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1900nmLED發(fā)光二極管

參考價
面議
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  • 型號
  • 品牌
  • 所在地
  • 更新時間2024-02-22
  • 廠商性質(zhì)其他
  • 所在地區(qū)
  • 實(shí)名認(rèn)證已認(rèn)證
  • 產(chǎn)品數(shù)量645
  • 人氣值19309
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1900nm發(fā)光二極管SMB1N-1900D-02和SMB1N-1900D均采用聚酰胺樹脂SMD 封裝(PA9T)。Roithner 1900nmLED發(fā)光二極管帶有1000x1000μm的砷化鎵芯片(InGaAs chip)。
1900nmLED發(fā)光二極管 產(chǎn)品詳情

PA9T SMD封裝的Roithner發(fā)光二極管,1900nm波長,30mW高功率

1900nm發(fā)光二極管SMB1N-1900D-02和SMB1N-1900D均采用聚酰胺樹脂SMD 封裝(PA9T)。Roithner 1900nmLED發(fā)光二極管帶有1000x1000μm的砷化鎵芯片(InGaAs chip)。砷化鎵芯片技術(shù)以及采用耐熱聚酰胺 (PA9T) SMD封裝,底座尺寸均為5x5mm。該產(chǎn)品SMB1N系列一如既往的高功率。

SMB1N-1900D是一款基于InGaAsP的表面貼裝高功率紅外高功率LED,典型峰值波長為1900nm,光輸出功率為27mW@1A。Roithner 高功率發(fā)光二極管采用聚酰胺樹脂 SMD 封裝 (PA9T),帶有鍍銀焊盤(可無鉛焊接)、銅散熱器和硅樹脂模壓平窗。SMB1N-1900D-02的光輸出功率為30mW@1A。1900nm高功率LED SMB1N-1900D-02不僅采用聚酰胺樹脂SMD封裝(PA9T),帶有鍍銀焊盤(可無鉛焊接)、銅散熱器和硅樹脂模制透鏡,還可根據(jù)要求提供不同光束角度的其他變體。

Roithner LED SMB1N-1900D與SMB1N-1900D-02的區(qū)別是SMB1N-1900D-02含有透鏡,從而導(dǎo)致其光束角為±9°,而SMB1N-1900D的光束角為±64°。


Roithner 1900nm LED的主要特點(diǎn):

-紅外高功率LED

-特定波長1900nm,光輸出功率27mWSMB1N-1900D)或30mWSMB1N-1900D-02

-砷化鎵芯片(InGaAs chip),1x1mm

  - PA9T SMD 封裝

  -光束角±64°(SMB1N-1900D)或±9°(SMB1N-1900D-02


1900nmLED發(fā)光二極管的額定值*          

參數(shù)

符號

最小值

單位

功率耗散

PD


1600

mW

正向電流

IF


1000

mA

脈沖正向電流**

IFP


2000

mA

反向電壓

UF


2

V

熱阻

RTHJA


10

K/W

結(jié)溫

TJ


120

°C

工作溫度

TCASE

-40

+85

°C

存儲溫度

TSTG

-40

+100

°C

引線焊接溫度 (tmax.5s)

TSLD


+250

°C

*接近或超過這些參數(shù)的操作可能會損壞設(shè)備

    **占空比=1%,脈沖寬度=10μs


1900nm高功率LED電子光學(xué)特性(TCASE = 25°C):

參數(shù)

符號

條件

最小值

典型值

單位

峰值波長

λP

IF=1 A

1850


1950

nm

半寬

λΔ

IF=1 A


120

nm

正向電壓

VF

IF=1 A


1.2

1.6

V

VFP

IFP=2 A*


1.6

總輻射功率

PO

IF=1 A

18

27

mW

IF=2 A*


47

輻射強(qiáng)度

IE

IF=1 A


/

mW/sr

IF=2 A*


/

視角

2θ1/2

IF=100 Ma


128

deg.

上升時間

tr

IF=1 A


90

ns

下降時間

tf

IF=1 A


30

ns

*占空比=1%,脈沖寬度=10μs

1900nmLED發(fā)光二極管的外形尺寸:


1900nm發(fā)光二極管SMB1N-1900D

紅外高功率Roithner LED典型性能曲線:




關(guān)鍵詞:發(fā)光二極管
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