京瓷晶振,1612晶振,CX1612DB晶振,京瓷晶振集團在的事業(yè)涉及原料、零件、設備、機器,以及服務、網(wǎng)絡等各個領域。在集團內部,若將相關的有源晶振,壓控晶體振蕩器, 晶振,石英晶振, 石英晶體振蕩器等產(chǎn)品和事業(yè)視為一條生產(chǎn)線,其開發(fā)、生產(chǎn)、銷售以及物流等等,所有程序都被有機地結合起來,并且有效地利用現(xiàn)有經(jīng)營資源,通過發(fā)揮協(xié)同效應,使其構筑得更加牢固。
1979年12月在日本設立鹿兒島電子株式會社,1980年8月在日本設立滋賀八日市工,1982年10月1日與Cybernet工業(yè)(株)等4家相關公司合并,新公司更名為“京瓷株式會社“,2015年9月日本英達株式會社加盟京瓷集團,2016年7月將北美4家關聯(lián)公司合并到Kyocera International,Inc。貼片石英晶振,1612貼片晶振,CX1612DB晶振
| 京瓷晶振 | 單位 | CX1612DB晶振 | 石英晶振基本條件 |
| 標準頻率 | f_nom | 37400KHz~60000KHz | 標準頻率 |
| 儲存溫度 | T_stg | -40°C ~ +85°C | 裸存 |
| 工作溫度 | T_use | -30°C ~ +85°C | 標準溫度 |
| 激勵功率 | DL | 10μW Max. | 推薦:1μW ~ 100μW |
| 頻率公差 | f_— l | ±10 × 10-6 (標準) | +25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, |
| 頻率溫度特征 | f_tem | ±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C | 超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
| 負載電容 | CL | 8pF | 不同負載要求,請聯(lián)系我們. |
| 串聯(lián)電阻(ESR) | R1 | 如下表所示 | -40°C — +85°C, DL = 100μW |
| 頻率老化 | f_age | ±5 × 10-6 / year Max. | +25°C,年 |
在使用京瓷晶振時應注意以下事項:
所有產(chǎn)品的共同點
1:抗沖擊
抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用.因為無論何種石英晶振,其內部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響.
2:輻射
將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導致產(chǎn)品性能受到損害,因此應避免陽光長時間的照射.貼片石英晶振,1612貼片晶振,CX1612DB晶振
3:化學制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品.
4:粘合劑
請勿使用可能導致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能.)
5:鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產(chǎn)生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂.
6:靜電
過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導電材料.在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作.
京瓷晶振為區(qū)域發(fā)展所做的貢獻受到了高度評價,連續(xù)6年榮獲日本環(huán)境省頒發(fā)的"防止變暖活動環(huán)境大臣表彰獎",成為獲獎次數(shù)最多的企業(yè)。
京瓷32.768K晶振的各項能源、資源消耗指標和排放指標達到、水平。實施創(chuàng)新戰(zhàn)略,提高自主創(chuàng)新能力,確保公司可持續(xù)發(fā)展。實施節(jié)約戰(zhàn)略,提高建設節(jié)約環(huán)保型企業(yè)能力,確保實現(xiàn)節(jié)能環(huán)保規(guī)劃目標。為打造能讓客戶滿意的質量,京瓷晶振集團制定了“京瓷晶振質量方針”。
京瓷石英貼片晶振致力于環(huán)境保護,包括預防污染。在產(chǎn)品的規(guī)劃到制造、運行維修等整個過程中,努力提供環(huán)保型的產(chǎn)品和服務。在業(yè)務活動中,努力節(jié)約資源并節(jié)省能源,致力于減少廢棄物和再生資源的回收利用。貼片石英晶振,1612貼片晶振,CX1612DB晶振
































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