設(shè)備特點

•多尺寸與多類型 SiC 晶體適配性：設(shè)備可穩(wěn)定支持 6 英寸、8 英寸兩種主流尺寸的 SiC 晶體生長，無需對設(shè)備核心結(jié)構(gòu)進行大規(guī)模改造，僅通過調(diào)整熱場參數(shù)與坩堝規(guī)格即可實現(xiàn)不同尺寸的工藝切換，適配從中小批量研發(fā)到規(guī)模化生產(chǎn)的不同需求。針對導電型與高純半絕緣型 SiC 晶體的生長差異（如高純半絕緣型對雜質(zhì)控制要求更高），設(shè)備在腔室潔凈度設(shè)計、原料提純輔助環(huán)節(jié)均進行了針對性優(yōu)化，確保兩種類型晶體均可達到生長質(zhì)量要求。

•4 組加熱器獨立控制，溫場調(diào)節(jié)靈活：設(shè)備搭載 4 組獨立控制的加熱器，每組加熱器可根據(jù)工藝需求單獨調(diào)節(jié)功率：例如在 SiC 晶體生長初期，可通過調(diào)整底部加熱器功率加速原料升華，同時控制頂部加熱器功率維持籽晶區(qū)域的穩(wěn)定溫度；生長中期則可微調(diào)側(cè)面加熱器功率，補償腔室邊緣的熱量損耗。這種靈活的溫場調(diào)節(jié)能力，可適配不同生長階段的熱場需求，也能根據(jù)不同批次原料的特性調(diào)整參數(shù)，減少因溫場不均導致的晶體缺陷（如位錯、夾雜）。

•坩堝系統(tǒng)帶升降、旋轉(zhuǎn)功能，提升溫場均勻性：坩堝作為 SiC 原料的承載與升華容器，配備升降與旋轉(zhuǎn)雙重功能：升降功能可根據(jù)原料升華消耗情況，緩慢調(diào)整坩堝位置，確保原料升華區(qū)域與籽晶沉積區(qū)域的距離始終穩(wěn)定，避免因距離變化導致的生長速率波動；旋轉(zhuǎn)功能則可促進坩堝內(nèi)原料的均勻受熱，減少局部過熱或過冷，同時帶動升華后的氣相物質(zhì)均勻擴散，進一步提升整個生長區(qū)域的溫場均勻性，保障 SiC 晶體在直徑、純度等關(guān)鍵指標上的一致性。

•下裝載、上維護設(shè)計，操作便捷性提升：設(shè)備采用 “下裝載” 結(jié)構(gòu)，即 SiC 原料、坩堝等核心部件從設(shè)備下部進行裝載與取出，無需拆卸設(shè)備上部的熱屏、籽晶組件，大幅縮短開爐、裝料、取晶的操作時間；同時采用 “上維護” 設(shè)計，設(shè)備的電氣元件、檢測傳感器等需維護部件集中布置在設(shè)備上部，維護時無需移動下部的高溫腔室與坩堝系統(tǒng)，降低維護過程中對核心工藝部件的干擾風險，既提升了日常操作效率，也減少了維護后的工藝校準工作量。

產(chǎn)品應(yīng)用

•晶體尺寸適配：明確支持 6 英寸與 8 英寸 SiC 晶體生長，設(shè)備的腔室空間、熱場覆蓋范圍、晶錠取出通道均針對這兩種尺寸優(yōu)化：例如 8 英寸晶體生長時，腔室可容納更大規(guī)格的坩堝與晶錠，熱場設(shè)計確保晶錠從中心到邊緣的溫度差異控制在合理范圍，避免因尺寸增大導致的晶體邊緣質(zhì)量下降，適配當前 SiC 襯底從 6 英寸向 8 英寸升級的產(chǎn)業(yè)趨勢。

•適用材料：核心適用材料為碳化硅（SiC），可生長滿足不同器件需求的 SiC 晶體：用于功率半導體領(lǐng)域的導電型 SiC 晶體，需控制摻雜元素（如氮）的均勻性；用于射頻領(lǐng)域的高純半絕緣型 SiC 晶體，需嚴格控制雜質(zhì)含量（如金屬離子、深能級缺陷），設(shè)備通過工藝參數(shù)優(yōu)化與環(huán)境控制，可滿足兩類 SiC 晶體的材料特性要求。

•適用工藝：采用物理氣相輸運法（PVT 法）進行 SiC 晶體生長，這是當前 SiC 晶體制備的主流工藝 —— 通過電阻加熱使 SiC 原料升華形成氣相物質(zhì)，氣相物質(zhì)在溫度較低的籽晶表面沉積并有序結(jié)晶，最終形成 SiC 晶體。設(shè)備針對 PVT 法的工藝特點，優(yōu)化了加熱速率控制、氣相傳輸路徑設(shè)計、籽晶定位精度，確保升華、傳輸、沉積三個環(huán)節(jié)穩(wěn)定銜接，提升晶體生長的成功率與質(zhì)量。

•適用領(lǐng)域

化合物半導體領(lǐng)域：為 SiC 基化合物半導體器件（如功率器件、射頻器件）提供襯底制備設(shè)備支持，襯底質(zhì)量直接影響器件的電學性能（如耐壓性、高頻特性），設(shè)備的穩(wěn)定運行可保障襯底的一致性；

科研領(lǐng)域：設(shè)備的工藝參數(shù)可靈活調(diào)整（如加熱器功率、坩堝轉(zhuǎn)速、腔室壓力），支持科研機構(gòu)開展 SiC 晶體生長的工藝探索（如新型摻雜工藝、缺陷控制技術(shù)研究），助力 SiC 材料技術(shù)創(chuàng)新；

襯底材料領(lǐng)域：用于高質(zhì)量 SiC 襯底的規(guī)模化生產(chǎn)，SiC 襯底是 SiC 器件制造的核心基礎(chǔ)材料，設(shè)備可滿足襯底生產(chǎn)對純度、平整度、尺寸的要求，為下游器件制造提供優(yōu)質(zhì)原料。

•加熱方式采用電阻加熱方式，電阻加熱通過電流流經(jīng)加熱元件產(chǎn)生熱量，具有溫度控制精度高、加熱過程穩(wěn)定、熱量分布易調(diào)節(jié)的優(yōu)勢 —— 可精準將 SiC 原料加熱至升華所需溫度，且能通過調(diào)整加熱元件的電流大小，實現(xiàn)對溫度的細微調(diào)控，符合 SiC 晶體生長對高溫、穩(wěn)定熱場的工藝需求。