晶圓蝕刻清洗機CES是ULTRA晶圓蝕刻清潔系統(tǒng),滿足晶片、光掩模和基板蝕刻清洗特定工藝需求。
晶圓蝕刻清洗機CESx124、126、128或133非常適合蝕刻和清潔從小直徑到超大直徑的各種尺寸的晶片、光掩模和基板。晶圓蝕刻清洗機CESx可配置多個過程分配選項,從用于DI-H2O或化學的Megasonic噴嘴;用于化學配藥的低壓噴嘴;化學和DI-H2O加熱器;用于表面攪拌以加速反應的刷子和/或DI-H2O;還有更多。
晶圓蝕刻清洗機可編程拋物線臂運動有助于確保均勻蝕刻??焖儆行У母稍锛夹g結合了可變的旋轉速度;可選加熱的DI-H2O;和氮輔助。該晶圓蝕刻清洗機非常安全,具有“沖洗至pH”功能,可在接觸基質之前去除腔室內的任何化學物質。
適合直徑不超過9x9英寸/300mm直徑的基片
•具有無刷伺服電機的主軸組件用于精確的速度控制和分度。
•擺動式分配臂,速度可調&行程位置&可編程拋物線行程。
•徑向排氣室,層流在蓋的頂部與N2進料一起流動。
•用于清潔和干燥輔助的DI-H2O加熱器。
•符合FM4910的PVDF工藝室,含PTFE涂層不銹鋼表面&獨立聚丙烯機柜,不銹鋼內部帶泄漏的框架和集成二次安全殼
•微處理器控制,能夠保持三十(30)個食譜在內存中有三十(30)個步驟。
•用清水沖洗至整個工藝區(qū)域和基材的pH值聯(lián)鎖裝置禁止進入工藝區(qū)和控制區(qū)排水和主軸速度,直到安全。
•按鈕蓋打開/關閉。
•觸摸屏圖形用戶界面(GUI),易于操作帶有屏幕錯誤的編程和安全鎖定報告。
•用于化學品和室內排水的排水分流器。
•設計符合SEMI S2/S8指南,占地面積小,寬28英寸,深24英寸,包括:集成式DI H2O加熱器;化學品儲存二級安全殼。面向所有人的前臺服務訪問組件。尺寸不包括后面板設施和連接




































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