* HBM jesd 22-A114F 3A急超過4000 V

* CDM AEC-Q100-011版本B超過1000 V

* HBM超過12000 V，用于GND保護(hù)

*閂鎖性能超過100 mA，符合JESD 78 II級A急標(biāo)準(zhǔn)

*額定溫度范圍為-40℃至+125℃

目標(biāo)應(yīng)用

*手機(jī)、PDA、數(shù)碼相機(jī)和筆記本

*液晶顯示器、電視和機(jī)頂盒