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KDS晶振,有源晶振,DSO321SN晶振

參考價(jià)
面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 型號
  • 品牌
  • 所在地深圳市
  • 更新時(shí)間2025-04-16
  • 廠商性質(zhì)其他
  • 所在地區(qū)
  • 實(shí)名認(rèn)證已認(rèn)證
  • 產(chǎn)品數(shù)量2072
  • 人氣值22806
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精工晶振富士晶振-中國大陸市場代理商:公司在多年來的發(fā)展,公司已擁有一支經(jīng)驗(yàn)豐富的團(tuán)隊(duì),建立了健全的供應(yīng)系統(tǒng)與服務(wù)體系,具備較強(qiáng)的生產(chǎn)和配套供應(yīng)及應(yīng)變能力。目前公司業(yè)務(wù)范圍遍及國內(nèi)十多個(gè)省市, 與國內(nèi)多家企業(yè)建立了良好的合作關(guān)系。公司專業(yè)生產(chǎn):石英晶振,表晶,32.768KHZ,陶瓷晶振,貼片晶振,有源晶振,VC-TCXO壓控溫補(bǔ)振蕩器,,溫補(bǔ)晶振,壓控振蕩器, 石英晶體振蕩器,陶瓷霧化片,霧化片,等系列產(chǎn)品、陶瓷諧振器,SMD諧振器,陶瓷濾波器,聲表面諧振器,DIP濾波器,聲表面濾波器,等系列產(chǎn)品.產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于鐘表, 通訊設(shè)備,電腦,音響,儀器儀表,家用電器,衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng),及各種頻率控制設(shè)備.本公司和世界多個(gè)石英晶體元器件廠商有著長期的合作關(guān)系:品牌有,進(jìn)口晶振, 愛普生晶振,KDS晶振,精工晶體,西鐵城晶體,村田陶瓷諧振器.
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有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時(shí)的消費(fèi)電流是15 A以下,編帶包裝方式可對應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊接(無鉛對應(yīng))產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對不同IC產(chǎn)品需要..
KDS晶振,有源晶振,DSO321SN晶振 產(chǎn)品詳情

KDS晶振,有源晶振,DSO321SN晶振,日本株式會社KDS晶振不斷努力為我們的客戶在日本國內(nèi)外提供的質(zhì)量和滿意程度高。所生產(chǎn)石英晶振,陶瓷晶振,聲表面諧振器,有源晶振等器件遍布,包括美國、英國、德國,到中國,新加坡,泰國和其他亞洲國家。以“依賴”為公司方針,以客戶為導(dǎo)向,創(chuàng)新高效的經(jīng)營管理,努力創(chuàng)造利潤,履行企業(yè)社會責(zé)任。日本大真空株式會社KDS晶振,于1993年被天津政府對外資招商部特別邀請?jiān)谥袊旖蛲顿Y.日本大真空在當(dāng)年5月份,就在天津市位于武清開發(fā)區(qū)確定投資建廠,品牌是簡稱(KDS晶振)當(dāng)時(shí)總額1.4億美元,注冊資本4867.3萬美元,占地面積67.5畝.

小體積貼片型有源晶振,在生產(chǎn)時(shí)需要在凈化車間,在密封的機(jī)器設(shè)備中測良,封裝等技術(shù)1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生;2.使組件在真空下電阻減??;3.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶體元器必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振,貼片型有源晶振,DSO321SN晶振

項(xiàng)目

符號

DSO321SN晶振

條件

輸出頻率范圍

f0

1.5625 MHz to 100 MHz

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電源電壓

VCC

0.9v,1.3V,1.5V

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儲存溫度

T_stg

-40℃ to +85℃

裸存

工作溫度

T_use

G: -10℃ to +70℃

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H: -20℃ to +70℃


頻率穩(wěn)定度

f_tol

J: ±50 × 10-6

 

L: ±100 × 10-6

T: ±150 × 10-6

功耗

ICC

3.5 mA Max.

無負(fù)載條件、工作頻率

待機(jī)電流

I_std

3.3μA Max.

ST=GND

占空比

SYM

45 % to 55 %

50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF

輸出電壓

 

VOH

VCC-0.4V Min.

 

VOL

0.4 V Max.

 

輸出負(fù)載條件

L_CMOS

15 pF Max.

 

輸入電壓

VIH

80% VCC Max.

ST 終端

VIL

20 % VCC Max.

上升/下降時(shí)間

tr / tf

4 ns Max.

20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF

振蕩啟動(dòng)時(shí)間

t_str

3 ms Max.

t=0 at 90 %

頻率老化

f_aging

±3 × 10-6 / year Max.

+25 ℃, 初年度,年

<晶體諧振器>

如果過大的激勵(lì)電力對石英晶體諧振器外加電壓,有可能導(dǎo)致特性老化或損壞,因此請?jiān)谛麄鲀?、?guī)格書中規(guī)定的范圍內(nèi)使用。

讓無源晶振振蕩的電路寬裕度大致為負(fù)性阻抗值。本公司推薦此負(fù)性阻抗為諧振器串聯(lián)電阻規(guī)格值的5倍以上,若是車載和安全設(shè)備,則推薦10倍 以上。

<晶體振蕩器>

石英晶體振蕩器的內(nèi)部電路使用C-MOS。閉鎖、靜電對策請和一般的C-MOS IC一樣考慮。

有些石英晶體振蕩器沒有和旁路電容器進(jìn)行內(nèi)部連接。使用時(shí),請?jiān)赩dd-GND之間用0.01μF左右的高頻特性較好的電容器(陶瓷片狀電容器等)以 最短距離連接。關(guān)于個(gè)別機(jī)型請確認(rèn)宣傳冊、規(guī)格書。

<晶體濾波器>

注意電路板圖形的配置,避免輸入端子和輸出端子靠得太近。

如果貼裝晶體濾光片的電路板的雜散電容較大,為了消除該雜散電容,有時(shí)需要配置調(diào)諧電路。

如果過大的激勵(lì)電力對諧振器外加電壓,有可能導(dǎo)致特性老化或損壞,因此請?jiān)跒V波器的輸入電平在−10dBm以下的狀態(tài)下使用。

<光學(xué)產(chǎn)品>

由于制造過程中進(jìn)行了灰塵等異物管理,因此包裝開封以后,請?jiān)谶M(jìn)行清潔度管理的環(huán)境中使用。石英晶振,貼片型有源晶振,DSO321SN晶振

日本大真空株式會社KDS晶振將:      

通過適當(dāng)控制環(huán)境影響的物質(zhì),減少能源的使用,以達(dá)到節(jié)約能源和節(jié)約資源的目的。有效利用資源,防止環(huán)境污染,減少和妥善處理廢物,包括再利用和再循環(huán)。通過開展節(jié)能活動(dòng)和減少二氧化碳排放防止變暖。避免采購或使用直接或間接資助或受益剛果民主共和國或鄰近國家武裝組織的礦產(chǎn)。遵守有關(guān)環(huán)境保護(hù)的法律、標(biāo)準(zhǔn)、協(xié)議和任何公司承諾的其他要求。

環(huán)境政策,在其業(yè)務(wù)活動(dòng)的所有領(lǐng)域,從開發(fā)、生產(chǎn)和銷售的壓電石英晶體元器件、3225晶振、有源晶體、壓電陶瓷諧振器,大真空集團(tuán)業(yè)務(wù)政策促進(jìn)普遍信任的環(huán)境管理活動(dòng).

KDS晶振集團(tuán)認(rèn)識到進(jìn)行環(huán)境管理和資源保持的責(zé)任和必要性,同時(shí)也認(rèn)識到針對環(huán)境問題,為保持國際環(huán)境而進(jìn)行各行業(yè)建設(shè)性的合作是極其重要的。

推進(jìn)晶振,有源晶振,壓控振蕩器, 壓電石英晶體、有源晶體等元器件的環(huán)保型業(yè)務(wù),充分發(fā)揮綜合實(shí)力,推進(jìn)環(huán)保型業(yè)務(wù),為減輕社會的環(huán)境負(fù)荷做出貢獻(xiàn).石英晶振,貼片型有源晶振,DSO321SN晶振

過去KDS晶振集團(tuán)已經(jīng)針對重大污染控制項(xiàng)目建立了一整套記錄程序并且將繼續(xù)識別解決其自身環(huán)境污染及保持問題,加強(qiáng)責(zé)任感以便進(jìn)行環(huán)境績效的持續(xù)改進(jìn).

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