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Sitime晶振,有源晶振,SiT8021晶振

參考價
面議
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 型號
  • 品牌
  • 所在地深圳市
  • 更新時間2025-04-16
  • 廠商性質(zhì)其他
  • 所在地區(qū)
  • 實(shí)名認(rèn)證已認(rèn)證
  • 產(chǎn)品數(shù)量2072
  • 人氣值22449
產(chǎn)品標(biāo)簽

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精工晶振富士晶振-中國大陸市場代理商:公司在多年來的發(fā)展,公司已擁有一支經(jīng)驗(yàn)豐富的團(tuán)隊(duì),建立了健全的供應(yīng)系統(tǒng)與服務(wù)體系,具備較強(qiáng)的生產(chǎn)和配套供應(yīng)及應(yīng)變能力。目前公司業(yè)務(wù)范圍遍及國內(nèi)十多個省市, 與國內(nèi)多家企業(yè)建立了良好的合作關(guān)系。公司專業(yè)生產(chǎn):石英晶振,表晶,32.768KHZ,陶瓷晶振,貼片晶振,有源晶振,VC-TCXO壓控溫補(bǔ)振蕩器,,溫補(bǔ)晶振,壓控振蕩器, 石英晶體振蕩器,陶瓷霧化片,霧化片,等系列產(chǎn)品、陶瓷諧振器,SMD諧振器,陶瓷濾波器,聲表面諧振器,DIP濾波器,聲表面濾波器,等系列產(chǎn)品.產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于鐘表, 通訊設(shè)備,電腦,音響,儀器儀表,家用電器,衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng),及各種頻率控制設(shè)備.本公司和世界多個石英晶體元器件廠商有著長期的合作關(guān)系:品牌有,進(jìn)口晶振, 愛普生晶振,KDS晶振,精工晶體,西鐵城晶體,村田陶瓷諧振器.
點(diǎn)擊展示更多內(nèi)容
與普通石英晶振,石英晶體,石英振蕩器相比,SiTime的MEMS振蕩器提供了更高的性能.由于石英設(shè)備針對特定的參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化,因此無法提供基于內(nèi)存的解決方案提供的組合性能和特性.通過將硅的固有優(yōu)勢與SiTime晶振的專業(yè)技術(shù)結(jié)合起來,我們正在開發(fā)具有更多特性、高性能和的優(yōu)點(diǎn)的創(chuàng)新性的計(jì)時產(chǎn)品石英貼片晶振,石英晶體振蕩器.
Sitime晶振,有源晶振,SiT8021晶振 產(chǎn)品詳情

Sitime晶振,有源晶振,SiT8021晶振,SiTime晶振集團(tuán)的MEMS技術(shù)起源于博世和斯坦福大學(xué).在我們的創(chuàng)始人創(chuàng)辦SiTime之前,他們花了幾年時間在位于德國的博世和加州的帕洛阿爾托開發(fā)了拯救生命的MEMS解決方案.自2005年成立以來,SiTime已經(jīng)開發(fā)了幾代的kHz石英晶體和MHz MEMS諧振器,具有的性能、的漂移、最小的尺寸和可靠性.SiTime的可配置解決方案使客戶能夠以更高的性能,更小的尺寸和更高的可靠性來區(qū)分他們的可編程有源晶振產(chǎn)品。我們解決方案豐富的功能集和靈活性使客戶能夠整合供應(yīng)鏈,降低擁有成本并縮短上市時間。通過使用標(biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體工藝和大批量的塑料封裝,SiTime提供了業(yè)界的可用性和最短的交貨時間.高精度石英晶體振蕩器,MEMS振蕩器,SiT8021晶振

項(xiàng)目

符號

SiT8021晶振規(guī)格說明

條件

輸出頻率范圍

f0

1 MHz to 26 MHz

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電源電壓

VCC

1.8V,2.5 V 2.8V,3.0V,3.3 V

請聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息

儲存溫度

T_stg

-55℃ to +125℃

裸存

工作溫度

T_use

G: -20℃ to +70℃

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H: -40℃ to +85℃


頻率穩(wěn)定度

 

f_tol

 

J: ±5× 10-6

 

 



功耗

ICC

3.5 mA Max.

無負(fù)載條件、工作頻率

待機(jī)電流

I_std

3.3μA Max.

ST=GND

占空比

SYM

45 % to 55 %

50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF

輸出電壓

VOH

VCC-0.4V Min.

 

VOL

0.4 V Max.

 

輸出負(fù)載條件

L_CMOS

15 pF Max.

 

輸入電壓

VIH

80% VCC Max.

ST 終端

VIL

20 % VCC Max.

上升/下降時間

tr / tf

4 ns Max.

20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF

振蕩啟動時間

t_str

3 ms Max.

t=0 at 90 %

頻率老化

f_aging

±3 × 10-6 / year Max.

+25 ℃, 初年度,年

PCB設(shè)計(jì)指導(dǎo)

(1) 理想情況下,機(jī)械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個獨(dú)立于晶體器件的PCB板上。如果您安裝在同一個PCB板上,使用余量或切割PCB。當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時,機(jī)械振動程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。

(2) 在設(shè)計(jì)時請參考相應(yīng)的推薦封裝。

(3) 在使用焊料助焊劑時,按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來使用。

(4) 請按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來使用無鉛焊料。

存儲事項(xiàng)

(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時間保存晶振時,會影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些石英晶振產(chǎn)品,并在開封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長期儲藏。

正常溫度和濕度:

溫度:+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH(請參閱“測試點(diǎn)JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容)。

(2) 請仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會導(dǎo)致卷帶受到損壞.高精度石英晶體振蕩器,MEMS振蕩器,SiT8021晶振

SITIME晶振環(huán)?;纠砟睿?/span>

1.減少石英晶振晶體材料污染,節(jié)能降耗——污染預(yù)防的承諾;依法治理——遵守現(xiàn)行適用的環(huán)境法律、法規(guī)和其他要求的承諾;

2.“減少污染,節(jié)能降耗,建造美麗家園;依法治理,持續(xù)改進(jìn),凈化一片藍(lán)天”提供了建立和評審環(huán)境目標(biāo)和指標(biāo)的框架.

3.SiTime晶振采用系統(tǒng)的方法來解決其產(chǎn)品的環(huán)境影響.開發(fā)和銷售擁有利的環(huán)境特性同時又滿足可能功效標(biāo)準(zhǔn)的晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器,溫補(bǔ)晶振(TCXO)、恒溫晶體振蕩器(OCXO)等產(chǎn)品

4.在石英水晶振蕩子,陶瓷振動子,有源晶振,時鐘晶體,壓電石英晶體系列產(chǎn)品開發(fā)和制造過程中使用對環(huán)境健康的、可回收利用的材料

5.為開發(fā)高效的、對環(huán)境影響最小的運(yùn)輸系統(tǒng)而工作.無論公司在世界何處,其經(jīng)營都應(yīng)保證生產(chǎn)過程和產(chǎn)品符合同等的環(huán)境標(biāo)準(zhǔn)

6.確保業(yè)務(wù)合作伙伴對環(huán)境問題同等關(guān)注從事并參與環(huán)境領(lǐng)域的研究和開發(fā)活動

7.SiTime晶振集團(tuán)將建立可行的技術(shù)及經(jīng)濟(jì)性環(huán)境目標(biāo),并確保其環(huán)境保護(hù)活動的質(zhì)量.

8.集團(tuán)公司將關(guān)注所有環(huán)境適用的法律、法規(guī)和協(xié)議的遵守情況.另外為更有效的進(jìn)行環(huán)境保護(hù),將建立自己的的環(huán)境標(biāo)準(zhǔn).

9.集團(tuán)將在各領(lǐng)域內(nèi)的商務(wù)運(yùn)作中實(shí)施持續(xù)改進(jìn),包括能源資源的保持,回收再利用以及減少晶振,石英晶振, 石英水晶振蕩子材料廢棄物等。高精度石英晶體振蕩器,MEMS振蕩器,SiT8021晶振

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