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X1R052000B81HZ-DEHPZ晶振,HELE1612熱敏晶振,胎壓檢測(cè)器晶振

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  • 型號(hào)
  • 品牌
  • 所在地深圳市
  • 更新時(shí)間2025-04-16
  • 廠商性質(zhì)其他
  • 所在地區(qū)
  • 實(shí)名認(rèn)證已認(rèn)證
  • 產(chǎn)品數(shù)量2072
  • 人氣值21365
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X1R052000B81HZ-DEHPZ晶振,HELE1612熱敏晶振,胎壓檢測(cè)器晶振,特點(diǎn):超小型貼片型晶體器件。精度高,可靠性好,耐熱性好。適用于設(shè)計(jì)空間有限的智能手機(jī)應(yīng)用程序、初始化無(wú)線模塊設(shè)備、RFID應(yīng)用程序和其他基于消費(fèi)者的產(chǎn)品.中國(guó)臺(tái)灣HELE晶振公司,汽車晶振,小尺寸晶振,超小型晶振,熱敏晶振,耐沖擊晶振,貼片晶振,1612晶振,石英晶振,超小型晶振,低損耗晶振,高品質(zhì)晶振,高精度晶振,程控交換機(jī)晶振,無(wú)人機(jī)晶振。
X1R052000B81HZ-DEHPZ晶振,HELE1612熱敏晶振,胎壓檢測(cè)器晶振 產(chǎn)品詳情

X1R052000B81HZ-DEHPZ晶振,HELE1612熱敏晶振,胎壓檢測(cè)器晶振,特點(diǎn):超小型貼片型晶體器件。精度高,可靠性好,耐熱性好。適用于設(shè)計(jì)空間有限的智能手機(jī)應(yīng)用程序、初始化無(wú)線模塊設(shè)備、RFID應(yīng)用程序和其他基于消費(fèi)者的產(chǎn)品.中國(guó)臺(tái)灣HELE晶振公司,汽車晶振,小尺寸晶振,超小型晶振,熱敏晶振,耐沖擊晶振,貼片晶振,1612晶振,石英晶振,超小型晶振,低損耗晶振,高品質(zhì)晶振,高精度晶振,程控交換機(jī)晶振,無(wú)人機(jī)晶振。

X1R052000B81HZ-DEHPZ晶振,HELE1612熱敏晶振,胎壓檢測(cè)器晶振

標(biāo)稱頻率 38.4MHz 52MHz 76.8MHz
工作模式 Fundamental
頻率容差

±10ppm

頻率穩(wěn)定度 ±12ppm -12~+10ppm ±12ppm
工作溫度范圍

-30~+85 C

負(fù)載電容 7pF, 8pF
驅(qū)動(dòng)電平 10μW (100μW Max.)
等效串聯(lián)電阻 80Ω Max.
儲(chǔ)存溫度范圍

-40~+105 C

熱敏電阻(25℃) 100KΩ
熱敏電阻B常數(shù)(25~50℃) 4250K

X1R052000B81HZ-DEHPZ晶振,HELE1612熱敏晶振,胎壓檢測(cè)器晶振

原廠編碼 生產(chǎn)商 型號(hào) 頻率 頻率容差 負(fù)載電容 工作溫度
X2C025000DZ1H-U 加高晶振 HSX211S 25 MHz ±20ppm 6pF -40°C ~ 105°C
X2C032000BA1H-HZ 加高晶振 HSX211S 32 MHz ±10ppm 10pF -
X2C024000DZ1H-HU 加高晶振 HSX211S 24 MHz ±20ppm 6pF -40°C ~ 105°C
X2C016000B81H-R 加高晶振 HSX211S 16 MHz ±10ppm 8pF -30°C ~ 85°C
X2C026000BC1H-Z 加高晶振 HSX211S 26 MHz ±10ppm 12pF -30°C ~ 85°C
X1C032000B81H-HR 加高晶振 HSX111S 32 MHz ±10ppm 8pF -
X1C024000B81H-HV 加高晶振 HSX111S 24 MHz ±10ppm 8pF -
X2C048000L71HH-CEHZ 加高晶振 HSX211S 48 MHz ±8ppm 11.1pF -
X1R038400B81HA-CEHPZ 加高晶振 HSX111SR 38.4 MHz - 8pF -
X1R052000B81HZ-DEHPZ 加高晶振 HSX111SR 52 MHz - 8pF -40°C ~ 105°C
X12A040000BZ1H-HZ 加高晶振 HSX1210A 40 MHz ±12ppm 6pF -20°C ~ 85°C
X12A032000B81H-HZ 加高晶振 HSX1210A 32 MHz ±10ppm 8pF -30°C ~ 85°C
X1C026000B81H-V 加高晶振 HSX111SA 26 MHz ±20ppm 26pF  -20°C ~ 80°C
X1C032000B81H-HU 加高晶振 HSX111SA 32 MHz ±10ppm 8pF  -20°C ~ 80°C
X1C048000FK1H-HX 加高晶振 HSX111SA 48 MHz ±30ppm 20pF  -20°C ~ 80°C
X2C016000B81H-HPU 加高晶振 HSX211S 16 MHz ±20ppm 8pF  -40°C ~ 85°C
X2C016000B91H-R_C254270 加高晶振 HSX211S 16 MHz ±10ppm 9pF  -40°C ~ 85°C
X2C024000B91H-HZ 加高晶振 HSX211S 24 MHz ±10ppm 9pF  -40°C ~ 85°C
X2C024000BA1H 加高晶振 HSX211S 24 MHz ±30ppm 10pF  -40°C ~ 85°C
X2C024000FA1H-X 加高晶振 HSX211S 24 MHz ±30ppm 10pF  -40°C ~ 85°C
X2C024000B71H-V 加高晶振 HSX211S 24 MHz ±30ppm 12.5pF  -40°C ~ 85°C
X2C026000B91H-V 加高晶振 HSX211S 26 MHz ±15ppm 9pF  -20°C ~ 70°C
X2C027120FA1H-HV 加高晶振 HSX211S 27.12 MHz ±30ppm 10pF -30°C ~ 85°C
X2C032000B81H-HS 加高晶振 HSX211S 32 MHz ±15ppm 8pF -30°C ~ 85°C
X2C032000BA1HA-U 加高晶振 HSX211S 32 MHz ±20ppm 10pF  -40°C ~ 85°C
X2C032000BC1H-R 加高晶振 HSX211S 32 MHz ±10ppm 12pF  -20°C ~ 70°C
X2C037400BG1H-U 加高晶振 HSX211S 37.4 MHz ±10ppm 16pF  -20°C ~ 70°C
X2C038400BA1H-HZ 加高晶振 HSX211S 38.4 MHz ±10ppm 10pF -30°C ~ 85°C
X2C040000B91HA-Z 加高晶振 HSX211S 40 MHz ±10ppm 9pF -30°C ~ 85°C
X2C048000L71H-CEHZ 加高晶振 HSX211S 48 MHz ±12ppm 7.8pF -30°C ~ 85°C
X2C048000BA1H-HZ 加高晶振 HSX211S 48 MHz ±10ppm 10pF -30°C ~ 85°C
X1C026000B81H-V 加高晶振 HSX111SA 26 MHz ±20ppm 8pF  -20°C ~ 80°C
X1C026000BC1H-HZ 加高晶振 HSX111SA 26 MHz ±10ppm 12pF  -20°C ~ 85°C
X1C032000B81H-HU 加高晶振 HSX111SA 32 MHz ±10ppm 8pF  -20°C ~ 70°C
X2C016000B91H-R 加高晶振 HSX211S 16 MHz ±10ppm 9pF  -20°C ~ 75°C
X2C016000BC1H-Z 加高晶振 HSX211S 16 MHz ±20ppm 12pF  -20°C ~ 85°C
X2C024000B71H-V 加高晶振 HSX211S 24 MHz ±30ppm 12.5pF  -40°C ~ 85°C
X2C024000B91H-HZ 加高晶振 HSX211S 24 MHz ±10ppm 9pF  -40°C ~ 85°C
X2C024000BA1H 加高晶振 HSX211S 24 MHz ±30ppm 10pF  -10°C ~ 60°C
X2C032000BA1HA-U 加高晶振 HSX211S 32 MHz ±20ppm 10pF  -40°C ~ 85°C
X2C037400BG1H-U 加高晶振 HSX211S 37.4 MHz ±10ppm 16pF  -20°C ~ 70°C
X2C040000B91HA-Z 加高晶振 HSX211S 40 MHz ±10ppm 9pF -30°C ~ 85°C
X2C048000L71H-CEHZ 加高晶振 HSX211S 48 MHz ±12ppm 7.8pF -30°C ~ 85°C

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