特點(diǎn):
每顆器件的Vgs獨(dú)立控制
實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)每個(gè)試驗(yàn)器件的Id、Ig
控制上、下電時(shí)序
全過程試驗(yàn)數(shù)據(jù)保存于硬盤中,可輸出Excel
試驗(yàn)報(bào)表和繪制全過程漏電流IR變化曲線
漏電流超限保護(hù),自動(dòng)切斷測(cè)量回路
應(yīng)用:
二極管,三極管,MOSFET,IGBT,SBD,GaN Fet, SCR以及各種封裝形式的射頻場(chǎng)效應(yīng)管、射頻功率器件進(jìn)行溫濕度下反偏試驗(yàn) 。































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