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BW-4022C 半導(dǎo)體光耦壓敏鋰電池綜合測(cè)試系統(tǒng)

參考價(jià)訂貨量

¥200001

≥1套

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 型號(hào)BW-4022C
  • 品牌
  • 所在地西安市
  • 更新時(shí)間2025-12-03
  • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
  • 所在地區(qū)西安市
  • 實(shí)名認(rèn)證已認(rèn)證
  • 產(chǎn)品數(shù)量13
  • 人氣值1900
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同類產(chǎn)品

陜西博微電通科技有限責(zé)任公司位于古都西安灃東新城能源金貿(mào)區(qū),我公司是一家致力于高精度半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備、電力電子檢測(cè)設(shè)備、半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室系統(tǒng)及電力儲(chǔ)能解決方案的集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售的高科技企業(yè)。

公司主營(yíng)產(chǎn)品有:半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)、光藕測(cè)試儀器、IC測(cè)試儀、半導(dǎo)體熱特性測(cè)試系統(tǒng)及電池安全管理系統(tǒng)等,

針對(duì)Si/SiC/GaN材料的IPM/IGBT/MOS/DIODE/BJT/SCR等功率器件、光耦、IC半導(dǎo)體測(cè)試產(chǎn)品,廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體企業(yè)測(cè)試計(jì)量、封裝測(cè)試、IDM測(cè)試、晶圓測(cè)試、DBC測(cè)試以及科研教學(xué)、智能電力、軌道交通、新能源汽車、白色家電等元器件應(yīng)用端產(chǎn)業(yè)鏈的來(lái)料檢驗(yàn)、器件選型及工業(yè)院所、實(shí)驗(yàn)室的數(shù)據(jù)驗(yàn)證分析和研發(fā)指導(dǎo)等。

半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備可針對(duì)Si/SiC/GaN材料的IPM/IGBT/MOS/DIODE/BJT/SCR等功率器件、光耦、IC可進(jìn)行高精度靜態(tài)參數(shù)測(cè)試(包括導(dǎo)通、關(guān)斷、擊穿、漏電、增益等直流參數(shù))測(cè)試精度可達(dá)16位ADC;動(dòng)態(tài)雙脈沖(包括Turn_ON_L/Turn_OFF_L/FRD/Qg)及Rg/UIS/SC/C/RBSOA測(cè)試等;環(huán)境老化測(cè)試(包括HTRB/HTGB/H3TRB/Surge/間歇壽命IOL/功率循環(huán)PCT3000 )及熱特性測(cè)試(包括PC/TC/Rth/Zth/Kcurve等)半導(dǎo)體器件測(cè)試設(shè)備/雪崩耐量測(cè)試UIS、二極管浪涌測(cè)試IFSM、熱阻測(cè)試、晶閘管直流參數(shù)測(cè)試SCR、安全工作區(qū)正偏/反偏/短路安全工作區(qū)測(cè)試SOA,各類型探針臺(tái)、高精度高低溫箱及分立器件分選機(jī)系統(tǒng)等

該系列產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體生產(chǎn)及應(yīng)用企業(yè)(設(shè)計(jì)、制造、封裝、IDM廠商、晶圓、DBC襯板)和下游產(chǎn)業(yè)(院所高校、電子廠、軌道機(jī)車、新能源汽車、白色家電等元器件的應(yīng)用端產(chǎn)業(yè)鏈)的來(lái)料檢驗(yàn)、器件分選、參數(shù)分析;廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室、研究所、高校等研發(fā)部參數(shù)對(duì)比、器件選型、驗(yàn)證分析、研發(fā)數(shù)據(jù)指導(dǎo)等。
      公司具備完整的電子產(chǎn)品生產(chǎn)線和質(zhì)量控制體系,擁有一批高素質(zhì)的技術(shù)研發(fā)人員和優(yōu)秀的管理團(tuán)隊(duì),專注于半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新和研發(fā)持續(xù)升級(jí)。公司注重產(chǎn)品
質(zhì)量,更注重售后服務(wù)和客戶滿意度,我們秉承“博厚共贏、服務(wù)入微”理念竭誠(chéng)為每一位客戶提供性價(jià)比高、高品質(zhì)的產(chǎn)品與服務(wù),解決客戶半導(dǎo)體測(cè)試痛點(diǎn),助力行業(yè)發(fā)展。








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產(chǎn)地國(guó)產(chǎn) 加工定制是
BW-4022C半導(dǎo)體綜合測(cè)試系統(tǒng)是針對(duì)于半導(dǎo)體器件開發(fā)測(cè)試的系統(tǒng),經(jīng)我公司產(chǎn)品升級(jí)與開發(fā),目前亦可以對(duì)二管、光電耦合器、壓敏電阻、鋰亞電池、晶振5種器件進(jìn)行參數(shù)測(cè)試,性能、精度、測(cè)試范圍均滿足客戶測(cè)試需求,可用于客戶端來(lái)料檢驗(yàn)、研發(fā)分析、 產(chǎn)品選型等重要檢測(cè)設(shè)備之一。
半導(dǎo)體光耦壓敏鋰電池綜合測(cè)試系統(tǒng) 產(chǎn)品詳情


    BW-4022C


    半導(dǎo)體綜合測(cè)試系統(tǒng)


    BW-4022C半導(dǎo)體綜合測(cè)試系統(tǒng)是針對(duì)于半導(dǎo)體器件開發(fā)測(cè)試的系統(tǒng),經(jīng)我公司產(chǎn)品升級(jí)與開發(fā),目前亦可以對(duì)二管、光電耦合器、壓敏電阻、鋰亞電池、晶振5種器件進(jìn)行參數(shù)測(cè)試,性能、精度、測(cè)試范圍均滿足客戶測(cè)試需求,可用于客戶端來(lái)料檢驗(yàn)、研發(fā)分析、 產(chǎn)品選型等重要檢測(cè)設(shè)備之一。

    BW-4022C 半導(dǎo)體綜合測(cè)試系統(tǒng)采用大規(guī)模 32 位 ARM&MCU 設(shè)計(jì), PC 中文操作界面,程控軟件基于 Lab VIEW 平臺(tái), 調(diào)用式菜單操作界面,測(cè)試界面簡(jiǎn)潔 靈活、人機(jī)界面友好。配合開爾文綜合集成測(cè)試插座,根據(jù)不同器件換測(cè)試座配合,系統(tǒng)可適配設(shè)置完成對(duì)二管、光電耦合器、壓敏電阻、鋰亞電池、晶振5種元件的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。

    該測(cè)試系統(tǒng)主要由測(cè)試主機(jī)和程控電腦及外部測(cè)試夾具三部分組成,并接受客戶端MES系統(tǒng)進(jìn)行測(cè)試指令:方案選取/開始/暫停/停止/數(shù)據(jù)上傳等操作執(zhí)行,并可將測(cè)試數(shù)據(jù)上傳至MES系統(tǒng)由客戶端處理。


    BW-4022C半導(dǎo)體綜合測(cè)試系統(tǒng)可同時(shí)針對(duì):

    【光耦】

    適用于〖三管管型光耦/可控硅光耦/繼電器光耦〗進(jìn)行測(cè)試。

    【二管】

    --Kelvin /Type_ident /Pin_test /Vrrm/Irrm/V/△Vf/V_Vrrm/I_Irrm/△Vrrm;

    〖Diode /穩(wěn)壓Diode/ZD/SBC/TVS/整流橋堆〗進(jìn)行測(cè)試。

    【壓敏電阻】

    〖Kelvin /Vrrm /Vdrm /Irrm /Idrm /△Vr〗進(jìn)行測(cè)試。

    【鋰亞電池】

    〖Kelvin/電池空載電壓(Vbt)/負(fù)載電壓(Vbt_load )  /測(cè)試電流(0-10A 恒流 )/負(fù)載電壓變化值(▲Vbt_load)/電池內(nèi)阻(Vbt Res)  等進(jìn)行測(cè)試。

    【晶振】

    〖震蕩頻率(Freq_osc )/諧振電阻(Ri)/頻率精度(Freq_ppm)/測(cè)試頻率范圍(10kHz~10MHz)等測(cè)試。

    【其他測(cè)試功能可定制拓展】

    一、 設(shè)備規(guī)格與環(huán)境要求

    物理規(guī)格

    主機(jī)尺寸:深 660*寬 430*高 210(mm) 臺(tái)式

    主機(jī)重量:<25kg

    產(chǎn)品色系:白色系

    工況環(huán)境

    主機(jī)功耗:<300W

    海拔高度:海拔不過(guò) 1500m;

    環(huán)境要求:-20℃~60℃(儲(chǔ)存)、5℃~50℃(工作);

    相對(duì)濕度: 20%RH~75%RH (無(wú)凝露,濕球溫度計(jì)溫度 45℃以下);

    大氣壓力:86Kpa~106Kpa;

    防護(hù)條件:無(wú)較大灰塵,腐蝕或性氣體,導(dǎo)電粉塵等;

    供電要求

    電源配置:AC220V±10%、50Hz±1Hz;

    工作時(shí)間:連續(xù);

    二、測(cè)試種類與技術(shù)指標(biāo)

    1、光耦測(cè)試:

    輸入(Input)相關(guān)參數(shù)

    · 正向電壓(Forward Voltage):

    · 符號(hào):Vf

    · 小值:無(wú)

    · 典型值:1.2 V

    · MAX值:1.4 V

    · 單位:V

    · 測(cè)試條件:If=20mA

    · 反向電流(Reverse Current):

    · 符號(hào):Ir

    · 小值:無(wú)

    · 典型值:無(wú)

    · MAX值:10 μA

    · 單位:μA

    · 測(cè)試條件:Vr=4V

    輸出(Output)相關(guān)參數(shù)

    · 集電暗電流(Collector Dark Current):

    · 符號(hào):Iceo

    · 小值:無(wú)

    · 典型值:無(wú)

    · MAX值:100 nA

    · 單位:nA

    · 測(cè)試條件:Vce-20V,If=0

    · 集電 - 發(fā)穿電壓(Collector-Emitter Breakdown Voltage):

    · 符號(hào):ceo

    · 小值:80 V

    · 典型值:無(wú)

    · MAX值:無(wú)

    · 單位:V

    · 測(cè)試條件:Ic-0.1mA,If=0

    · ** - 集電擊穿電壓(Emitter-Collector Breakdown Voltage):

    · 符號(hào):eco

    · 小值:6 V

    · 典型值:無(wú)

    · MAX值:無(wú)

    · 單位:V

    · 測(cè)試條件:Ie-10μA,,If=0

    · 集電電流(Collector Current):

    · 符號(hào):Ic

    · 小值:2.5 mA

    · 典型值:無(wú)

    · MAX值:30 mA

    · 單位:mA

    · 測(cè)試條件:If=5mA,Vce-5V

    · 電流傳輸比(Current Transfer Ratio):

    · 符號(hào):CTR

    · 小值:50 %

    · 典型值:無(wú)

    · MAX值:600 %

    · 單位:%

    · 測(cè)試條件:If=5mA,Vce-5V

    傳輸特性(TRANSFER CHARACTERISTICS)相關(guān)參數(shù)

    · 集電 - **飽和電壓(Collector-Emitter Saturation Voltage):

    · 符號(hào):Vce

    · 小值:無(wú)

    · 典型值:0.1 V

    · MAX值:0.2 V

    · 單位:V

    · 測(cè)試條件:If=20mA,Ic-1mA

    · 隔離電阻(Isolation Resistance):

    · 符號(hào):Riso

    · 小值: Ω

    · 典型值: Ω

    · MAX值:無(wú)

    · 單位:Ω

    · 測(cè)試條件:DC500V, 40 - 60% R.H.

    (以上參數(shù)基于晶體管LTV-816-Cu series特性參數(shù))

    三管管型光耦

    可控硅光耦

    繼電器光耦

    2、二管類測(cè)試

    · 二管類:二管

    · Diode

    · Kelvin ,Vrrm ,Irrm ,Vf ,△Vf ,△Vrrm ,Tr(選配);

    二管類:穩(wěn)壓二管

    · ZD(Zener Diode)

    · Kelvin ,Vz ,lr ,Vf ,△Vf ,△Vz ;

    二管類:穩(wěn)壓二管

    · ZD(Zener Diode)

    · Kelvin、Vz、lr、Vf、△Vf、△Vz;

    二管類:三端肖特基二管 SBD(SchottkyBarrierDiode)

    · Kelvin 、Type_ident 、Pin_test 、Vrrm、Irrm、Vf、△Vf、V_Vrrm、I_Irrm、△Vrrm;

    二管類: 瞬態(tài)二管

    · TVS

    · Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Vf、△Vf、△Vrrm  ;

    二管類:整流橋堆

    · Kelvin 、Vrrm、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm;

    二管類:三相整流橋堆

    · Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm;

    3、壓敏電阻測(cè)試

    · Kelvin 、Vrrm 、 Vdrm 、Irrm 、Idrm  、 △Vr ;(參數(shù)配置精度與二管一致)

    4、鋰亞電池測(cè)試

    · Kelvin(0~150mV)

    · 電池空載電壓(Vbt)  0-100V  +-0.2%

    · 負(fù)載電壓(Vbt_load )   0-100V  +-0.5%  測(cè)試電流(0-10A 恒流 )

    · 負(fù)載電壓變化值(▲Vbt_load)0-10v +-5% 測(cè)試電流(0-10A 恒流 )

    · 電池內(nèi)阻(Vbt Res)  0-10v +-5%  測(cè)試電流(0-10A 脈沖 )

    5、晶振測(cè)試

    · 震蕩頻率(Freq_osc )

    · 諧振電阻(Ri)

    · 頻率精度(Freq_ppm)

    · 測(cè)試頻率范圍(10kHz~10MHz)

    測(cè)試參數(shù)

    符號(hào)

    量程

    測(cè)試范圍

    測(cè)試條件

    測(cè)量精度

    震蕩頻率

    Fosc

    10kHz~100kHz

    100kHz~1MHz

    1MHz~5MHz

    5MHz~10MHz

    10kHz~10MHz


    0.1Hz

    諧振電阻

    Rz

    0~100K



    ±10%

    頻率精度

    ppm


    0-1000


    0.01%




    三、參數(shù)配置與性能指標(biāo)

    1. 電流/電壓源 VIS自帶VI測(cè)量單元

    1)加壓(FV)

    量程

    分辨率

    精度

    ±40V

    19.5mV

    ± 1%設(shè)定值+FullRange0.1%± 19.5mV

    ±20V

    10mV

    ±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±10mV

    ±10V

    5mV

    ±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±5mV

    ±5V

    2mV

    ±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±2mV

    ±2V

    1mV

    ±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±2mV







    2)加流(FI):

    量程

    分辨率

    精度

    ±100A

    195mA

    ±2% 設(shè)定值+FullRange0.1%±100mA

    ±40A

    19.5mA

    ±2% 設(shè)定值+FullRange0.1%±30mA

    ±4A

    1.95mA

    ±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±2mA

    ±400mA

    119.5uA

    ±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±200uA

    ±40mA

    11.95uA

    ±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±20uA

    ±4mA

    195nA

    ±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±200nA

    ±400uA

    19.5nA

    ±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±20nA

    ±40uA

    1.95nA

    ±2% 設(shè)定值+FullRange0.1%±2nA













    說(shuō)明:電流大于1.自動(dòng)轉(zhuǎn)為脈沖方式輸出,脈寬范圍:300u000us可調(diào)

    3). 電流測(cè)量(MI)

    量程

    分辨率

    精度

    ±100A

    12.2mA

    ±5% 讀數(shù)值+FullRange0.2%±100mA

    ±40A

    1.22mA

    ±1% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±20mA

    ±4A

    122uA

    ±0.5% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±2mA

    ±400mA

    12.2uA

    ±0.5% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±200uA

    ±40mA

    1.22uA

    ±0.5% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±20uA

    ±4mA

    122nA

    ±0.5% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±2uA

    ±400uA

    12.2nA

    ±0.5% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±200nA

    ±40uA

    1.22nA

    ±1% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±20nA









    4). 電壓測(cè)量(MV)

    量程

    分辨率

    精度

    ±40V

    1.22mV

    ±1% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±20mV

    ±20V

    122uV

    ±0.5% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±2mV

    ±10V

    12.2uV

    ±0.5% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±200uV

    ±5V

    1.22uV

    ±0.5% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±20uV








    2. 數(shù)據(jù)采集部分 VM (16位ADC,100K/S采樣速率)

    1). 電壓測(cè)量(MV)

    量程

    分辨率

    精度

    ±2000V

    1.22mV

    ±1% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±20mV

    ±100V

    122uV

    ±0.5% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±2mV

    ±10V

    12.2uV

    ±0.5% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±200uV

    ±1V

    1.22uV

    ±0.5% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±20uV






    2). 漏電流測(cè)量(MI)

    量程

    分辨率

    精度

    ±100mA

    30uA

    ±1% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±30uA

    ±10mA

    3uA

    ±1%   讀數(shù)值+FullRange0.1%±3uA

    ±1mA

    300nA

    ±1% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±300nA

    ±100uA

    30nA

    ±1% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±30nA

    ±10uA

    3nA

    ±1% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±10nA

    ±1uA

    300pA

    ±1% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±10nA

    ±100nA

    30pA

    ±1% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±5nA












    3. 高壓源  HVS(基本)16位DAC

    1).加壓(FV)

    量程

    分辨率

    精度

    2000V/10mA

    30.5mV

    ±0.5% 設(shè)定值+FullRange0.1%±500mV

    200V/10mA

    30.5mV

    ±0.5% 設(shè)定值+FullRange0.1%±500mV

    40V/50mA

    30.5mV

    ±0.5% 設(shè)定值+FullRange0.1%±500mV









    2).加流(FI):

    量程

    分辨率

    精度

    10mA

    4.88uA

    ±2% 設(shè)定值+FullRange0.1%±10uA

    2mA

    488nA

    ±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±2uA

    200uA

    48.8nA

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