晶振使用注意事項

＜晶體諧振器＞

如果過大的激勵電力對石英晶體諧振器外加電壓，有可能導致特性老化或損壞，因此請在宣傳冊、規(guī)格書中規(guī)定的范圍內使用。

讓無源晶振振蕩的電路寬裕度大致為負性阻抗值。本公司推薦此負性阻抗為諧振器串聯(lián)電阻規(guī)格值的5倍以上，若是車載和安全設備，則推薦10倍 以上。

＜晶體振蕩器＞

晶體振蕩器的內部電路使用C-MOS。閉鎖、靜電對策請和一般的C-MOS IC一樣考慮。

有些石英晶體振蕩器沒有和旁路電容器進行內部連接。使用時，請在Vdd-GND之間用0.01μF左右的高頻特性較好的電容器（陶瓷片狀電容器等）以 最短距離連接。關于個別機型請確認宣傳冊、規(guī)格書。

＜晶體濾波器＞

注意電路板圖形的配置，避免輸入端子和輸出端子靠得太近。

如果貼裝晶體濾光片的電路板的雜散電容較大，為了消除該雜散電容，有時需要配置調諧電路。

如果過大的激勵電力對諧振器外加電壓，有可能導致特性老化或損壞，因此請在濾波器的輸入電平在−10dBm以下的狀態(tài)下使用。

IDT 晶振集團采用系統(tǒng)的方法來解決其產品的環(huán)境影響    有源晶振,可編程晶體振蕩器,8N3D085晶振

開發(fā)和銷售擁有利的環(huán)境特性同時又滿足可能功效標準的石英晶振,貼片晶振

采用對環(huán)境盡可能健康的生產工藝

在晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器開發(fā)和制造過程中使用對環(huán)境健康的、可回收利用的材料

為開發(fā)高效的、對環(huán)境影響最小的運輸系統(tǒng)而工作

無論公司在世界何處,其經營都應保證生產過程和產品符合同等的環(huán)境標準

確保業(yè)務合作伙伴對環(huán)境問題同等關注

從事并參與環(huán)境領域的研究和開發(fā)活動

以公開和客觀的方式提供有關其環(huán)境影響的信息

IDT 晶振集團將建立可行的技術及經濟性環(huán)境目標,并確保其環(huán)境保護活動的質量.

集團公司將關注所有環(huán)境適用的法律、法規(guī)和協(xié)議的遵守情況.另外為更有效的進行環(huán)境保護,將建立自己的的環(huán)境標準.

IDT 晶振集團將在各領域內的晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器商務運作中實施持續(xù)改進,包括能源資源的保持,回收再利用以及減少廢棄物等.

IDT晶振集團盡可能的采用無害的石英晶振,貼片晶振,壓電石英晶體原材料和生產技術,避免有害物質的產生,比如消耗臭氧層物質、溫室氣體及其它污染物.集團公司同時將致力于這些物質的收集和回收,最小化有害原料的使用.

IDT 晶振環(huán)境影響的最小化：遵照社會的期望,改進我們的環(huán)境行為,我們將通過有效利用森林、能源以及其它資源,減少各種形式的廢物來實現(xiàn)這一承諾.

環(huán)境管理體系：在每一個運行部門,實施支持方針的系統(tǒng)的環(huán)境管理工具.我們將確保適當?shù)娜肆Y源和充分的財力保障.每年我們都將建立可測量的環(huán)境管理以及行為改進的目標和指標.