設備特點

•單腔雙片架構：在單個反應腔內實現(xiàn)兩片晶圓的同步工藝處理，既保留了單腔環(huán)境穩(wěn)定、工藝參數(shù)易精準控制的優(yōu)勢（保障薄膜質量一致性），又通過雙片并行提升了單位時間的產能，兼顧 “高性能” 與 “高產能”，適用于從批量生產到精密工藝研發(fā)的多種場景；

•高效傳輸系統(tǒng)與智能軟件調度算法：傳輸系統(tǒng)采用高精度機械結構，可實現(xiàn)晶圓在不同模塊間的平穩(wěn)、快速轉移，避免因傳輸晃動導致的晶圓損傷或工藝偏差；搭配的智能軟件調度算法能根據(jù)實時工藝需求、腔室占用情況優(yōu)化晶圓傳輸路徑與工藝順序，減少等待時間，提升設備整體運行效率，同時確保多批次工藝的穩(wěn)定性；

•高效遠程等離子體清洗系統(tǒng)：通過遠程生成等離子體對反應腔內部進行清洗，可有效去除腔室殘留的薄膜碎屑、反應副產物等雜質，避免雜質對后續(xù)沉積工藝造成污染；該系統(tǒng)清洗效率高且不損傷腔室結構，能長期維持腔室潔凈度，配合嚴格的顆粒監(jiān)控機制，實現(xiàn)良好的顆?？刂疲Ｕ媳∧こ练e質量；

•靈活的沉積工藝支持：可同時兼容氣態(tài)硅烷（如 SiH?）和液態(tài)正硅酸乙酯（TEOS）兩類沉積原料對應的工藝 —— 氣態(tài)硅烷工藝適合制備高純度、高致密性的薄膜，液態(tài) TEOS 工藝則在薄膜臺階覆蓋性、工藝穩(wěn)定性上有優(yōu)勢；兩種工藝的兼容讓設備能根據(jù)不同薄膜的性能要求（如絕緣性、致密性、覆蓋性）靈活選擇方案，滿足多樣化應用需求。

產品應用

•晶圓尺寸適配：明確兼容 6 英寸與 8 英寸兩種主流晶圓規(guī)格，無需對設備進行大規(guī)模機械改造或參數(shù)重構即可實現(xiàn)不同尺寸晶圓的工藝切換，降低了產線在應對不同訂單需求時的設備調整成本，提升了產線靈活性；

•適用材料覆蓋：除核心的氧化硅、氮化硅、氮氧化硅外，還可沉積非晶硅（用于薄膜晶體管等結構）、非晶碳（用于硬掩膜、保護層）、PSG（常用于晶圓表面鈍化、摻雜源）、BPSG（多用于多層金屬互連間的絕緣層），覆蓋半導體制造中多種關鍵功能薄膜的制備需求；

•適用工藝場景：聚焦三大核心工藝 —— 掩膜層沉積（為光刻工藝提供圖形轉移的 “模板”，保障光刻精度）、鈍化層沉積（保護晶圓表面器件免受外界環(huán)境侵蝕，提升器件可靠性）、絕緣層沉積（實現(xiàn)器件不同導電區(qū)域間的電氣隔離，避免漏電或信號干擾），是半導體器件制造中多個關鍵工序的核心設備；

•適用領域延伸：廣泛應用于集成電路領域（支撐邏輯芯片、存儲芯片的核心薄膜制備）、化合物半導體領域（適配 GaAs 等化合物襯底的工藝需求，助力射頻、光電子器件制造）、功率半導體領域（滿足 SiC 等功率器件的絕緣、鈍化層需求）、半導體照明領域（如 LED 芯片的薄膜制備，提升發(fā)光效率與穩(wěn)定性）、硅基微型顯示領域（為硅基 OLED、Micro LED 等微顯器件提供關鍵結構層），同時也適用于高校、科研機構的半導體材料與工藝研發(fā)，為技術創(chuàng)新提供設備支持。