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IDT晶振,貼片晶振,8N4Q001晶振

參考價(jià)
面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 型號(hào)
  • 品牌
  • 所在地深圳市
  • 更新時(shí)間2025-04-16
  • 廠商性質(zhì)其他
  • 所在地區(qū)
  • 實(shí)名認(rèn)證已認(rèn)證
  • 產(chǎn)品數(shù)量2072
  • 人氣值22383
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精工晶振富士晶振-中國大陸市場代理商:公司在多年來的發(fā)展,公司已擁有一支經(jīng)驗(yàn)豐富的團(tuán)隊(duì),建立了健全的供應(yīng)系統(tǒng)與服務(wù)體系,具備較強(qiáng)的生產(chǎn)和配套供應(yīng)及應(yīng)變能力。目前公司業(yè)務(wù)范圍遍及國內(nèi)十多個(gè)省市, 與國內(nèi)多家企業(yè)建立了良好的合作關(guān)系。公司專業(yè)生產(chǎn):石英晶振,表晶,32.768KHZ,陶瓷晶振,貼片晶振,有源晶振,VC-TCXO壓控溫補(bǔ)振蕩器,,溫補(bǔ)晶振,壓控振蕩器, 石英晶體振蕩器,陶瓷霧化片,霧化片,等系列產(chǎn)品、陶瓷諧振器,SMD諧振器,陶瓷濾波器,聲表面諧振器,DIP濾波器,聲表面濾波器,等系列產(chǎn)品.產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于鐘表, 通訊設(shè)備,電腦,音響,儀器儀表,家用電器,衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng),及各種頻率控制設(shè)備.本公司和世界多個(gè)石英晶體元器件廠商有著長期的合作關(guān)系:品牌有,進(jìn)口晶振, 愛普生晶振,KDS晶振,精工晶體,西鐵城晶體,村田陶瓷諧振器.
點(diǎn)擊展示更多內(nèi)容
有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時(shí)的消費(fèi)電流是15 μA以下,編帶包裝方式可對(duì)應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊接(無鉛對(duì)應(yīng))產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對(duì)不同IC產(chǎn)品需要.
IDT晶振,貼片晶振,8N4Q001晶振 產(chǎn)品詳情

IDT晶振,貼片晶振,8N4Q001晶振,IDT晶振集團(tuán),成立于1980年公司發(fā)展在各地均設(shè)有分公司,人員大概在2000左右,總部位于加州圣何塞市。IDT晶振集團(tuán) 提供石英晶體振蕩器 (XO) 和 FemtoClock® NG 可編程晶體振蕩器,能滿足幾乎任何應(yīng)用的需求. XL 和 XU 晶體振蕩器產(chǎn)品系列是高性能、低抖動(dòng)時(shí)鐘源,具有低至 300 fs 的典型 RMS 相位抖動(dòng),并可提供多種頻率、性能級(jí)別、輸出類型、穩(wěn)定性、輸入電壓、封裝、引腳配置和溫度等級(jí). 對(duì)于尋求在壓控晶體振蕩器封裝中提供高性能和的靈活性的時(shí)鐘源的高級(jí)系統(tǒng)設(shè)計(jì)者而言,FemtoClock NG 器件是他們的理想選擇.VCXO壓控振蕩器,7050石英晶體振蕩器,8N4Q001晶振

項(xiàng)目

符號(hào)

8N4Q001晶振規(guī)格說明

條件

輸出頻率范圍

f0

15.476MHz to 1300MHz

請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息

電源電壓

VCC

2.5V to 3.3 V

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儲(chǔ)存溫度

T_stg

-55℃ to +125℃

裸存

工作溫度

T_use

G: -40℃ to +85℃

請(qǐng)聯(lián)系我們查看更多資料

H: -40℃ to +105℃

J: -40℃ to +125℃

頻率穩(wěn)定度

f_tol

J: ±50 × 10-6

 

L: ±100 × 10-6

T: ±150 × 10-6

功耗

ICC

3.5 mA Max.

無負(fù)載條件、工作頻率

待機(jī)電流

I_std

3.3μA Max.

ST=GND

占空比

SYM

45 % to 55 %

50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF

輸出電壓

VOH

VCC-0.4V Min.

 

VOL

0.4 V Max.

 

輸出負(fù)載條件

L_CMOS

15 pF Max.

 

輸入電壓

VIH

80% VCC Max.

ST 終端

VIL

20 % VCC Max.

上升/下降時(shí)間

tr / tf

4 ns Max.

20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF

振蕩啟動(dòng)時(shí)間

t_str

3 ms Max.

t=0 at 90 %

頻率老化

f_aging

±3 × 10-6 / year Max.

+25 ℃, 初年度,年

晶振使用注意事項(xiàng)

<晶體諧振器>

如果過大的激勵(lì)電力對(duì)石英晶體諧振器外加電壓,有可能導(dǎo)致特性老化或損壞,因此請(qǐng)?jiān)谛麄鲀?cè)、規(guī)格書中規(guī)定的范圍內(nèi)使用。

讓無源晶振振蕩的電路寬裕度大致為負(fù)性阻抗值。本公司推薦此負(fù)性阻抗為諧振器串聯(lián)電阻規(guī)格值的5倍以上,若是車載和安全設(shè)備,則推薦10倍 以上。

<晶體振蕩器>

晶體振蕩器的內(nèi)部電路使用C-MOS。閉鎖、靜電對(duì)策請(qǐng)和一般的C-MOS IC一樣考慮。

有些石英晶體振蕩器沒有和旁路電容器進(jìn)行內(nèi)部連接。使用時(shí),請(qǐng)?jiān)赩dd-GND之間用0.01μF左右的高頻特性較好的電容器(陶瓷片狀電容器等)以 最短距離連接。關(guān)于個(gè)別機(jī)型請(qǐng)確認(rèn)宣傳冊(cè)、規(guī)格書。

<晶體濾波器>

注意電路板圖形的配置,避免輸入端子和輸出端子靠得太近。

如果貼裝晶體濾光片的電路板的雜散電容較大,為了消除該雜散電容,有時(shí)需要配置調(diào)諧電路。

如果過大的激勵(lì)電力對(duì)諧振器外加電壓,有可能導(dǎo)致特性老化或損壞,因此請(qǐng)?jiān)跒V波器的輸入電平在−10dBm以下的狀態(tài)下使用。VCXO壓控振蕩器,7050石英晶體振蕩器,8N4Q001晶振

IDT晶振集團(tuán)環(huán)?;纠砟睿?/span>

1.作為良好的企業(yè)市民,遵循本公司的行動(dòng)方針,充分關(guān)心維護(hù)地球環(huán)境.遵守國內(nèi)外的有關(guān)環(huán)保法規(guī).

2.保護(hù)自然環(huán)境,充分關(guān)注自然生態(tài)等方面的環(huán)境保護(hù),維持和保全生物多樣性.

3.有效利用石英晶體資源和能源,認(rèn)識(shí)到資源和能源的有限性,努力進(jìn)行有效利用.

4為構(gòu)建循環(huán)型社會(huì)做出貢獻(xiàn),致力于減少晶體振蕩器,有源晶振,石英晶振,7050晶振廢棄物及廢棄物的再利用核再生循環(huán),努力構(gòu)建循環(huán)型社會(huì).

5.在晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器開發(fā)和制造過程中使用對(duì)環(huán)境健康的、可回收利用的材料

6.IDT晶振集團(tuán)盡可能的采用無害的貼片晶振,壓電石英晶體原材料和生產(chǎn)技術(shù),避免有害物質(zhì)的產(chǎn)生,比如消耗臭氧層物質(zhì)、溫室氣體及其它污染物.集團(tuán)公司同時(shí)將致力于這些物質(zhì)的收集和回收,最小化有害原料的使用。VCXO壓控振蕩器,7050石英晶體振蕩器,8N4Q001晶振

關(guān)鍵詞:振蕩器 電容器
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