一、產(chǎn)品簡介
半導(dǎo)體引線框架作為芯片與外部電路連接的關(guān)鍵載體，需具備的尺寸精度（公差 ±0.01mm）、平面度（≤0.02mm/m）和電絕緣性能（絕緣電阻≥101?Ω），其注塑成型多采用 PBT、LCP 等高溫工程塑料。在注塑過程中，模具溫度波動超過 ±0.5℃會導(dǎo)致框架引腳變形（偏差≥0.02mm）、塑封體氣泡（直徑≥0.05mm），甚至引發(fā)芯片焊盤與引線的對位偏差（≥0.03mm），直接影響半導(dǎo)體器件的電氣性能（導(dǎo)通電阻偏差≥5%），廢品率高達(dá) 10%-15%。
半導(dǎo)體引線框架注塑用模溫機(jī)作為溫控設(shè)備，采用高溫油循環(huán)系統(tǒng)，控溫范圍覆蓋 45-180℃，溫度穩(wěn)定性達(dá) ±0.2℃，適配 8-128 引腳的精密注塑模具（尺寸 50×50mm 至 200×150mm）。通過精準(zhǔn)控制模具型腔與型芯的溫度梯度（3-5℃），使引線框架塑封體的收縮率穩(wěn)定在 ±0.1%，引腳共面度≤0.015mm.
二、應(yīng)用場景
IC 芯片引線框架：針對 128 引腳 QFP 封裝框架（LCP 材質(zhì)），控制型腔溫度 160±0.3℃、型芯溫度 155±0.3℃，使引腳共面度≤0.01mm，塑封體厚度偏差≤0.005mm，滿足芯片與 PCB 板的貼片精度要求（對位偏差≤0.02mm）。
功率器件框架：為 IGBT 功率器件引線框架（PBT+30% 玻纖）注塑提供溫控，通過雙回路控溫（框架區(qū)域 140℃、焊盤區(qū)域 135℃），確?？蚣芘c芯片的焊接強度（剪切力≥10N），在 150℃高溫下運行時導(dǎo)通電阻偏差≤2%。
傳感器引線框架：適配 MEMS 傳感器的微型引線框架（引腳寬度 0.1mm），控制模具溫度 180±0.2℃，使引線與傳感器芯片的鍵合精度（金絲球焊）達(dá) ±0.005mm，滿足傳感器的測量精度要求。
汽車電子引線框架：針對車規(guī)級 MCU 引線框架（耐高溫 PBT），通過精準(zhǔn)控溫使框架在 - 40℃至 150℃溫度循環(huán)（1000 次）后，引腳變形量≤0.01mm，滿足汽車電子的 AEC-Q100 可靠性標(biāo)準(zhǔn)。
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