節(jié)能設計：采用自適應負載調(diào)節(jié)技術，根據(jù)芯片數(shù)量自動調(diào)整制冷功率，比傳統(tǒng)設備節(jié)能 35% 以上。
高低溫冷熱沖擊試驗箱半導體芯片
生產(chǎn)廠家廣東皓天檢測儀器有限公司擁有專業(yè)的生產(chǎn)研發(fā)技術，一站式周到服務。作為一家專注于試驗設備產(chǎn)品的大型儀器制造商，皓天設備致力于為消費者提供技術、品質(zhì)的優(yōu)秀產(chǎn)品。
制冷系統(tǒng)
采用三級復疊式制冷技術，針對半導體芯片的微尺度散熱特性優(yōu)化設計。高溫級搭載 R410A 制冷劑壓縮機（功率 2.2kW），中溫級使用 R404A，低溫級采用 R170（乙烷），-100℃時制冷量仍可達 5.8kW。蒸發(fā)器采用納米級銅鎳合金微通道結(jié)構(gòu)，換熱面積達 1.2㎡，配合超導均溫板實現(xiàn)芯片表面溫度均勻性≤±0.3℃。制冷系統(tǒng)配備磁懸浮變頻壓縮機，運行噪音≤50dB，避免振動對芯片鍵合線的影響，滿足 7nm 以下制程芯片的測試要求。
加濕系統(tǒng)
采用惰性氣體載濕技術，通過純度 99.999% 的氮氣攜帶超純水蒸汽進入測試區(qū)，濕度控制范圍 10%-60% RH（5℃-50℃），精度 ±1.5% RH。加濕模塊與測試區(qū)采用石英玻璃管道連接，內(nèi)壁粗糙度≤0.8μm，避免微粒污染。系統(tǒng)內(nèi)置在線 TOC 檢測儀（檢測限≤5ppb），確保加濕水質(zhì)符合 SEMI F20 標準，防止離子遷移對芯片造成電腐蝕。
用途
專為半導體芯片可靠性驗證設計，可模擬芯片在航天、汽車等環(huán)境下的工作狀態(tài)。用于測試 CPU 在 - 80℃至 150℃沖擊下的邏輯門延遲變化，驗證存儲芯片在溫度驟變中的數(shù)據(jù)保持能力，評估功率半導體在冷熱循環(huán)后的漏電流特性，滿足 AEC-Q100、JEDEC JESD22-A104 等行業(yè)標準。
技術參數(shù)
溫度范圍：-100℃~180℃，沖擊速率 5℃/s（芯片表面）
濕度控制：10%-60% RH（無結(jié)露風險）
工作室尺寸：300mm×250mm×200mm，可容納 8 英寸晶圓或 200 顆 QFP 封裝芯片
溫度均勻性：≤±0.5℃（負載 1kg 硅片時）
循環(huán)次數(shù)：0~99999 次，支持晶圓級自動上下料對接
潔凈度：Class 5（ISO 14644-1），粒子濃度≤352 particles/m3（≥0.5μm）
產(chǎn)品特點
配備晶圓級真空吸附樣品臺，溫度響應時間≤2s，可同步監(jiān)測芯片結(jié)溫與環(huán)境溫度。采用 316L 不銹鋼內(nèi)壁與氟橡膠密封，滿足 SUS304 等效耐腐蝕要求。集成半導體測試接口（SMIC、TSMC 標準），可與探針臺聯(lián)動實現(xiàn)電性能實時測試，支持 GPIB、USB、Ethernet 數(shù)據(jù)傳輸。
產(chǎn)品性能
在 - 100℃~180℃范圍內(nèi)，溫度沖擊響應時間≤10s，連續(xù) 1000 次循環(huán)后溫度偏差增量≤0.2℃。濕度控制在 30% RH 時，波動度≤±1% RH，無冷凝水生成。設備振動加速度≤0.001g，避免芯片焊球脫落，滿足 MIL-STD-883H 的微振動要求。
產(chǎn)品優(yōu)勢
微環(huán)境精準控制：通過微流場模擬技術，實現(xiàn)芯片表面溫度梯度≤0.1℃/mm，解決傳統(tǒng)設備的溫度滯后問題。
超低污染風險：全流程采用惰性氣體保護與超凈處理，符合半導體行業(yè) SEMI S2 安全標準，適用于車規(guī)級芯片測試。
電性能同步測試：支持在溫度沖擊過程中實時采集芯片 IV 曲線、時序參數(shù)，測試效率提升 40%。
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