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在美能光伏，我們涵蓋太陽能光伏的整個產業(yè)鏈：從機理研究到組件以及發(fā)電廠的質量保證。我們的研發(fā)范圍旨在與行業(yè)合作，促進在市場上推出新的創(chuàng)新產品。我們的目標是降低制造成本并支持中國光伏產業(yè)參與國際競爭。

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產品簡介在線詢價

WCT儀器展示Sinton的測量和分析技術，包括半標準準穩(wěn)態(tài)光電導系數(shù)（QSSPC)測量方法，該方法由Sinton公司在1994年研發(fā)。載流子合復壽命經過準確校準的測量方式，廣泛應用于太陽能單晶和多晶硅片。

Sinton離線晶片少子壽命測試儀 WCT-120 產品詳情

的瞬態(tài)光電導技術

QSSPC技術對于監(jiān)測多晶硅硅片，摻雜劑的擴散，和低壽命樣本是理想的技術。這種方法補充了瞬態(tài)光電導技術的運用。瞬態(tài)光電導技術在這臺設備上也是標準的。

QSSPC壽命測量

QSSPC壽命測量也產生隱含的開路電壓（與lllumination)曲線，這可以與an1-v曲線在太陽能電池過程的各個階段進行比較。

優(yōu)秀的軟件數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)

Sinton設備的分析能為每個晶片產生校準載流子注入水平，所以你可以以一個物理上的方式解讀壽命數(shù)據(jù)。每次測量都會顯示和記錄特定的參數(shù)。

WCT系統(tǒng)功能

單擊即可鎖定晶硅片的關鍵參數(shù)，包括方塊電阻、少子壽命、陷阱密度、發(fā)射極飽和電流密度和暗電壓

?制造過程的逐步監(jiān)測和優(yōu)化

?監(jiān)測初始材料質量

?晶片加工過程中檢測重金屬雜質

?評估表面鈍化和發(fā)射極摻雜擴散

?使用隱含V測量評估過程引起的分流

項目	內容
測量參數(shù)	少子壽命、電阻率、發(fā)射極飽和電流密度、陷阱濃度、標準太陽下Voc
壽命測量范圍	100nm-10ms
測量（分析）模式	QSSPC，瞬態(tài)和歸一化壽命分析
電阻率測量范圍	3-600（未摻雜）Ohms/sq
可得到的偏壓范圍	0-50suns
可得到的光譜	白光和紅外光
感應范圍	直徑40mm
樣品尺寸，標準配置	標準直徑：40-230mm
硅片厚度范圍	10-2000um

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