KDS晶振,OSC晶振,DSO223SK晶振,DSO323SK晶振,日本株式會社KDS晶振不斷努力為我們的客戶在日本國內(nèi)外提供的質(zhì)量和滿意程度高。所生產(chǎn)石英晶振，陶瓷晶振,聲表面諧振器,有源晶振等器件遍布,包括美國、英國、德國，到中國，新加坡，泰國和其他亞洲國家。以“依賴”為公司方針，以客戶為導(dǎo)向，創(chuàng)新高效的經(jīng)營管理，努力創(chuàng)造利潤，履行企業(yè)社會責(zé)任。日本大真空株式會社KDS晶振,于1993年被天津政府對外資招商部特別邀請在中國天津投資.日本大真空在當(dāng)年5月份,就在天津市位于武清開發(fā)區(qū)確定投資建廠,品牌是簡稱(KDS晶振)當(dāng)時總額1.4億美元,注冊資本4867.3萬美元,占地面積67.5畝.
小體積貼片型有源晶振，在生產(chǎn)時需要在凈化車間，在密封的機(jī)器設(shè)備中測良，封裝等技術(shù)1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生；2.使組件在真空下電阻減??；3.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶體元器必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。貼片有源晶振,DSO223SK晶振,DSO323SK晶振
| 項目 | 符號 | DSO223SK晶振 | 條件 |
| 輸出頻率范圍 | f0 | 13.5 MHz to 167 MHz | 請聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息 |
| 電源電壓 | VCC | 1.8v,2.5v,2.8v,3.0v,3.3v,5.0V | 請聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息 |
| 儲存溫度 | T_stg | -40℃ to +85℃ | 裸存 |
| 工作溫度 | T_use | G: -10℃ to +70℃ | 請聯(lián)系我們查看更多資料 |
| H: -20℃ to +70℃ | |||
| | |||
| 頻率穩(wěn)定度 | f_tol | J: ±50 × 10-6 |
|
| L: ±100 × 10-6 | |||
| T: ±150 × 10-6 | |||
| 功耗 | ICC | 3.5 mA Max. | 無負(fù)載條件、工作頻率 |
| 待機(jī)電流 | I_std | 3.3μA Max. | ST=GND |
| 占空比 | SYM | 45 % to 55 % | 50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
| 輸出電壓
| VOH | VCC-0.4V Min. |
|
| VOL | 0.4 V Max. |
| |
| 輸出負(fù)載條件 | L_CMOS | 15 pF Max. |
|
| 輸入電壓 | VIH | 80% VCC Max. | ST 終端 |
| VIL | 20 % VCC Max. | ||
| 上升/下降時間 | tr / tf | 4 ns Max. | 20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF |
| 振蕩啟動時間 | t_str | 3 ms Max. | t=0 at 90 % |
| 頻率老化 | f_aging | ±3 × 10-6 / year Max. | +25 ℃, 初年度,年 |
| 項目 | 符號 | DSO323SK晶振 | 條件 |
| 輸出頻率范圍 | f0 | 13.5 MHz to 212.5 MHz | 請聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息 |
| 電源電壓 | VCC | 1.8v,2.5v,2.8v,3.0v,3.3v,5.0V | 請聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息 |
| 儲存溫度 | T_stg | -40℃ to +85℃ | 裸存 |
| 工作溫度 | T_use | G: -10℃ to +70℃ | 請聯(lián)系我們查看更多資料 |
| H: -20℃ to +70℃ | |||
| | |||
| 頻率穩(wěn)定度 | f_tol | J: ±50 × 10-6 |
|
| L: ±100 × 10-6 | |||
| T: ±150 × 10-6 | |||
| 功耗 | ICC | 3.5 mA Max. | 無負(fù)載條件、工作頻率 |
| 待機(jī)電流 | I_std | 3.3μA Max. | ST=GND |
| 占空比 | SYM | 45 % to 55 % | 50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
| 輸出電壓
| VOH | VCC-0.4V Min. |
|
| VOL | 0.4 V Max. |
| |
| 輸出負(fù)載條件 | L_CMOS | 15 pF Max. |
|
| 輸入電壓 | VIH | 80% VCC Max. | ST 終端 |
| VIL | 20 % VCC Max. | ||
| 上升/下降時間 | tr / tf | 4 ns Max. | 20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF |
| 振蕩啟動時間 | t_str | 3 ms Max. | t=0 at 90 % |
| 頻率老化 | f_aging | ±3 × 10-6 / year Max. | +25 ℃, 初年度,年 |
DSO223SK晶振尺寸圖
DSO323SK晶振尺寸圖
＜晶體諧振器＞
如果過大的激勵電力對石英晶體諧振器外加電壓，有可能導(dǎo)致特性老化或損壞，因此請在宣傳冊、規(guī)格書中規(guī)定的范圍內(nèi)使用。
讓無源晶振振蕩的電路寬裕度大致為負(fù)性阻抗值。本公司推薦此負(fù)性阻抗為諧振器串聯(lián)電阻規(guī)格值的5倍以上，若是車載和安全設(shè)備，則推薦10倍 以上。
＜晶體振蕩器＞
石英晶體振蕩器的內(nèi)部電路使用C-MOS。閉鎖、靜電對策請和一般的C-MOS IC一樣考慮。
有些石英晶體振蕩器沒有和旁路電容器進(jìn)行內(nèi)部連接。使用時，請在Vdd-GND之間用0.01μF左右的高頻特性較好的電容器（陶瓷片狀電容器等）以 最短距離連接。關(guān)于個別機(jī)型請確認(rèn)宣傳冊、規(guī)格書。
＜晶體濾波器＞
注意電路板圖形的配置，避免輸入端子和輸出端子靠得太近。
如果貼裝晶體濾光片的電路板的雜散電容較大，為了消除該雜散電容，有時需要配置調(diào)諧電路。
如果過大的激勵電力對諧振器外加電壓，有可能導(dǎo)致特性老化或損壞，因此請在濾波器的輸入電平在−10dBm以下的狀態(tài)下使用。
＜光學(xué)產(chǎn)品＞
由于制造過程中進(jìn)行了灰塵等異物管理，因此包裝開封以后，請在進(jìn)行清潔度管理的環(huán)境中使用。貼片有源晶振,DSO223SK晶振,DSO323SK晶振
日本大真空株式會社KDS晶振將： 貼片有源晶振,DSO223SK晶振,DSO323SK晶振
通過適當(dāng)控制環(huán)境影響的物質(zhì)，減少能源的使用，以達(dá)到節(jié)約能源和節(jié)約資源的目的。有效利用資源，防止環(huán)境污染，減少和妥善處理廢物，包括再利用和再循環(huán)。通過開展節(jié)能活動和減少二氧化碳排放防止變暖。避免采購或使用直接或間接資助或受益剛果民主共和國或鄰近國家武裝組織的礦產(chǎn)。遵守有關(guān)環(huán)境保護(hù)的法律、標(biāo)準(zhǔn)、協(xié)議和任何公司承諾的其他要求。
環(huán)境政策，在其業(yè)務(wù)活動的所有領(lǐng)域，從開發(fā)、生產(chǎn)和銷售的壓電石英晶體元器件、3225晶振、有源晶體、壓電陶瓷諧振器，大真空集團(tuán)業(yè)務(wù)政策促進(jìn)普遍信任的環(huán)境管理活動.
KDS晶振集團(tuán)認(rèn)識到進(jìn)行環(huán)境管理和資源保持的責(zé)任和必要性,同時也認(rèn)識到針對環(huán)境問題,為保持國際環(huán)境而進(jìn)行各行業(yè)建設(shè)性的合作是極其重要的。
推進(jìn)晶振,有源晶振,壓控振蕩器, 壓電石英晶體、有源晶體等元器件的環(huán)保型業(yè)務(wù),充分發(fā)揮綜合實力,推進(jìn)環(huán)保型業(yè)務(wù),為減輕社會的環(huán)境負(fù)荷做出貢獻(xiàn).
過去KDS晶振集團(tuán)已經(jīng)針對重大污染控制項目建立了一整套記錄程序并且將繼續(xù)識別解決其自身環(huán)境污染及保持問題,加強(qiáng)責(zé)任感以便進(jìn)行環(huán)境績效的持續(xù)改進(jìn).
宁强县|
海丰县|
赣州市|
涿鹿县|
奈曼旗|
逊克县|
鄂尔多斯市|
合江县|
炉霍县|
府谷县|
饶平县|
龙山县|
监利县|
保康县|
辽源市|
西丰县|
塔城市|
乐至县|
马关县|
荔波县|
英山县|
育儿|
乡城县|
长兴县|
博野县|
玉树县|
荣成市|
军事|
舞钢市|
囊谦县|
调兵山市|
柯坪县|
永康市|
从江县|
方正县|
清丰县|
阜康市|
土默特左旗|
台中市|
许昌县|
临颍县|