晶振使用注意事項(xiàng)

抗沖擊

貼片晶振可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用。

輻射

暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致石英晶體性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。

化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境

請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解進(jìn)口晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。LVDS輸出晶振,5032差分晶體振蕩器,XLP晶振

粘合劑

請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致SMD晶振所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 （比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）

鹵化合物

請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用有源晶振。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí)，請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹(shù)脂。

靜電

過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞石英晶體諧振器，請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候，請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路，并進(jìn)行接地操作。

IDT 晶振集團(tuán)環(huán)?；纠砟睿?/span>

IDT 晶振集團(tuán)采用系統(tǒng)的方法來(lái)解決其產(chǎn)品的環(huán)境影響開(kāi)發(fā)和銷(xiāo)售擁有利的環(huán)境特性同時(shí)又滿(mǎn)足可能功效標(biāo)準(zhǔn)的石英晶振,貼片晶振。采用對(duì)環(huán)境盡可能健康的生產(chǎn)工藝。

無(wú)論公司在世界何處,其經(jīng)營(yíng)都應(yīng)保證生產(chǎn)過(guò)程和產(chǎn)品符合同等的環(huán)境標(biāo)準(zhǔn)，確保業(yè)務(wù)合作伙伴對(duì)環(huán)境問(wèn)題同等關(guān)注。從事并參與環(huán)境領(lǐng)域的研究和開(kāi)發(fā)活動(dòng)以公開(kāi)和客觀的方式提供有關(guān)其環(huán)境影響的信息

在晶振,石英晶振,5032晶振,壓控振蕩器開(kāi)發(fā)和制造過(guò)程中使用對(duì)環(huán)境健康的、可回收利用的材料為開(kāi)發(fā)高效的、對(duì)環(huán)境影響最小的運(yùn)輸系統(tǒng)而工作。

IDT 晶振集團(tuán)將建立可行的技術(shù)及經(jīng)濟(jì)性環(huán)境目標(biāo),并確保其環(huán)境保護(hù)活動(dòng)的質(zhì)量.集團(tuán)公司將關(guān)注所有環(huán)境適用的法律、法規(guī)和協(xié)議的遵守情況.另外為更有效的進(jìn)行環(huán)境保護(hù),將建立自己的的環(huán)境標(biāo)準(zhǔn).

IDT 晶振集團(tuán)將在各領(lǐng)域內(nèi)的晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器商務(wù)運(yùn)作中實(shí)施持續(xù)改進(jìn),包括能源資源的保持,回收再利用以及減少?gòu)U棄物等。LVDS輸出晶振,5032差分晶體振蕩器,XLP晶振