IXFL82N60P晶體三極管
| FET 類型 | N 溝道 |
|---|---|
| 技術(shù) | MOSFET(金屬氧化物) |
| 漏源電壓(Vdss) | 600V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)) | 55A(Tc) |
| 驅(qū)動(dòng)電壓(zui大 Rds On,zui小 Rds On) | 10V |
| 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(zui大值) | 5V @ 8mA |
| 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)(zui大值) | 240nC |
| 電壓,耦合至柵極電荷(Qg)(zui大)@ Vgs | 10V |
| Vgs(zui大值) | ±30V |
| 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(zui大值) | 23000pF |
| 電壓,耦合至輸入電容(Ciss)(zui大) @ Vds | 25V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散(zui大值) | 625W(Tc) |
| 不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(zui大值) | 78 毫歐 @ 41A,10V |
| 工作溫度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 供應(yīng)商器件封裝 | ISOPLUS264™ |
| 封裝/外殼 | ISOPLUS264™ |
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