設(shè)備特點

•專業(yè)磁控濺射源與腔室結(jié)構(gòu)設(shè)計：該設(shè)備搭載經(jīng)過精密研發(fā)的專業(yè)磁控濺射源，同時配合定制化的腔室結(jié)構(gòu)。通過對濺射源磁場分布的精準調(diào)控，以及腔室內(nèi)氣流場、壓力場的優(yōu)化設(shè)計，能夠減少靶材在濺射過程中的無效損耗 —— 避免靶材因磁場不均導(dǎo)致局部過度消耗，或因腔室環(huán)境紊亂造成靶材粒子的無效沉積，從而顯著提高靶材的實際利用率，降低企業(yè)在靶材耗材上的成本投入，同時減少因靶材頻繁更換帶來的生產(chǎn)停機時間，提升整體生產(chǎn)效率。

•高離化率磁控濺射源的優(yōu)勢：設(shè)備的磁控濺射源采用高離化率設(shè)計，這一設(shè)計能大幅提升濺射粒子的離化比例。在膜層沉積過程中，高離化的粒子具有更強的方向性與附著力，即便基片表面存在臺階、溝槽等復(fù)雜形貌，也能均勻、完整地覆蓋在基片表面，有效解決傳統(tǒng)濺射工藝中臺階覆蓋率不足的問題。良好的臺階覆蓋率可確保膜層在復(fù)雜結(jié)構(gòu)處的連續(xù)性與穩(wěn)定性，為后續(xù)封裝工藝的可靠性奠定關(guān)鍵基礎(chǔ)，尤其適用于高精度封裝場景的需求。

•封裝領(lǐng)域?qū)俜€(wěn)定傳輸系統(tǒng)：針對封裝領(lǐng)域的生產(chǎn)特性，設(shè)備配備了經(jīng)過專項優(yōu)化的傳輸系統(tǒng)。該系統(tǒng)具備高度的穩(wěn)定性，能夠精準控制基片的傳輸速度、位置與姿態(tài)，避免基片在傳輸過程中出現(xiàn)劃傷、偏移或污染等問題。同時，傳輸系統(tǒng)兼容性強，可適配多種類型的基片，包括硅基基片、陶瓷基片、玻璃基片等不同材質(zhì)、不同規(guī)格的基片，滿足封裝領(lǐng)域多樣化的生產(chǎn)需求，為批量生產(chǎn)提供穩(wěn)定、靈活的保障。

•專業(yè)偏壓基座：設(shè)備采用專業(yè)設(shè)計的偏壓基座，除了具備出色的冷卻性能外，還通過特殊的冷卻通道布局實現(xiàn)了冷卻效果的均勻分布。在膜層沉積過程中，基座溫度的穩(wěn)定與否直接影響膜層質(zhì)量，該偏壓基座能有效控制溫度波動，避免因基片局部過熱或溫度不均導(dǎo)致的膜層開裂、性能衰減等問題。此外，良好的冷卻性能還能延長基座的使用壽命，降低設(shè)備的維護成本，保障長期生產(chǎn)的穩(wěn)定性。

•優(yōu)化工藝流程的雙重效益：設(shè)備的工藝流程經(jīng)過深度優(yōu)化，在保證膜層精度與質(zhì)量的前提下，通過簡化不必要的操作步驟、提升各環(huán)節(jié)的協(xié)同效率，大幅縮短了單批次基片的加工周期，實現(xiàn)了大產(chǎn)能表現(xiàn)，能夠滿足企業(yè)規(guī)?；a(chǎn)的需求。同時，優(yōu)化后的工藝流程減少了能源消耗與輔助耗材的使用量，降低了設(shè)備的日常運營成本，幫助企業(yè)在提升產(chǎn)能的同時，進一步提高生產(chǎn)效益與市場競爭力。

產(chǎn)品應(yīng)用

•適配主流晶圓尺寸：設(shè)備主要適配 8 英寸與 12 英寸兩種晶圓尺寸，這兩種尺寸是當前集成電路封裝領(lǐng)域的主流規(guī)格。其中，8 英寸晶圓適用于中小批量、高精度的封裝生產(chǎn)，滿足消費電子、汽車電子等領(lǐng)域中中低端芯片的封裝需求；12 英寸晶圓則更適合大規(guī)模量產(chǎn)，可支撐服務(wù)器芯片、人工智能芯片等芯片的封裝生產(chǎn)，覆蓋全場景晶圓封裝需求。

•覆蓋關(guān)鍵封裝材料：設(shè)備可針對封裝領(lǐng)域的多種關(guān)鍵材料進行膜層沉積，具體包括銅、鈦、氮化鈦、鉭、氮化鉭。不同材料在封裝中承擔不同功能：銅因具備優(yōu)異的導(dǎo)電性，常用于封裝結(jié)構(gòu)中的導(dǎo)電互聯(lián)層，確保芯片間信號與電流的高效傳輸；鈦、氮化鈦、鉭、氮化鉭則具有出色的阻擋性能，可作為阻擋層使用，有效防止導(dǎo)電層金屬原子向周圍介質(zhì)擴散，避免芯片性能受到影響，保障封裝結(jié)構(gòu)的長期穩(wěn)定性。

•支持 TSV 沉積工藝：設(shè)備專門針對 2.5D/3D TSV（硅通孔）沉積工藝進行適配優(yōu)化。TSV 技術(shù)是實現(xiàn) 2.5D/3D 封裝的核心技術(shù)，通過在硅片上制作通孔并進行金屬化沉積，可打破傳統(tǒng)封裝的平面互聯(lián)限制，實現(xiàn)芯片間的垂直互聯(lián)，大幅提升封裝密度與芯片運行速度。該設(shè)備能穩(wěn)定完成 TSV 孔內(nèi)的膜層沉積，確?？變?nèi)膜層的均勻性與附著力，滿足封裝對工藝精度的嚴苛要求。

•聚焦封裝核心領(lǐng)域：設(shè)備的核心應(yīng)用領(lǐng)域為集成電路封裝，尤其適用于高密度、高可靠性的封裝場景。例如，在智能手機芯片的封裝中，可通過該設(shè)備實現(xiàn)小型化、高集成度的膜層結(jié)構(gòu)；在服務(wù)器 CPU、GPU 以及人工智能芯片的封裝中，能滿足高功率、高頻率下的膜層穩(wěn)定性需求，為這些芯片的性能發(fā)揮提供關(guān)鍵工藝支持，助力封裝技術(shù)向更高精度、更高集成度的方向發(fā)展。