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QUAL-DEP資格污染標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品介紹：來(lái)自 TSI 分部 MSP 的 Qual-Dep資格污染標(biāo)準(zhǔn)是特定于工具的標(biāo)準(zhǔn)，可驗(yàn)證性能、降低驗(yàn)收風(fēng)險(xiǎn)并幫助匹配/對(duì)齊檢測(cè)系統(tǒng)。合格缺陷檢測(cè)設(shè)備使用 Qual-DepQualification Wafer and Reticle Contamination Standards 在半導(dǎo)體晶圓廠安裝期間驗(yàn)證檢測(cè)工具的性能，以確認(rèn)工具的性能符合規(guī)范，從而促進(jìn)......

TSI QUAL-DEP資格污染標(biāo)準(zhǔn) 產(chǎn)品詳情

QUAL-DEP資格污染標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品介紹：

來(lái)自 TSI 分部 MSP 的 Qual-Dep資格污染標(biāo)準(zhǔn)是特定于工具的標(biāo)準(zhǔn)，可驗(yàn)證性能、降低驗(yàn)收風(fēng)險(xiǎn)并幫助匹配/對(duì)齊檢測(cè)系統(tǒng)。

合格缺陷檢測(cè)設(shè)備

使用 Qual-DepQualification Wafer and Reticle Contamination Standards 在半導(dǎo)體晶圓廠安裝期間驗(yàn)證檢測(cè)工具的性能，以確認(rèn)工具的性能符合規(guī)范，從而促進(jìn)客戶的快速驗(yàn)收。這些針對(duì)晶圓和掩模版檢測(cè)工具的認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)每位客戶使用，從而簡(jiǎn)化了采購(gòu)流程并提供批量定價(jià)。

制造電子設(shè)備

使用 Qual-DepQualification Wafer and Reticle Contamination Standards 定期檢查檢測(cè)工具的性能支持您的制造操作的統(tǒng)計(jì)過(guò)程控制 (SPC)。MSP 的粒子沉積一致性允許您使用多種污染標(biāo)準(zhǔn)來(lái)可靠地匹配單個(gè)晶圓廠內(nèi)的檢測(cè)/計(jì)量工具之間以及多個(gè)晶圓廠之間的全局性能。

QUAL-DEP資格污染標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格：

三層包裹單晶圓托運(yùn)人Qual-Dep認(rèn)證污染標(biāo)準(zhǔn)是根據(jù)客戶規(guī)范構(gòu)建的，通常是在使用Dev-Dep™ 開(kāi)發(fā)污染標(biāo)準(zhǔn)開(kāi)發(fā)工具或流程之后?？捎糜?Dev-Dep™ 開(kāi)發(fā)污染標(biāo)準(zhǔn)的相同可定制屬性也可用于在您選擇的基材上進(jìn)行的每個(gè)沉積：

存款模式類型

存款規(guī)模和頭寸

顆粒材料

粒徑

粒子數(shù)

基材

可以在各種基材上進(jìn)行沉積，包括晶片、光罩（光掩模）、薄膜和圓盤?？蛻敉ǔ?huì)提供他們選擇的掩模版，但 MSP 也提供光學(xué)光掩模坯。MSP 通常提供用于沉積的裸硅晶片，但也會(huì)處理客戶提供的具有薄膜、圖案或其他專有規(guī)格的晶片。

晶圓或光罩污染標(biāo)準(zhǔn)基礎(chǔ)項(xiàng)目

Qual-Dep認(rèn)證污染標(biāo)準(zhǔn)（基礎(chǔ)項(xiàng)目）由晶圓或掩模版上的一個(gè)沉積物（采用三層包裝）和每個(gè)粒徑標(biāo)準(zhǔn)的完整文檔（沉積摘要、合格證書(shū)、校準(zhǔn)證書(shū)）組成。

見(jiàn)證晶圓

為了驗(yàn)證任何晶圓或掩模版沉積工藝（200 毫米或 300 毫米硅晶圓除外），MSP 首先使用相同的沉積配方在“見(jiàn)證晶圓”上沉積顆粒。Witness 晶圓（200 毫米或 300 毫米）使用靈敏度約為 35 納米的掃描表面檢測(cè)系統(tǒng) (SSIS) (KLA Surfscan SP2) 進(jìn)行檢測(cè)。每個(gè) Witness Wafer 都帶有沉積摘要，其中包括 SSIS 檢查結(jié)果（僅報(bào)告）?？梢詫?Witness Wafer 運(yùn)送給客戶（報(bào)告和運(yùn)送），但需要支付額外費(fèi)用。

對(duì)于小于 80 納米（PSL 光散射等效值）的顆粒，建議使用 300 毫米見(jiàn)證晶圓，因?yàn)?300 毫米晶圓通常在小尺寸時(shí)具有較低的背景計(jì)數(shù)，并且比 200 毫米晶圓提供更好的檢測(cè)信噪比。對(duì)于更大的顆粒尺寸，200 毫米的晶圓更具成本效益。

晶圓檢測(cè)

MSP 使用靈敏度約為 35 nm 的掃描表面檢測(cè)系統(tǒng) (SSIS) (KLA Surfscan SP2) 檢測(cè) 200 毫米或 300 毫米裸硅見(jiàn)證晶片的顆粒。隨標(biāo)線片污染標(biāo)準(zhǔn)一起提供的沉積摘要中提供了檢查結(jié)果，包括帶有粒度信息和每個(gè)沉積的近似計(jì)數(shù)的掃描圖像。

QUAL-DEP資格污染標(biāo)準(zhǔn)特點(diǎn)與優(yōu)勢(shì)：

Qual-Dep資格污染標(biāo)準(zhǔn)為設(shè)備供應(yīng)商和晶圓廠提供了其他標(biāo)準(zhǔn)所不具備的幾個(gè)主要優(yōu)勢(shì)。

排他性

Qual-Dep資格污染標(biāo)準(zhǔn)作為具有專用部件號(hào)的商品出售，簡(jiǎn)化了采購(gòu)流程并確保從訂單到訂單的規(guī)格一致。

關(guān)鍵詞：標(biāo)準(zhǔn) 過(guò)程控制

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