二、主要技術(shù)指標(biāo)：

1、輸出信號(hào)電壓：：±100 V可擴(kuò)展電致應(yīng)蝴蝶曲線功能

2、溫度；室溫-200℃，控溫精度：±1℃

3、控制施加頻率0.01到1KHz（陶瓷、單晶，薄膜）PC端軟件控制自定義設(shè)置；

4、控制輸出電流0到±50mA連續(xù)可調(diào)，PC端軟件控制自定義設(shè)置。

5、動(dòng)態(tài)電滯回線測(cè)試頻率范圍 0.01Hz-1kHz

7、最小脈寬保持時(shí)間為20us;最小上升沿時(shí)間為10us;

8、疲勞測(cè)試頻率500kHz（振幅10 Vpp，負(fù)載電容1 nF）；

9、測(cè)試速度：測(cè)量時(shí)間《5秒/樣品•溫度點(diǎn)

10、樣品規(guī)格：塊體材料尺寸：直徑2-100mm，厚度0.1-10mm

11、主要功能： 動(dòng)態(tài)電滯回線DHM，靜態(tài)電滯回線SHM，I-V特性，脈沖PUND，疲勞Fatigue，電擊穿強(qiáng)度BDM，漏電流LM，電流-偏壓，保持力RM，

10. 電荷解析度不小于10 mC;

漏電流測(cè)量范圍:1pA~ 20 mA，分辨率不低于0.1pA;

12、控制方式：計(jì)算機(jī)實(shí)時(shí)控制、實(shí)時(shí)顯示、實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)計(jì)算、分析與存儲(chǔ)

13、軟件采集：自動(dòng)采集軟件，分析可以兼容其他相關(guān)主流軟件。

14、測(cè)試精度：±0.05%

15、內(nèi)置電壓：±20V

16、可增模塊：

印跡印痕IM

變溫測(cè)試THM

POM 模塊實(shí)現(xiàn)極化測(cè)量功能

CVM模塊實(shí)現(xiàn)小信號(hào)電容測(cè)試，獲得C-V曲線

PZM模塊實(shí)現(xiàn)壓電特性測(cè)試

DPM模塊測(cè)試介電性能

RTM模塊測(cè)試電阻/電阻率性能

CCDM模塊實(shí)現(xiàn)電容充放電測(cè)試。

17、探針臺(tái)(選配)：

美國(guó)TF-2000測(cè)試數(shù)據(jù)對(duì)比圖